abaqus算界面脱粘_芯片晶圆中的临时粘结和脱粘后清洗的挑战

临时粘结(Temporary bonding)应用在很多先进封装和微机电系统(MEMS)中。 器件晶片与带有临时键合材料的载体晶圆键合，以便在不影响器件侧的情况下执行后续的背面处理。 在完成制造步骤后，晶片必须通过适合所使用的临时键合材料类型的释放机制从临时载体中移除。 脱粘后，器件晶圆必须足够清洁，才能完成制造。 如果设备晶片被变薄，它将被剥离到带有紫外线(U V)胶带的薄膜框架上。 清洗工艺和化学制剂需要与胶带和薄膜框架结构兼容。

优化清洗是选择最有效的化学、设备和工艺的结果。 化学应溶解临时键合材料，同时使器件晶片不被损坏。 该设备需要保持工艺参数，如温度和f低速率，同时循环化学品以减少化学消耗。 该工艺需要以最低的总成本确定最有效的清洗的优化参数和顺序。

本文介绍了清洗工艺优化的方法和实验 ® Brewer Bond 305粘合材料。 涉及的参数包括化学纯度、溶液和消耗量、工艺温度、分配方法、时间和工艺顺序。 设计了实验(DOE)方法，以确定工具和化学参数的影响，将产生无残留晶片。 此外，考虑了胶粘剂FILM厚度对工艺条件的影响。 将提出工艺的脱粘晶片和晶片安装在film框架上。 该方法提供了一个优化的清洗过程，成本较低，使用循环化学在环境温度下。

TBDB日益重要

Wafer level packaging(WLP，晶圆级封装)技术继续发展，已被用于大规模制造。 随着对更小、更薄的封装的需求增加，临时键合和脱粘(TBDB，temporary bonding and debonding)已成为制造工艺中日益关键的一步。 基于消费电子、汽车和物联网(IOT/5G)的应用和服务一直在推动半导体行业的增长。 高性能，小尺寸，密集地集成以及低功耗是今天的先进器件的要求。

先进技术的一个关键要求是使用临时载体晶片来支持已用临时键合和释放材料处理的器件晶片。 下游的制成工艺，包括高温热循环，高真空环境，和各种化学反应可能会损坏一个不支持这些环境的设备晶片。 通过使用临时键合载流子衬底，可以防止由于弯曲/翘曲下游工艺诱导的器件损伤。

在标准的临时键合和脱粘(TBDB，temporary bonding and debonding)工艺中，一种热塑性键合材料被旋到器件晶片的前侧，然后烘焙以去除薄膜中多余的溶剂。 载体晶片，通常是玻璃或硅，涂上一层薄薄的释放材料，用于方便在适当的界面脱粘(图1)。 然后，载体和器件晶片在真空下结合在一起，使用足够高的粘结温度，使粘结材料软化并变粘。

图1、晶圆片加工和处理的工艺流程插图

一旦器件晶片由载体晶片支撑，就可以使用化学机械平面化(CMP)进行背面磨削或细化。 在此工艺过程中，器件晶片通常薄到小于100µm，