晶振的基本常识

1.石英晶体的结构：化学成分是二氧化硅。从一块晶体上按一定的方位角切下的薄片称为晶片，然后在晶片的两个对应表面上涂敷银层并装上一对金属板，就构成石英晶体产品，如下图所示，一般用金属外壳密封，也有用玻璃壳封装的。

2.晶振工作原理：若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。如在极板间所加的是交变电压，就会产生机械变形振动，同时机械变形振动又会产生交变电压。一般来说，这种机械振动的振幅是比较小的，振动频率是很稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为压电谐振，因此石英晶体又称为石英晶体谐振器。

3.石英晶体的压电谐振现象可以用下图的电路模型来表示。等效电路中的C0为切片与金属板构成的静电电容，L和C分别模拟晶体的质量（代表惯性）和弹性，而晶片振动时，因摩擦而造成的损耗则用电阻R来等效。石英晶体的一个可贵的特点在于它具有很高的质量与弹性的比值（等效于L/C)，因而它的品质因数Q处于高达10000~50000的范围内。

图1  a)代表符号  b)电路模型  c)电抗-频率响应特性

由电路模型可知，石英晶体有两个谐振频率，即

1)当R、L、C支路发生串联谐振时，其串联谐振频率为:fs=12πLC

由于C0很小，它的容抗比R大得多，因此，串联谐振的等效阻抗近似为R，呈纯阻性，且其阻值很小

电阻R决定晶体元件的品质因数Q，它是反映谐振器性能好坏的重要参数，它与L和C有如下关系：Q=ωLC=1ωCR。R越大，Q值越低，会导致频率不稳定，反之，Q值越高，频率越稳定，晶体的特点在于它具有很高的品质因素。

2)当频率高于fs小于fp时，R、L、C电路呈感性，当与C0发生并联谐振时，其振荡频率为：fp=12πLC1+CC0=fs1+CC0。由于C<<C0，因此fs与fp很接近

通常石英晶体产品所给的标称频率既不是fs也不是fp，而是外接一个小电容CS时校正的振荡频率，CS与石英晶体串接如下图所示，利用CS可使石英晶体的谐振频率在一个小范围内调整

图2 石英晶体串联谐振频率的调整

4.晶体本身是不能产生振荡信号的，必须借助于相应的外部振荡器电路才能实现。并联型振荡器电路如下图所示，一般单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器

上图中，U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。 X1是晶体，相当于三点式里面的电感，R1是反馈电阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。

5.晶振通常分为有源晶振和无源晶振两个大类，无源晶振需要芯片内部有振荡器，并且晶振的信号电压根据起振电路而定，允许不同的电压，但无源晶振通常信号质量和精度较差，需要精确匹配外围电路（电感、电容、电阻等），如需更换晶振时要同时更换外围的电路。有源晶振不需要芯片的内部振荡器，可以提供高精度的频率基准，信号质量也较无源晶振要好，但是价格要贵很多。

6.选择晶振时需要考虑的因素：频率、稳定性、晶体老化、封装、相位噪声和抖动