仿真——衬底电压的改变对NMOSD的开启电压的影响

最新推荐文章于 2022-08-16 17:58:45 发布

路滑小心

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1、搭建电路，并测得开启电压。开启电压大约为0.8V。

2、在衬底处加上一个0.5V的偏压， $V_{SB}$ <0。测得开启电压下降到0.66V。

3、在衬底处加上一个-0.5V的偏压， $V_{SB}$ >0。测得开启电压上升到0.9V

MOS管开启电压公式： $V_{th}=V_{th0}+\gamma (\sqrt{\left | 2\phi _{F} +V_{SB}\right |}-\sqrt{\left | 2\phi _{F} \right |})$ 。假设2 $\phi _{F}$ 取典型值0.7V。

当 $V_{SB}$ <0时，即衬底电压大于源极电压。 $V_{SB}$ 值的变化范围应该在-0.7V~0V之间。一旦 $V_{SB}$ 的值小于-0.7V，则开启电压公式中括号中将一直都为正，开启电压将变大，这与我们所要求是相反的。

(1）衬底电压为0.7V，MOS管的开启电压继续下降，为0.59V。

（2）衬底电压为1V，MOS管的开启电压开始上升。

（3）衬底电压为2V，MOS管的开启电压继续上升

（4）衬底电压为3V，MOS管的开启电压继续上升

衬底电压接着增大，开启电压还是继续增大。但是衬底电压过大会带来一系列的问题，具体什么问题等我学会了再来补充。

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仿真——衬底电压的改变对NMOSD的开启电压的影响

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