台湾flash接口修改1-写失败 总是第二次成功--提交一次

目前台湾代码是

static void app_data_handler(void)
{
    if (cyc_counter == MAX_CYC*RUN_TIME_CYC) {

        ///*********** FLASH CLEAR ***********/
        enable_flash();
        spi_flash_release_from_power_down();
        spi_cs_low();
        spi_cs_high();
        ///*********** FLASH CLEAR ***********/
        spi_erase_write_page(pack_buf, sizeof(pack_buf));   //save data

 

其中FLASH CLEAR中间的代码 来历不明 并且在spi_erase_write_page函数中也有一模一样的代码

看上去是准备操作flash的硬件环境 

台湾代码工作很好 每次写入OK

int8_t spi_erase_write_page(uint8_t * wr_buf,  uint8_t size)
{

    uint32_t address = flash_wr_addr;
    enable_flash();
    spi_flash_release_from_power_down();
    spi_cs_low();
    spi_cs_high();

    int8_t err = spi_flash_page_program_buffer(wr_buf, address, size);

    spi_flash_power_down();
    return err;
}
 

测试1---删除spi_erase_write_page函数中黑体部分 结构运行OK

测试2---删除app_data_handler函数中黑体部分 结构运行失败 写入ERR是-14表示busy

所以现在这个台湾的代码是--东成西就了  

不可能有这个神奇的事情

 

东成西就是不行的 非常碍眼 也就是需要一点时间等待吧 验证一下

维持测试2 我多写几次

int8_t spi_erase_write_page(uint8_t * wr_buf,  uint8_t size)
{
    uint32_t address = flash_wr_addr;
    int8_t err =0;
    for(char i=0;i<3;i++)
    {      
        enable_flash();
        spi_flash_release_from_power_down();

         mc_debug("\n\rspi_flash_wait_till_ready(); %d\r\n",spi_flash_wait_till_ready());
        err = spi_flash_page_program_buffer(wr_buf, address, size);
        if(err != 0){
            mc_debug("\n\rWrite err %d\r\n",err);
        }else {
            mc_debug("\n\rWrite ok %d\r\n",err);
            break;
        }
    
    }

    spi_flash_power_down();
    return err;
}
此时每次都是第一次写失败 第二次写成功

 

说明是需要时间的 应该有一个标记busy的接口 我找

果然 增加那个结构 

第一次就可以写成功了！！！！