STM32内部Flash是chipFlash.c

uint8_t sys_cfg_write(SystemConfigType *data)
{
    uint8_t i = 0;


    if(chip_flash_get_lock()== TRUE )
    {  
        for(i=0;i<5;i++)
        {  

          if(chip_flash_write( DSYS_CFG_ADDR , (uint8_t *)data , sizeof(SystemConfigType) ) == TRUE)
          {
              //log(INFO,"sys_cfg_write 第%d次写入成功\n",i+1);
			  chip_flash_release_lock();  
              return TRUE;
          }  
        }
        chip_flash_release_lock(); 
    }  
	log(INFO,"内部FLASH 配置文件 写入失败\n"); 
    
    return FALSE;
}

 DSYS_CFG_ADDR是内部的地址0X0808E800

解锁（失败就返回）--写入（写成立刻返回）

看到是一个结构体指针，强转成u8*。

 

看看写入函数

uint32_t chip_flash_write( uint32_t addr , uint8_t* data , uint16_t len)
{
    uint32_t ramsource = 0;
    uint8_t buff[2048];
    uint8_t rt = 0;
	
    memset(buff , 0x00 , 2048);
    memcpy(buff , data , len);
    
    if( chip_flash_earse(addr) != FLASHIF_OK)
	{
		log(WARN,"FLASH 擦写失败\n");
		
		return FALSE;
	}
    
    ramsource = (uint32_t)&buff;
    
    if( ( rt = FLASH_Write(addr ,  (uint32_t*) ramsource , 512)) != FLASHIF_OK)
    {
        log(WARN,"内部FLASH写入失败 ,err = %d\n" , rt);
        return FALSE;
    }
    
    return TRUE;
}

先把这个2048的页全部擦掉 在一次写入 再次使用了强转技巧

 ramsource = (uint32_t)&buff;
    
  FLASH_Write(addr ,  (uint32_t*) ramsource ---后面就是2048要/4了 u8--u32  是512！

 

 

所以用的时候就是：准备好全部数据，全部clear

一次写入