stm32内部flash操作实例与验证

最新推荐文章于 2024-07-30 15:14:42 发布

༺༒至尊宝༒༻

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分类专栏： C语言 stm32 文章标签： hex解析内部flash读写操作

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_42399752/article/details/87967231

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本文详细介绍了STM32内部Flash的读写操作，包括只能按字节对写入、写前需擦除、不同容量的页擦除大小、以及读取方式。同时，内容还涉及了擦写操作的延时处理和解锁函数的使用。在验证部分，通过分析hex文件头尾，结合Xshell截图展示了实际操作效果。

摘要由CSDN通过智能技术生成

一：FLASH的读写操作
1.stm32内部flash写操作只能是两个byte写入，不能一个byte一个byte的写
2.写之前需要擦除，擦除后数据均为FF
3.内部flash为512kb为大容量，小于512为小容量。在stm32的stm32f10x_flash.c里面FLASH_Status FLASH_ErasePage擦除页函数有区别擦2k还是擦1k，大容量擦2k，小容量擦1k
4. 读可以只读1个字节，例如：(uint8_t)(Address)
读可以只读4个字节，例如：(uint32_t)(Address)
5.擦除和写过程没有加延时函数，因为库函数里面已经有一个确保操作完成的函数。
6.擦写前先调用解锁函数。

#define BaseStartAddr	0x08000000	

uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord(uint32_t addr)
{
	rt_kprintf("读取:WriteAddr=%08X,pByte=%08X\n",BaseStartAddr+addr,*(uint32_t*)(BaseStartAddr+addr));
	return *(uint32_t*)(BaseStartAddr+addr);
}	
	
void STMFlashByteWrite(uint32_t WriteAddr,uint32_t pByte)
{	
	FLASH_Unlock();	
	
	FLASH_ErasePage(BaseStartAddr);	
	FLASH_ProgramWord(BaseStartAddr+WriteAddr,pByte);	
	rt_kprintf("写入:WriteAddr=%08X,pByte=%08X\n", BaseStartAddr+WriteAddr, pByte);
	S