写在前面:由于本科阶段,课程老师对于场效应管的讲解是一笔带过,所以对于场效应管的认识非常模糊。最近工作接触MOS管的相关电路比较多,抽了一些时间对场效应管做了学习理解,希望对有需求的小伙伴有所帮助。对于学习清华大学童诗白的模电课本的同学,建议先跳过结型场效应管小节,从绝缘栅型场效应管小节开始,并配套上交的视频课程(B站)。
基础准备:
1.什么是N型、P型半导体中多子和少子?
2.PN结。
场效应管分为:
1.绝缘栅型场效应管(IGFET),又称MOS管;
2.结型场效应管j(JFET)。
当了解完MOS管,结型场效应管自然就理解了。
一、原理说明(以N沟道增强型MOS管为对象)
先看图:
1.为什么叫N沟道?
因为源极和漏极是两个N型半导体,我们的目的是要使源极和漏极两个导通,相当于在漏源之间挖一条沟渠,这样两边就连通了。
但问题来了。在无任何外电场作用的情况下,漏源之间是两个背向的PN结,无法形成沟道,无法连通。
2.怎么形成N沟道?
在栅-源(g-s)间加上正电压,在栅极金属下侧聚集正电荷,排斥二氧化硅绝缘层下侧P型半导体具有正电特性的空穴,形成PN结。
现在加大栅-源(g-s)间的电压,PN结区域变宽,同时吸引PN结下方的电子到PN结与二氧化硅之间,这样沟道就形成了。
3.沟挖好了,现在要"放水"了
在漏-源(d-s)间加上正向电压,电子在电场下流动,形成电流。
4.为什么叫增强型?
因为要形成沟道,栅-源(g-s)间就要加上正电压,在一定范围内,加的正电压越大,沟道越宽,导通的能力就越强。对应的,耗尽型MOS管就明白了。
注意:在栅-源(g-s)间电压目的不是为了使沟道下方的PN结导通,这里是为了形成沟道,与三极管在PN结上加正向电压目的不一样。
N沟道增强型绝缘栅型场效应管的原理就说完了。
对于P沟道是一样的思考方向,自己练习一下。
结型场效应管也自己练习一下。
二、快速记忆,方便应用
对于MOS管的符号等一些说明,这里引用一篇快速入门的文章,文章说的很好,便于理解记忆。
MOS管基本认识(快速入门)