深入浅出场效应管（MOS管）—— 电子电路基础1

写在前面：由于本科阶段，课程老师对于场效应管的讲解是一笔带过，所以对于场效应管的认识非常模糊。最近工作接触MOS管的相关电路比较多，抽了一些时间对场效应管做了学习理解，希望对有需求的小伙伴有所帮助。对于学习清华大学童诗白的模电课本的同学，建议先跳过结型场效应管小节，从绝缘栅型场效应管小节开始，并配套上交的视频课程（B站）。

基础准备：
1.什么是N型、P型半导体中多子和少子？
2.PN结。

场效应管分为：
1.绝缘栅型场效应管(IGFET)，又称MOS管；
2.结型场效应管j（JFET）。
当了解完MOS管，结型场效应管自然就理解了。

一、原理说明（以N沟道增强型MOS管为对象）

先看图：
1.为什么叫N沟道？
因为源极和漏极是两个N型半导体，我们的目的是要使源极和漏极两个导通，相当于在漏源之间挖一条沟渠，这样两边就连通了。
但问题来了。在无任何外电场作用的情况下，漏源之间是两个背向的PN结，无法形成沟道，无法连通。

2.怎么形成N沟道？
在栅-源（g-s）间加上正电压，在栅极金属下侧聚集正电荷，排斥二氧化硅绝缘层下侧P型半导体具有正电特性的空穴，形成PN结。
现在加大栅-源（g-s）间的电压，PN结区域变宽，同时吸引PN结下方的电子到PN结与二氧化硅之间，这样沟道就形成了。
3.沟挖好了，现在要"放水"了
在漏-源（d-s）间加上正向电压，电子在电场下流动，形成电流。
4.为什么叫增强型？
因为要形成沟道，栅-源（g-s）间就要加上正电压，在一定范围内，加的正电压越大，沟道越宽，导通的能力就越强。对应的，耗尽型MOS管就明白了。

注意：在栅-源（g-s）间电压目的不是为了使沟道下方的PN结导通，这里是为了形成沟道，与三极管在PN结上加正向电压目的不一样。

N沟道增强型绝缘栅型场效应管的原理就说完了。
对于P沟道是一样的思考方向，自己练习一下。
结型场效应管也自己练习一下。

二、快速记忆，方便应用
对于MOS管的符号等一些说明，这里引用一篇快速入门的文章，文章说的很好，便于理解记忆。
MOS管基本认识（快速入门）