本文纠正了基础运放中关于本征增益的概念，指出共源极、共漏极和共栅极的本征增益分别为gmro、1和1+gmro。通过增益分压电阻的介绍，详细阐述了如何计算不同类型的运放增益，包括共源极、共漏极和共栅极运放的实际增益，以共源共栅极运放为例进行深入解析。
PS：继续更新基础运放哦，希望大家喜欢！在此前基础运放的基础上，增益原理进行了部分修正，以本章为准，之前自动回复设置有问题，现已修复，回复基础运放查看基础运放全部章节。
往期回顾，之前给大家讲解的原理如下：
任何一个单级放大器的增益都可以用本征增益乘以一个系数来表示！！！！
上述描述本身上是没有任何问题的，但是笔者之前在关于本征增益和系数的物理含义解释上比较模糊，定义比较宽泛，所以有时候即使答案是正确的，但是分析过程与实际物理过程并不契合，所以，今天会首先重述过往，以物理意义定义公式，再继往开来，讲解一下共源共栅极运放。
万理归一，共源共栅极运放作为单极运放最后一章，所有的理论都会指向唯一的一条。
概念收缩：
到底何为本征增益？拉扎维只有在讲解共源极运放的时候提过这个词，共源极运放的本征增益是gmro，后面的共漏极和共栅极都没有提过，但是笔者在之前的文章中解释任何一个单极运放都可以用本征增益乘以一个系数得出答案，难道共漏极和共栅极不存在本征增益吗？他们的本征增益是不是gmro?
很多问题，一一解答。
Pic1
Pic1中详细地介绍了三种本征增益，共源极本征增益是gmro，共漏极本征增益是1，共栅极本征增益是1+gmro。此段理论不接受任何反驳。
有些老读者肯定会纳闷，这有点和你以前说得不一样，之前不是说都是gmro吗？怎么今天又变了？这里先提前解释下，之前文章中讲的本征增益都是gmro，是因为在计算增益的时候，输出都是从漏极看得，这一点下文会在解释增益分压电阻（上文中的系数）的时候说明，这是笔者之前犯的第一个错误，概念定义宽泛失去其本身意义，如果没有看过之前文章的同学为防止你进入误区，请自行忽略这段话。
所以今天第一个纠正以往的错误就是概念宽泛，我们进行概念收缩，三种不同类型的运放具有不同的本征增益！
增益分压电阻：
这个就是前文中讲述的系数。在此重复一遍，任何一个运放的增益都可以用本征增益乘以一个系数来表示！这个里面的系数，之前大家不明所以，今天给大家讲透彻，这个系数的本质就是增益分压电阻。
分压电阻大家都知道，简单解释如Pic2所示。
Pic2
Pic2中的右边的增益求解就是我们所有单极运放增益计算的精髓！
既然电阻可以分压，为什么电阻不能分增益呢？
以前我们对系数知之甚少，现在，我将给大家打开一扇新的大门。
既然本征增益是运放所能达到的最大增益，那我们计算实际增益的时候为什么不能用本征增益乘以一个增益分压电阻来得到实际增益呢？
我已经给大家准备好了武器，左手本征增益，右手增益分压电阻，下面大家随我一同前去浩瀚的单极运放世界，试一试新的武器！
三种运放再回顾：
A.共源极运放：
Pic2
两头最经典的共源极怪物带到，来看我们怎么打败他们！
左侧是最经典的单极共源极运放，我们先来把它打败;Pic3是第一头共源极怪物的打败方法，因为是共源极放大，所以在源极的最大增益为gmro；对于小信号来说，VDD可以看作是地，所以图从左边变成了中间，R1=R，R2=ro，那么这个时候在电阻R上的增益是多少呢？我们把系统从中间割断，然后地电位对地电位，嘿嘿，变成了最右边的图，整个R1和R2的增益为Av，那么留存在R1上的增益是多少呢？这就是增益分压电阻的原理，最终在R1上的增益就是gm*ro*R/(R+ro)，是不是和书上一模一样呢？有同学会问，既然中间那一张图，中间增益都是 AV，上边和下边又都是地，为什么R1上的增益和R2上的增益不一样呢？注意，在增益的世界里，没有零增益，所以地只能当作两个相同的电位，与增益其实没有关系，正因为如此，第二张图才能变成第三章图。
Pic3
好了，现在教会了大家方法，这第二个共源极怪兽相必大家都有心得了。
Pic4
恩恩，在Pic4中，从源极看到的本征增益仍是gmro，但是从源极往下的电阻变了，变成了gmroRs+ro+Rs,也就是R2，演变成中间的图，再演变成右边的图，那么最终RD上的增益显而易见，gmro*RD/(RD+gmroRs+ro+Rs)，有的同学问，怎么不和书上一样呢？书上P51中忽略了ro，你可以用P52的Gm*Rout得出一模一样的式子，这个Rout是RD||（gmroRs+ro+Rs）。好了，大家有没有发现，书上这么复杂的推算，我们只要这么简单的方法就能得出结论了，并且结论不是凑来的，而是通过物理方法推算出来的，这是很重要的共识。
B.共漏极运放：
共漏极运放同样可以用这个精美绝伦的方法！
Pic5
哦霍，在Pic5中，是一个标准的共漏极运放，那么回到我们本章节的最前面，共漏极运放的本征增益是1，所以从Vin到Vout的最大增益是1，然后从vout往上看是一个阻抗为1/gm的电阻R1，往下看是Rs，那么分配在Rs上的增益是什么呢？很明显，是1*Rs/(Rs+1/gm)，和书上是不是一样呢！（注意，所有内容忽视gmb，当然你不想忽视的话，R1就是1/(gmb+gm)，结果是一样的）
C.共栅极运放：
共栅极运放也当然是如此，我们来看看！
Pic6
非常典型的共栅极运放，还记得我们前面讲的共栅极运放的本征增益是什么吗？是(1+gmro)!那么我们从vout看到的最大增益就是共栅极的本征增益（1+gmro)啦！转换成中间的图，从vout网上看是RD，往下看是R2=gmroRs+ro+Rs,再转换成最右侧的电阻分增益，很明显啦，最终的增益是（1+gmro)*RD/(RD+gmroRs+ro+Rs)。简直和书上一模一样！
回顾过往，我们的理论（任何一个单级放大器的增益都可以用本征增益乘以一个系数来表示！！！！）都能完美契合三种基本的运放，那么共源共栅极运放呢？能否契合呢？
欢迎来到基础运放的最后一章！
Pic7
Pic7中的图是书上的经典图，共源极管子是M1管，共栅极管子是M2管，我们用我们的思维来计算这共源共栅极的增益吧！首先，看下面的管子，一个很明显的共源极管子，激动了，我们知道它的本征增益是gm1ro，(本题书中lamda=0，意思是ro趋于无穷大)欸，但是旁边怎么有一个Rp并联在ro上，那岂不是Rp把ro同化了，并联阻抗变小，这个本征增益岂不是gm1Rp，是的，我们可以把下管的本证增益看作是gmRp,如上图2所示。现在我们就可以愉快地玩耍了，从源极往上看地阻抗R2约为1/gm2，所以很轻松地转换成第三幅图。那么这个增益分压电阻的分母我们已经知道了，是Rp+R2，但是分子呢？分子不是R2吗？不，不是，我们最终要求的增益并不是在M1的源极，而是M2的漏极，这个增益是压在RD上的增益，我们可以查看第5副图和第6副图，所以最终增益分压电阻的分子式RD！最后写出公式
gm1*Rp*RD/(Rp+1/gm2)。
我们硬生生地将一个共源共栅极电路分解成了一个共源极电路来看待，这极大方便了我们的理解和计算！
共栅管除了能够增加输出阻抗外还有一个非常奇妙的特性，那就是能够起到隔离的作用，毕竟小信号不能从漏极传到源极（原因之前的文章里讲过），这个特性对于我们电流镜或者耐压管来说，非常重要。有时候电流镜的线比较长，还从高压传到低压，势必线上的阻抗和电容会影响到实际电流镜的输出，那么我们一般可以用高压管作为电流镜中的共栅管，第二种方法可以用高压管作为挡压管，也可以起到保护电流镜稳定的作用，具体在后面的电流镜章节中会讲到。
结尾，再重申一下我们对于增益的理解：任何一个单级放大器的增益都可以用本征增益乘以一个系数来表示！！！！
关于基础运放的内容将到此结束，本文重新总结了前面三篇基础运放的内容，并加以修正，形成了对模拟电路与拉扎维不一样的理解方向，希望大家在看书之余，也能多加思考。拉扎维课后习题，大家也可以用我的方法进行快速的计算。如有问题，可以在微信公众号芯路里面直接回复即可！感谢大家！
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参考文献：
1.模拟CMOS集成电路设计. [USA] Behzad Razavi
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