SPI _FLASH芯片W25Q16配置FATFS

一、SPI FLASH芯片能干啥有哪些种类

存放数据。SPI FLASH普遍比EEPROM大得多。所以容量SPI FLASH占优势。但是价格，EEPROM占优势.

1、IIC EEPROM------容量小，采用的是IIC通信协议；用于在掉电时，存系统配置参数，比如屏幕亮度等。常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等；

2、SPI NorFlash------容量略大，采用的是SPI 通信协议；用于存放程序和数据。程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作。常见到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是SPI NorFlash。

3、SPI NandFlash------采用了SPI NorFlash一样的SPI的通信协议，用于存储数据；在读写的速度上没什么区别，但在存储结构上却采用了与Parallel NandFlash相同的结构，所以SPI nand相对于SPI norFlash具有擦写的次数多，擦写速度快的优势。

4、eMMC Flash------eMMC采用统一的MMC标准接口，eMMC相当于NandFlash+主控IC；自身集成MMC Controller，存储单元与NandFlash相同。常见到的KLMAG8DEDD、THGBMAG8B4JBAIM、EMMC04G-S100等型号都是eMMC Flash。

5、SD卡------它在MMC的基础上发展而来，有两个可选的通信协议：SD模式和SPI模式。

二、W25Q16原理图及管脚

CS：CS为片选管脚，低电平有效。上电之后，在执行一条新的指令之前，必须让/CS管脚先有一个下降沿。 

DO（MISO）：DO为串行数据输出引脚，在CLK（串行时钟）管脚的下降沿输出数据。

WP：WP为写保护管脚，有效电平为低电平。高电平可读可写，低电平仅仅可读。

DI（MOSI）：DI为串行数据输入引脚，数据、地址和命令从DI引脚输入到芯片内部，在CLK（串行时钟）管脚的上升沿捕获捕获数据。

CLK（SLCK）：CLK为串行时钟引脚。SPI时钟引脚，为输入输出提供时钟脉冲。

HOLD：HOLD为保持管脚，低电平有效。当CS为低电平，并且把HOLD拉低时，数据输出管脚将保持高阻态，并且会忽略数据输入管脚和时钟管脚上的信号。把HOLD管脚拉高，器件恢复正常工作。

VCC:电源2.7V~3.6V。

GND：接地。

三、SPI FLASH的四种模式

1. 标准SPI

   标准SPI通常就称SPI，它是一种串行外设接口规范，有4根引脚信号：clk , cs, mosi, miso

2. Dual SPI

   这种模式只是针对SPI Flash而言，不是针对所有SPI外设。对于SPI
   Flash，全双工并不常用，因此扩展了mosi和miso的用法，让它们工作在半双工，用以加倍数据传输。也就是对于Dual SPI
   Flash，可以发送一个命令字节进入dual mode，这样mosi（Data Input）变成SIO0（serial io
   0），mosi（DataOutput）变成SIO1（serial io 1）,这样一个时钟周期内就能传输2个bit数据，加倍了数据传输。

3. Qual SPI

   与Dual SPI类似，也是针对SPI Flash，Qual SPI，Flash增加了两根I/O线（SIO2,SIO3），目的是一个时钟内传输4个bit。

所以对于SPI Flash，有标准spi flash，dual spi , qual spi 三种类型，分别对应3-wire, 4-wire, 6-wire，在相同clock下，线数越多，传输速率越高。

四、W25Qxx Flash芯片存储

1、存储大小
W25Q16的存储单位为Page页、Sector扇区、 Block块，其中

1Page页 == 256 Bytes
1Sector扇区 == 16 Pages页=4096B=4KB
1Block 块 == 16 Sector扇区=95536B=64KB

以W25Q16JV为例，16表示存储器容量为16M_bit。上图为W25Q16JV的框图，其他各型号容量参考见下表：

  W25Q80DV 容量为 8M-bit，16 Block，256 Sector，4096 Page
  W25Q16   容量为 16M-Bit，32 Block，512 Sector，8192 Page
  W25Q32   容量为 32M-Bit，64 Block，1024 Sector，16384 Page
  W25Q64   容量为 64M-Bit，128 Block，2048 Sector，32768 Page
  W25Q128  容量为 128M-Bit，256 Block，4096 Sector，65536 Page

2、存储特点
Flash芯片内的数据只能由1变0，不能由0变1（这也是往FLASH写入数据先看是否全1，如果不是先擦除的原因）。擦除大小最小为4K。在Flash中，是按照Page进行写数据的，Page（256字节）是写的最小单位，写的起始地址也必须永远是Page的倍数。
5.2 数据格式
数据格式为数据长度8位大小，先发高位，再发低位

五、W25Q16的SPI指令

通过SPI给FLASH发送特定的数据使得FLASH完成特定功能，这些数据即W25Q16的SPI指令，这些指令在W25Q16数据手册讲解很详细，比如你可以通过阅读数据手册编程实现FLASH读取数据的功能，但由于正点原子已经将这些指令封装成了一堆库函数，你只需要知道库函数的功能就可以了，所以指令不再细讲。详解见下面大佬链接：
大佬博客：SPI指令详解

六、W25Q16的实时数据存储

要文件系统[链接]，为啥？？，其实不用，我只是想学学，所以找了下面几个原因：
1、难以记录有效数据的位置
2、难以确定存储介质的剩余空间
3、不明确应以何种格式来解读数据

文件系统FATFS创建及移植步骤：官网下载 -> 配置ffconf.h文件相关功能 -> 打开 diskio.c，进行底层驱动编写（官网有辅助文档）-> f_mkfs函数格式化-> f_mount函数注册工作区域，参考野火的文件系统教程，很详细。

移植过程详细配置步骤：
1、ffconf.h文件配置：

FF_USE_MKFS		1
FF_USE_FASTSEEK	1
FF_USE_LABEL	1
FF_CODE_PAGE	437
FF_USE_LFN		1
FF_VOLUMES		1
FF_MIN_SS		512
FF_MAX_SS		4096

2、diskio.c编写，参考野火视频讲解。
3、main函数编写测试文件（主要的测试包括格式化测试、文件写入测试和文件读取测试三个部分，主要程序都在main.c文件中实现。），参考野火视频教程。

下面是FATFS移植参考链接：
超详细的FATFS移植教程：链接
W25Q16移植文件系统：链接
正点原子文件过于冗余：链接

经过一星期的学习，我实现了Flash上文件系统的读写操作，但这里使用SPI Flash芯片作为物理设备，并不像SD卡那么方便直接用读卡器就可以在电脑端打开验证。另外一个问题，就目前来说，在SPI Flash芯片上挂载FatFs好像没有实际意义，无法发挥文件系统功能，但至少学会如何移植了。

七、在FLASH中存储小数

FLASH是一个物理设备，他的存储原理与场效应管差不多，只能存储0或1，所以存储在其中的数据没有类型可言，只有把数据读出来之后存储的地方才决定了如何解读这些数据。
例： 现在将int型 a1=2，float型 b1=3.3，double型 c1=4.4存储到的FLASH中,存储长度与变量类型长度相同。然后再从FLASH中读取相应数据到：int型a2，float型b2，double型c2，之后你会发现a2=a1、b2=b1、c2=c1，为啥呢？
因为不管要往FLASH写入什么类型的数据，传输的都是数据在MCU的内存中存储的机器数，拿 float型举例，float A = 66.8 ; 66.8存储在MCU就是一个由 0、1 组成长度为 32 位的机器数（大概第一位表示符号位，中间几位表示指数位，后面表示数值位，具体参考链接），这个 32 位的机器数8位8位的发送存储到FLASH没改变排列顺序。如果你用一个 float 型变量读取 FLASH 中的 32 位数据，其实就是把 FLASH 中的 32 位数据8位8位的传输到了float型变量在MCU的内存中，所以这个变量 B 依然表示66.8 。