电子电路入门（[日]福田 务）笔记2——晶体管的工作原理

第一部分 电子电路初学者教室

三、晶体管的工作原理

提问1：电子设备中使用了大量的晶体管，那么晶体管的功能是什么呢？
回答：
  晶体管的功能很多，主要包括：放大功能和开关功能。
  放大功能：小电信号放大、增强。
  开关功能：控制某个电路中电流的流通和截止。

提问2：晶体管的内部结构是什么样的呢？
回答：
  将很小的晶体管拆开后，会露出一个很小的金属状物体（半导体芯片），从上引出三根电极线：发射极（E）、集电极（C）和基极（B）。
  而半导体芯片内部是由三层结构组成，可利用前面学过的p型和n型半导体的知识，制成n+p+n或p+n+p晶体管。
  注意：中间夹着的p型（或n型）区域很薄（为基极:B）【为什么做薄下问有解释】。
     晶体管符号中箭头端对应的为发射极，表示发射端的电流方向（可知流过npn型晶体管的发射极与流过pnp型晶体的发射极电流方向相反，即：记住箭头指向n区【电流流向负极n】可区分npn与pnp）。

提问3：npn型晶体管的工作过程，载流子是电子（pnp类似，注意空穴是载流子以及偏置电压方向）？
  已知：对pn结添加电压，即：正向电压（载流子活跃）：正极对着p区，负极对着n区，反向电压（载流子减少）：正极对着n区，负极对着p区。
回答：

  上图a中，在BC端添加反向电压，无电流通过。在EB端添加正向电压，形成电流。结合起来就是：在基极（B）和发射极（E）施加正向电压，使得发射区中电子流入基区，而流入基区的电子随后又向集电区移动（因为扩散现象[电子多，相当于浓度高向浓度低扩散]，当然还有部分会与空穴结合被复合掉）。又因在基极（B）和集电极（E）施加反向电压，加强对这些电子的吸引（因为反向电压载流子减少，浓度低，故浓度差会变大即加强吸引），最终形成流过集电极的电流，具体活动如下图所示：
  为减少扩散中部分电子与空穴的复合，使得电子数量减少，故在制作晶体管时降低了基区的杂质浓度和将基区的宽度做窄【对上问中B区做薄的解释】。
  综上所述：发射区施加正向电压$V_F$是为：将发射区电子辗转发送到集电区。集电极施加发现电压$V_R$是为：将发射区发射的电子吸引到集电区来（这么理解后，发现发射极和集电极的名字是不是很好理解）。
  为使晶体管工作而施加的固定电位称为偏置电压。

提问4：发射区与集电区将基区夹中间构成对称，是不是就不分方向呢？
回答：
  不是的，因为规定集电区和发射区掺入杂质浓度有区别，且集电区接触面比发射区接触面大些，故并不是说那部分作发射区或集电区都行。

提问5：端子间的阻抗比较？

回答：
  先记住，发射极与基极之间正偏电阻很小，发射极与基极之间反偏电阻很大，这样可得到很大的电压比。