残留硅相在反应烧结碳化硅中的影响

研究背景

陶瓷基复合材料是高温结构材料最有希望的候选者之一。SiC基复合材料因其低活化性而有望用于未来的聚变反应堆。反应烧结过程是形成致密基质而不收缩烧结的合适工艺，适用于大型和复杂形状零件的近净成形。

研究主旨

该研究探讨了反应烧结碳化硅（RS-SiC）复合材料中残留硅相的影响，这种材料由于其优良的高温性能和低活化特性，被看作是未来聚变反应堆的理想材料。通过改变原料组成比（C/SiC）和原始SiC颗粒尺寸，研究发现可以有效降低残留硅相的体积分数和尺寸，这将有助于改善材料的辐射响应和蠕变性能。

研究特点

由于其高温稳定性和低活化性，SiC/SiC复合材料被视为未来聚变反应堆结构材料的候选。典型的SiC/SiC复合材料制备工艺包括化学气相渗透（CVI）、前驱体浸渍和裂解（PIP）、热压（HP）、反应烧结（RS）及其混合工艺。反应烧结过程实现了大而复杂形状部件的全密度和近净成形能力。然而，在反应烧结过程中，残留的硅相保留在RS-SiC基体中，可能会影响辐射响应和蠕变行为。本文介绍了减少残留硅相的加工方法以及原料组成（C/SiC）和尺寸对最终材料中残留硅含量的影响。

文章出处 残留硅相在反应烧结碳化硅中的影响