开关电源EMI问题解决策略

开关电源作为现代电子设备中不可或缺的组成部分,其电磁干扰(EMI)问题一直是工程师们面临的重要挑战。

低频段EMI(1MHz以内)整改策略

在1MHz以内的频段,差模干扰占主导地位。针对这一特点,我们可以采取以下策略:

a) 增大X电容:在输入端增加X电容可以有效降低差模干扰。
b) 添加差模电感:在保险丝后添加差模电感或电阻,可以进一步抑制差模干扰。
c) 采用PI型滤波器:对于小功率电源,使用PI型滤波器可以有效处理低频EMI。注意靠近变压器的电解电容可选用较大容量。
d) 优化BULK电容:使用低ESR的电解电容,或在两个电解电容之间加一个差模电感,可以降低由BULK电容引起的差模干扰。

中频段EMI(1MHz-5MHz)整改策略

在这个频段,差模和共模干扰共同起作用。针对性的整改策略包括:

a) 调整X电容和差模电感:针对差模干扰,可以调整X电容量和差模电感量。
b) 添加共模电感:针对共模干扰,可以添加合适电感量的共模电感。
c) 优化变压器绕制:将所有同名端放在一边,可降低1.0MHz-5.0MHz传导干扰。
d) 调整Y电容:适当增大Y电容,可降低传导中段1MHz-5MHz干扰。

高频段EMI(5MHz-30MHz)整改策略

在这个频段,共模干扰占主导地位。主要的整改策略包括:

a) 磁环处理:在地线上用磁环串绕2-3圈,对10MHz以上干扰有较大的衰减作用。
b) 变压器屏蔽:在变压器铁芯上粘贴闭环铜箔,可有效降低辐射。
c) 优化变压器绕制:在变压器初级绕组上并绕一个屏蔽绕组,一端接电源端,另一端通过电容接地。
d) 调整共模电感:可将共模电感改为一边匝数比另一边多一匝,增加其差模作用。

超高频段EMI(30MHz以上)整改策略

30MHz以上的EMI主要是由MOS管高速开通关断和输出整流管反向恢复电流引起的。整改策略包括:

a) 优化MOS管驱动:增大MOS驱动电阻,可降低开关瞬态。
b) 调整缓冲电路:RCD缓冲电路采用1N4007等慢恢复二极管。
c) 添加吸收电路:在MOSFET的D-S脚并联小吸收电路。
d) 优化PCB布局:确保大电解电容、变压器、MOS构成的电路环尽可能小。

通用EMI整改技巧

除了针对特定频段的策略,还有一些通用的EMI整改技巧:

a) 屏蔽技术:使用铜箔或金属屏蔽罩对关键元件进行屏蔽。
b) 接地优化:确保接地点合理,地线走线顺畅,避免不同地线交错。
c) 元件选择:选用低ESR电容、快速恢复二极管等可以降低EMI。
d) PCB布局优化:合理安排元件位置,缩短关键信号路径。

解决开关电源的EMI问题需要全面的思考和系统的方法。通过对不同频段EMI特性的分析和针对性的整改策略,我们可以有效降低EMI,使电源通过相关标准测试。然而,EMI问题的解决往往需要反复试验和优化。工程师们应该根据实际情况,灵活运用这些策略,找到最佳的解决方案。同时,在电源设计初期就考虑EMI问题,可以大大减少后期整改的工作量。