SPI Flash替代料引发EMI超标

在电子设备的EMC设计过程中，常见的误区是：工程师们往往过度聚焦在高频开关器件、供电模块等“明显”的干扰源上，却忽视了诸如SPI Flash这类低功耗、低速器件在特定条件下也可能成为辐射发射（RE）超标的“隐形杀手”。

一、问题现象：128MHz频点RE超标

在对一款三星电子制造的显示器产品进行10米法RE测试时，测试结果显示128MHz频点辐射余量不足，未能满足6dB的企业管控标准。

排查初步信息：
更换输入源、测试设备、线缆后结果无变化。

拔除整机所有连接线缆，对测试无影响。

现场环境、线缆耦合路径被基本排除。

问题可重复出现，疑似电路板自身干扰源。

通过上述现象可初步判断，干扰源为机内电路本身发出，而非外部耦合或环境因素所致。

二、干扰定位：SPI Flash时钟4倍频谐波

使用频谱分析仪和近场探头对驱动电路板进行扫描，干扰集中在128MHz频点，刚好是SPI Flash 32MHz时钟的四倍频成分。

尝试措施如下：

修改SPI时钟滤波器件 → 无改善；

降低SPI时钟幅度 → 效果不显著；

降频至24MHz → 发射满足要求，但系统响应变慢，用户无法接