NP2N10MR NP102 2A/100V耐压N沟道增强型场效应管

Description
The NP2N10MR uses advanced trench technology
to provide excellent R DS(ON), low gate charge and high
density cell Design for ultra low on-resistance. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.

General Features
VDS =100V，ID=2A
RDS(ON) (Typ.)=220mΩ @V GS=10V
RDS(ON) (Typ.)=240mΩ @V GS=4.5V
High power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface mount package

Application
PWM applications
Load switch

Package
SOT-23-3L