3纳米尖端芯片对决：联发科CT-X1与高通Cockpit Elite、8 Elite和X Elite技术深度解析

1. 制程工艺与晶体管密度

• 联发科CT-X1、高通Cockpit Elite 和 高通8 Elite 均采用3纳米制程，而 高通X Elite for PC 使用了4纳米工艺。3纳米制程在台积电的N3工艺下，不仅进一步缩小了晶体管尺寸，还显著提高了单位面积的晶体管密度，从而带来了更高的性能和更低的功耗。
• 3纳米制程能将功耗相比5纳米降低20-30%，同等功耗下性能提高10-15%。这意味着在移动和车载应用中，3纳米可以实现极致能效，对高频多核处理和密集型AI计算场景尤为适合。
• 高通X Elite for PC的4纳米工艺虽然略逊于3纳米，但仍在晶体管规模和性能/功耗比上大幅领先于此前的7纳米和5纳米节点，适合桌面级和高性能便携式PC。4纳米制程允许其核心主频达到3.8GHz至4.3GHz这一高水平，而不至于出现过度发热问题，这对PC级的多任务和高负载工作负载至关重要。

2. CPU架构与核心设计

• 联发科CT-X1 采用1个大核（Cortex-X9 @ 2.5GHz），3个中核（Cortex-X4 @ 2.0GHz），和4个小核（Cortex-A720 @