存储器芯片及存储器的分类、区别基础回顾，一篇文章说清楚。

---

前言

最近项目开发，需要在嵌入式板卡上进行大量数据存储，因此回顾梳理下关于数据存储的基础知识，方便后续制定合理的解决方案。
主要梳理内容如下：存储芯片的类型、原理、发展过程、目前主流手段等，主流存储器的类型、依据原理等。
不足之处，欢迎大家留言、指正。

---

一、存储介质分类

两大类：易失性存储器、非易失性存储器

标准在于, 断电之后芯片是否还能保存原来的数据, 直白说就是, 易失就是断电之后数据就会丢失, 不易失就是芯片掉电之后数据还能保存。
既然, 都有非易失存储器了, 那我们还要易失存储器干嘛?有句话说的好 : " 存在即合理. "
相对于非易失存储器, 易失存储器的存取速度快, 可以即拿即用, 而非易失存储器, 只能作为易失的数据仓库使用了。

（一）易失存储器

1. RAM

RAM(Random Access Memory)，随机存取存储器，也叫随机访问存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
RAM分类，一个是SRAM（Static Random Access Memory） 静态的随机访问存储器，一个是DRAM（Dynamic Random Access Memory）动态的随机访问存储器。

通常静态的RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）更快，但也贵很多。

1.1 SRAM

SRAM（Static Random Access Memory） 静态随机访问存储器.
利用双稳态电路进行存储,即使有干扰对稳态电路也没影响，所以有双稳态性。
“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就可以一直保存。加电情况下，不需要一直刷新，数据不会丢失，SRAM 的存储单元以锁存器来存储数据，电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态。

1.2 DRAM

DRAM（Dynamic Random Access Memory）动态的随机访问存储器。
使用电容来存储数据，电容会逐渐漏电，因此需要定期刷新以保持数据的正确性。

主要的作用原理，是利用电容中存储电荷的多少来判断，是二进制中的0还是1。但是由于电荷会有漏电的现象，导致数据的失真，所以需要不断给电容周期性的充电，否则无法长期保持记忆。
DRAM的另外一个特性就是，读取DRAM的电平，会导致单元行的电容的快速漏电，也就是说我们当前的读取会使下次读取不出正确的数据，所以一般对