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RSS订阅原创 TMR 传感器的原理及应用
TMR磁力传感器的原理及应用 穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance, TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。 Crocus TMR传感器架构 阻值随磁场的方向及强度变化。 TMR传感器适合于作为短距离非接触式位置确认； 适用于各种IOT设备 智能锁 物联网锁 门磁 液位传感器 燃气表/水表...
2018-10-30 00:57:07
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空空如也
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