TMR磁力传感器的原理及应用
穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance, TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中,其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。
Crocus TMR传感器架构
阻值随磁场的方向及强度变化。
TMR传感器适合于作为短距离非接触式位置确认;
适用于各种IOT设备
- 智能锁
- 物联网锁
- 门磁
- 液位传感器
- 燃气表/水表
- 手机
- 家电等
优势:
- 体积小 SOT23-3封装
- 功耗超低 平局功耗为200nA
- 灵敏度高 0.9mT感知
- 可靠性高
典型料号
- CT832BV-HS3
- CT832SK-HS3
应用图例
Phil Fu
QQ: 34303880
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