TMR 传感器的原理及应用

TMR磁力传感器的原理及应用

穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance, TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中,其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。

Crocus TMR传感器架构
阻值
阻值随磁场的方向及强度变化。

TMR传感器适合于作为短距离非接触式位置确认;

适用于各种IOT设备

  • 智能锁
  • 物联网锁
  • 门磁
  • 液位传感器
  • 燃气表/水表
  • 手机
  • 家电等

优势:

  • 体积小 SOT23-3封装
  • 功耗超低 平局功耗为200nA
  • 灵敏度高 0.9mT感知
  • 可靠性高

典型料号

  • CT832BV-HS3
  • CT832SK-HS3

应用图例

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