个人电容篇

电容的基本定义：两块不联通的导体以及中间的不导通材料

公式C=s/d     影响电容量大小的直观因素

电容种类的分析方法：f，v，c，i

V=Q/C     电荷量，电压，电容的关系

W=1/2*CV²     W=PT=UIT    能量公式

电容基本特性：********电容电压不能突变******

电容电压需要改变的条件：充放电时间T     

影响电容电压变化的参数：“整个回路”中的电阻，电容大小

电容电塔变化时间计算公式：Vt=Vo+（V1-V0）*[1-E(-1/RC次方)]

充放电电容时间评估，T=RC      1T=0.63        5T=100%

P-MOS驱动，电容耦合，加速开关速度，使开关速率可控

储能电容选取：C=T/(V1/I)*LN(V1/V0)

V1是实际电压     T电源响应时间（要考虑各个器件响应时间，若不确定可暂时取100us）

I是实际工作电流     V0最低工作电压     C为容量大小

RC滤波电路公式：ft=1/2πRC

低通：模型--电容接地       小于ft可通过     

高通：--------电阻接地       高于ft可通过

电容应用：储能，滤波，平滑电路中的电压波动，隔离，

寄生电容：根据电路频率选择合适的器件

多谐振荡电路

假设LED1先亮，那么Q1打开，Q1的Vbe大于0.7v，C1开始充电，当C1达到0.7v时，Q2导通，C2电容右侧突然由12v变为0.3v，11.7v压差，左侧变为-12.4v，此时q1关闭，c2开始缓慢充电，led1灭，led2亮，c1停止充电

如何选择合适电容：滤波（稳定性），储能（C,V,ESR,ESL,温度T，）

储能电容选取：C{C=T/(V1/I)*LN(V1/V0)},V{实际耐压的1.2到1.5倍}，T{铝电解避免长时间高温建议用固态高温情况下}，ESR{最大输出电流，损耗}，ESL{瞬态电流}