共发射极放大电路设计

求各部分的直流电位

下图为直流电路。

求基极的直流电位：V_B=(R1·VCC）/ (R1+R2) （V）
发射极的直流电位：V_E=(V_B-V_BE)（V） (V_BE为基极-发射极电压设为=0.6V）
发射极上流动的直流电流：I_E=V_E/R_E=V_B-0.6 / R_E (A)
集电极的直流电位（是减去负载电阻R_C得到的值）：V_C=VCC-I_C·R_C（V）
因为基极的电流很小，所以可以看成I_C=I_E，得V_C=VCC-I_E·R_C（V）
求得的结果在电路上的表示如下图：

求交流电压放大倍数

因为晶体管是导通的，所以加在基极端子的交流电位直接出现在发射极，因此由交流电压V_i引起的交流变化部为i_e为：
i_e=V_i/R_E（A）
令集电极电流的交流变化的部分为i_c（这里同样假设i_e=i_c），则电阻R_C的交流电平为：
v_Rc=i_c·R_C =V_i ·R_C/ R_E （V）
同时因为滤波电容C₂将直流成分截掉了，所以交流输出信号V_O=V_RC。
因此该电路的交流放大倍数为：
A_v=V_o/V_i = R_C/R_E
由公式可以看出A_V与晶体管的直流电流放大系数h_FE无关，而是由R_C和R_E之比决定。（因为基极电流很小，几乎为0，所以认为与h_FE无关）
R_E可以认为是负反馈电阻，R_E 增大A_V减小。

电路设计

设计要求：设计一个共发射极放大电路，其中电压增益4（12dB）倍，最大输出电压 4V_P-P，频率特性，输入输出阻抗任意。

1、确定电源电压

结合放大倍数，最大输出电压，以及要确保加在R_E 上的电压为1-2V（因为V_BE为0.6V，晶体管有温度特性，V_BE变化，集电极电压V_CE和V_E也会跟着变化，吸收变化），则VCC为5-6Vπ，因此取VCC=15V（10V的话无法满足最大输出电压）。

2、选择晶体管

晶体管按用途大致可以分为低频（2SB****，2SD*****）和高频（2SA****，2SC****），进一步可以分为大功率和小功率。在追求性能时需慎重选择。
这里选择2SC2873。

3、确定发射极电流的工作点

应该选择晶体管工作在频率特性最好时的I_E， 这里设I_E=1.5mA。
小信号共发射极放大电路的发射极电流一般在0.1mA到数毫安之间。

4、确定R_C和R_E

由A_V=R_C/R_E=4:1，且设V_RE=1.5V，由I_E=1.5mA，得R_E=1KΩ，R_C=4KΩ。（因为基极电流很小所以忽略不计）
V_CE=VCC-I_E·（R_C+R_E）=15-10=7.5V
晶体管损耗P_C（集电极与发射极间发生的损耗，变为热量）
P_C=V_CE·I_C=7.5V·1.5mA=11.25mW
注意：如果R_C 的值太大，则在R_C本身的压降变大，集电极电位下降，在输出振幅大时，集电极电位靠近发射极电位，削去输出波形的下侧。
相反如果R_C 的值过小，集电极电位靠近电源电位，削去输出波形的上侧。
解决这个问题，最好就是将集电极电位V_C 设定在VCC与V_E的中点。（调整V_E和I_C的值）

5、基极偏置电路的设计

该电路中V_RE=V_E=2V，且V_BE=0.6V，所以基极电位V_B=2.6V。
V_B 是由R₁和R₂ 对电源电压进行分压之后的电位，所以设V_R2=2.6V，则V_R1=20-2.6=17.4V。
基极电流I_b 为集电极电流的1/h_FE，设h_FE=200，则I_b=0.01mA。
所以必须在R₁和R₂上流过比基极大得多的电流，使基极电流能够忽略（一般取10倍以上），这里I_1·2=0.2mA。
则R₁=V_R1/I_1·2=17.4V / 0.2mA=87KΩ,
R₂=V_R2/I_1·2=2.6V / 0.2mA=13KΩ,
(取标称值)

6、确定耦合电容C₁C₂

C₁与输入阻抗，C₂与连接在输出端的负载电阻分别组成高通滤波器。（通高频阻低频，C的值越小通过低频的能力越差，频率特性下降，f_C=1/2πC·R）
f_C=1/2πC·R=1/2π·10uF·11.3KΩ=0.8HZ
这里取10uF。

7、确定电源去耦电容C₃C₄

C₃和C₄是电源的去耦电容——即降低电源对GND的交流阻抗用的电容（称为旁路电容）。
电容的阻抗为（1/2π·f·C），频率越高阻抗越小，但是是有范围的如下图，小容量的电容器（0.01uF-0.1uF）在高频率处，大容量的电容器（1uF-100uF）在低频率处，电容阻抗最低。
这里采用C₃=0.1uF，C₄=10uF的电容器。（可以有很宽的频率范围）

Multisim仿真

仿真结果如下图，数据有点误差，但是在允许范围。

A_V=3.848/1=3.8(11.5dB)
输入输出波形图

放大电路的性能

1、输入阻抗

下图表示测量输入阻抗的方法，认为加在电路上的输入电压V_i是信号电压V_S用R_S与Z_i（输入阻抗）分压后得到的

如下图所示当R_S=11KΩ时，V_i波形为V_S波形的一半所以输入阻抗Z_i=R₁//R₂=11KΩ
。

2、输出阻抗

下图表示输出阻抗的测量方法，认为输出信号V_o为输出阻抗Z_o和负载电阻R_L分压得到的。

当R_L=4KΩ时，V_o减小为原来（不接负载时）的一半，所以Z_i=R_C=4KΩ，即输出阻抗为R_C的值。

3、频率特性

该电路的频率特性如下图所示，低频截止频率 f_cl=1/2π·C·R（是输入侧高通滤波器的值，没有接负载情况下，有的话取较大那一个），高频截止频率与晶体管，封装，以及密勒效应有关。

4、提高放大倍数

有了上述放大电路，想稍微提高放大倍数时，如果随意改变R_C和R_E的值，则连偏置也变了，从而导致最大输出振幅改变，出现输出波形失真。
可以采用如下方法，在不改变直流电位的情况下提高交流增益。

举例一种：将R_E分为R_e1和R_e2，并在R_e2上并联一个电容，这样电路的直流电位不变，放大倍数A_V=R_C/R_e1=4/0.1=40(32dB)
如下图

5、总谐波失真

失真率与放大倍数成正比。

完！