浅析N沟道增强型MOS管双向低频开关电路

本文介绍了N沟道增强型MOS管实现的双向电平转换电路,适用于低频信号的转换。电路利用MOS管的导通和截止状态,实现了3.3V至5.0V之间的电平转换,并具有低压降、双向导通及价格低廉的优点。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 

  【电路】MOS管-N场效应管双向电平转换电路--适用于低频信号电平转换的简单应用

  如上图所示,是MOS管-N场效应管双向电平转换电路。

        

  双向传输原理:

  为了方便讲述,定义3.3V为A端,5.0V为B端。

  A端输出低电平时(0V),MOS管导通,B端输出是低电平(0V)

  A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)

  A端输出高阻时(OC),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)

        

  B端输出低电平时(0V),MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输出是低电平(0V)

  B端输出高电平时(5V),MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)

  B端输出高阻时(OC),MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)

        

  优点:

  1、适用于低频信号电平转换,价格低廉。

  2、导通后,压降比三极管小。

  3、正反向双向导通,相当于机械开关。

  4、电压型驱动,当然也需要一定的驱动电流,而且有的应用也许比三极管大。

         

  

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