相信很多人都不小心被静电电过吧,那种滋味可不好受。说起这静电吧,它也是调皮的,心情不好的时候除了电电我们,其他东西也殃及其中,那今天我们来讲讲静电是怎样把MOS管击穿的。
MOS管被静电击穿有两种方式:
一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。
MOS管的质量不好才会被静电击穿吗?其实并不是的,MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
第二,MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。