SiC 材料及器件在高频大功率领域的应用现状

        SiC 存在很多类型，而在微波领域的应用中，4H、6H、3C 型SiC 有着更明显的优势。与典型的微波功率半导体材料GaAs 相比，SiC 材料具有宽禁带、高击穿电场（大约10 倍于GaAs ）、高载流子饱和漂移速率（在高场下大约2 倍于GaAs）、高热导率（大约10 倍于GaAs ）等等许多优点。随着SiC 材料制造工艺的不断改进和制造成本的下降，在高温、大功率、高频、光电子、抗辐照等领域有广阔的应用前景。4H-SiC 和6H-SiC 材料广泛应用于射频功率器件中，而3C-SiC，虽然具有较高的电子迁移率，但由于衬底质量较差，因此，较适合于异质外延结构，且它的禁带宽度低于4H 和6H 型SiC ，所以在大功率的微波射频领域中的应用远不及4H 和6H 型SiC 的优点突出。与6H-SiC 相比，4H-SiC 具有较宽的禁带、较高的电子迁移率、较低的各向异性、较低的施主离化能，因此，在射频微波功率器件制造领域4H-SiC 更具竞争力。

        限制 SiC MESFET 商用化速度的因素主要是衬底质量与价格。

衬底是SiC 应用的最大瓶颈

        虽然微管缺陷已大有改善，但与Si GaAs 相比，衬底质量仍有待提高，且高质衬底其价格不菲，以2’’直径研究级中低缺陷密度的4H-SiC 基片为例，Cree 对导通型半绝缘型和高阻型三种衬底的报价分别为$1000~$2500、$4500 、$5600 ，且生长外延层报价约为$1000/layer ，这样昂贵的造价对商用化构成了巨大的障碍。而且，价格相对较低的SiC 衬底大都为低阻，对器件结构造成了一定的困难，同时，也是造成频率漂移，漏导、跨导偏移的主要因素。近年来，特别是4H 型半绝缘型SiC 衬底受到了广泛的关注，基于此种材料的MESFET 在频率和功率性能上有较大的改善，但其价格较高。高阻型和绝缘型衬底目前仅限于研究阶段，其中高阻型衬底亦有研究级产品出现。

当前阶段 SiC MESFET 存在的主要缺点

1 到目前为止，多栅指大周边的SiC MESFET 的输出功率密度仍远低于期望值（4W/mm ），徘徊在2W/mm 左右，而单双栅指简单结构的MESFET 可达到较高的功率密度，虽然曾有文献给出超过4W/mm 功率密度的实际器件指标，但仅处于研究阶段。

因此，如何提高功率密度仍是人们研究的一个焦点。

        对这种低功率密度现象较为合理的解释是：在高压和大电流的情况下隔离层界面和衬底的陷阱效应（trapping effect） 增强，致使漏电阻明显下降，从而导致功率密度下降。因此，可预见，随SiC 材料工艺的不断完善，器件的功率密度亦会有大幅度提高。

2 作为高频应用的SiC MESFET ，其响应频率是令人关注的一个重要指标。

遗憾的是，这种在大功率、高温领域很有潜力的器件在微波高端和毫米波段中的应用不及Ⅲ-Ⅴ族器件。

        资料显示，对于4H-SiC MESFET ，简单的单栅指或双栅指结构，其fT 较高，可达14GHz，而多栅指的实际器件结构中由于寄生参数的影响，其fT 一般在7~8GHz 左右，其实际应用频段一般为1~3GHz的射频波段。因此，在微波高端，除了GaAs InP 材料外，由宽带隙Ⅲ-N 族材料制成的HEMT器件（AlGaN/GaN 等）将占据主要地位，非常高的沟道载流子迁移率使它们能够提供比SiC MESFET 高的多的漏电流、跨导和fT。 因而，Ⅲ-N 族HEMT将是继GaAs InP 之后，在微波毫米波段最具潜力的器件。但是，以目前的研究水平，它们也受到了一些因素的影响： 如目前仍未有大功率器件的报道这与其很低的热导率有关；陷阱效应非常明显，这与材料的光敏感有关；毒性非常大的材料制备仍是需要解决的问题等等。

SiC MESFET 制造工艺的可行性

        SiC 与Si 工艺大部分是兼容的，一般利用Si 工艺线进行SiC 器件的制造。

而针对MESFET 结构的器件，虽然SiC MESFET 的工艺流程与GaAs FET 有相似的地方，但是，由于材料的差异，因此，在具体工艺环节实施过程中有很大的不同。

        SiC MESFET 的工艺具有更大的难度，对于SiC MESFET ，器件隔离、凹陷栅区的干法刻蚀（刻蚀速率刻蚀表面的氧化消除损伤等）、栅金属Ti/Pt/Au 的淀积及细栅条（0.4~0.7 微米）的形成、离子注入的高温退火、欧姆接触（Ni 或Ni/Cr 合金）区的形成等等，都存在相当的技术难度。但SiC MESFET 工艺中也可以简化某些环节，如衬底减薄工艺可省略，这是因为其材料热导率很高，在厚衬底上的管芯也不会有太大的散热问题。源极通孔工艺也不像在GaAsFET 工艺中那样重要，这是因为SiC MESFET 的工作频率处在1-3GHz 的射频段，较低的频率使源极布线的耦合影响较弱，器件设计中只需适当考虑源极图形并采用键合引线即可。另外SiC 小周边MESFET 能够输出很大的功率，通常其2mm 总栅宽器件的输出功率相当于十几到二十几毫米栅宽的GaAsFET 输出的功率，因此SiC MESFET 的器件周边尺寸很小，版图设计中的信号衰减及相位差考虑显然比GaAsFET 要简单得多，这同时也提高了器件的输出阻抗，对电路匹配设计有利。

        近几年，在碳化硅及相关材料国际年会上，大量有关器件工艺的研究论文发表，这表明SiC MESFET 工艺在不断摸索和改进将会逐渐形成实用的技术。