实际二极管的伏安特性曲线
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实际二极管伏安特性曲线
Si的死区电压为0.5V,Se锗的死区是0.7
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死区电压
对于这个曲线有个描述的公式 不需要记
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参数方程
在仿真中,我们发现当二极管的反向电压极大时,反向电流也会不断上升,这就是二极管的反向击穿
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Tina仿真
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反向击穿部分
怎么求解含二极管的电路的电信号呢?
1.解析法:
用参数方程和电路方程带进去算,梯度下降都可以,计算机中用,我们计算题不介绍
2.图解分析法:
局限明显,要画图,而且只能用于1个二极管的电路,也是计算机中用的方法,计算题不介绍。
那么我们到底到底用什么方法来计算呢?我们要介绍小信号模型。
3.小信号模型
二极管相当于1艘小船 电路相当于水 二极管导通就像从水的一岸流向另一岸去 我们通过外加合适的直流信号 提升水位 让小船可以平稳的到达河对岸 导通 即:到达二极管的Q点
外加直流 让二极管到达Q点 然后加上外部传感器微弱的交流小信号 那么信号就可以传递了
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此时电流随着交流而发生微小变化
此时电流随着交流而发生微小变化,我们直接把曲线看成线性,这就是直流偏置技术。
正常的情况下,二极管被击穿后是不能用的,但是有一种二极管专门用的就是它的击穿,就是齐纳二极管(稳压二极管)
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齐纳二极管
齐纳二极管的建模和折现模型相似 有电压有电阻
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齐纳二极管建模
这个电阻rz刚开始很小,被击穿后会急剧增大,分很多压
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曲线
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使用条件