二极管基础及等效电路分析_二极管等效电路-CSDN博客

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二极管的组成

点接触：结面积小，结允许电流小，结电容小，最高工作频率高

面接触性：结面积大，结允许电流大，结电容大，最高工作频率低

平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大
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二极管的伏安特性

二极管的电流与其端电压的关系 i=f (u)称为伏安特性。是一种非线性关系。
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工作区域划分

当外加正向电压很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小几乎为零。这一区域称之为死区。

外加正向电压超过死区电压时，内电场大大削弱，正向电流迅速增长，二极管进入正向导通区。电压再继续增加时，电流迅速增大，而二极管端电压却几乎不变，此时二极管端电压称为导通压降。

在二极管两端加反向电压时，将有很小的、由少子漂移运动形成的反向饱和电流（Is）通过二极管。

材料	反向饱和电流
硅Si	1µA以下
锗Ge	几十µA

★随温度的上升增长很快
★在反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定

外加反向电压超过反向击穿电压UBR时，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，进入反向击穿区。
★电击穿（可逆）
雪崩击穿（掺杂浓度低）
齐纳击穿（掺杂浓度高）
★热击穿（不可逆）

二极管的电流方程

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伏安特性受温度的影响

温度升高，载流子速度加快，在电压不变的情况下，电流增大，正向特性左移；反向饱和电流增大，反向特性下移。

二极管动态电阻和静态电阻

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二极管的主要参数

最大整流电流 I_F
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
最高反向工作电压U_R
是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是U_BR的一半或三分之二。

反向电流I_R
指二极管加规定工作电压时的反向电流。
最高工作频率f_M
主要决定于PN结的结电容的大小。若二极管的工作频率超过该值，则二极管的单向导电性能将变得较差。

二极管选择的原则

★ 要求导通压降较小时选锗管，要求反向电流小时选硅管。
★ 要求工作电流大时选面接触型，要求工作频率高时选点接触型。
★ 要求反向击穿电压高时选硅管。
★ 要求温度特性好时选硅管。

二极管电路分析

静态：放大电路没有输入信号时，电路中各点的电流和电压是直流信号，称为直流工作状态或静止工作状态，简称静态。
动态：放大电路有输入信号时，电路中的电压和电流随交流信号而变化，称为动态。

重要理念：先静态后动态

符号规定电路中各处的往往由直流量和交流量叠加而成

I_B 直流分量（符号大写、下标大写）

i_b 交流分量瞬时值（符号小写、下标小写）
i_B 电流的总瞬时值（符号小写、下标大写）

I_b 交流有效值（符号大写、下标小写）
I_bm 交流幅值

二极管电路图解分析方法

图解分析是利用器件的伏安特性曲线和外电路的特性曲线，通过作图的方法求解电路问题。

步骤：
（1）静态分析。假设交流信号为0，得到直流通路。结合外电路的特性曲线，得到静态工作点Q（I_D，V_D）。
（2）动态分析。直流电源置0，得到交流通路。在静态工作点基础上，进行小信号分析。
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优点：直观，帮助理解电路参数对性能的影响；
缺点：有作图误差，某些参数无法求取；
前提：已知器件的实际伏安特性曲线。