EEPROM和FLASH的“爱恨纠葛”

存储器整体分成两大类：ram和rom,本文主要介绍下rom。

最初的rom不能编程，出厂时写入什么则是什么后期无法更改。第二阶段出现prom，但是只能写一次，生死由命。第三阶段出现了eprom，可以多次擦写。但是每次擦除要用紫外线照射。直到目前大家所熟知的eeprom出现，允许电擦除。

传统eeprom

可以随机访问和修改任何一个字节，允许开发人员往每个bit中写入0或者1，缺点:容量一般在几十~几百字节，很少有超过512K的，典型芯片24Cxx系列。

广义eeprom

flash从广义(电擦除的角度)上讲可以认为属于eeprom,但是其擦除不再以字节为单位，而是以块为单位。容量到达M级别的一般都是flash,常见的如W25Qxx系列。

flash又分为nor flash、nand flash 

nor flash特点：数据线和地址线分开，实现ram一样的随机寻址，擦除按照块为单位，但是读取的最小单位为字节。W25Qxx属于spi flash，严格的讲spi只是一种总线接口，其属于nor flash范畴。

nand flash特点：数据线和地址线复用，不能随机寻址，擦除按照块来擦除，但是读取只能按页来。由于数据线和地址线复用因此读取速度上会比nor flash慢一些，写入速度会比n

or flash速度快不少，大容量的flash基本上是nand flash。

另外nand flash的擦除次数是nor flash的数倍，而nand flash可以标记坏块，从而软件跳过坏块即可。而nor flash则坏了就报废。