芯片制造工艺

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1.集成电路芯片的原材料

硅是集成电路芯片的原材料，硅的主要来源是沙子，相对其它材料，沙子这种材料的开采及成本都十分低廉

沙子中的主要成分是二氧化硅，往二氧化硅里加入碳进行高温提炼，二者结合发生氧化反应，二氧化硅逐渐提炼成高纯度硅晶体

为什么硅是集成电路芯片的原材料呢?

因为其导电能力介于导体与绝缘体之间，因此受到半导体领域的极大欢迎。

2.芯片的制造工艺

（1）纯化

其实是对材料进行深度提炼，提炼出高纯度的硅元素，方法就是氧化还原，即通过辅助材料和高温进行提炼，通过这种方法，这只能得到98%以上纯度的金属硅，因此需要西门子制程进一步进行纯化，才能获得制造所需的高纯度多晶硅，通过这样的冶炼可以得到高纯度99.9999999(9N)和低纯度99.9999%(6N)的多晶硅，其中高纯度是用来制作IC等精密电路IC，俗称半导体等级多晶硅，低纯度则是用来制作太阳能电池，俗称太阳能等级多晶硅。

（2）拉晶

纯化后还需要进行塑形，形成下阶段所需要的形状，这样的过程称之为拉晶

拉晶工艺：

将高纯度多晶硅放入密封坩埚中，用氩气将空气排空后，将多晶硅加热至1420度融化，形成液态的硅，之后再以长条单晶的硅种和液体表面接触，一边旋转，一边缓慢地向上拉起形成圆柱体状的硅棒，这就是拉晶工艺。

对于企业来说，硅棒越大，其可制作的芯片越多，其成本就越低。硅棒的大小与拉晶的工艺相关，在拉晶过程中，对于越大的硅棒，对其温度及旋转速度的控制要越好，因此，能生产出越大尺寸的硅棒，其企业的工艺就越高。

（3）切割

一整条的硅棒是没办法整成小小的芯片的，这就需要对其进行切割，以钻石刀将硅棒横向切成薄薄的圆片，圆片后期再经由抛光便可形成制造所需的基板，而切割抛光之后的圆片就是硅晶圆

（4）涂层

⾸先再硅晶圆上涂上⼀层欲使用的金属材料，形成⼀层金属薄膜

（5）显影

光罩就如同设计图纸，涵盖了完整的电路布局，制造中大部分工序，都是需要依照光罩进行。

我们还需要再硅晶圆表面上涂抹一层光阻（光刻胶），这个时候要在黄光下进行，避免其它颜色的灯光所含有的紫外线破坏了光阻。

经过光罩及紫外光的配合后，紫外线将通过光罩镂空的地方照射到光阻层，并将其破坏，而被光罩遮盖未被破坏的光阻就形成了一层所需要的电路布线结构，这就叫做显影。

（6）蚀刻

形成电路布线结构的光阻并不是我们所需要的材料，我们需要的是底下那层未被破坏的金属薄膜材料，这就需要对其进行蚀刻。

利用等离子体技术，蚀刻掉未被光阻遮盖的地方，剩下的薄膜结构就是我们所需要的电路布线结构

（7）去掉光阻

下面的金属薄膜已经形成所需要的电路结构，那么就需要去除上面这一层不需要的光阻，留下金属薄膜

通过氧等离子体对光刻胶进行灰化处理，去除所有光刻胶，并对其表面进行冲洗，去除掉多余的杂质，最终得到我们所需要的布满电路的金属薄膜

（8）封测

所谓封测其实就是将芯片等部件固定在基板上，进行灌封固定，保护芯片免受周围环境的影响，以使具有稳定、正常的功能

（9）探针

通过连接硅晶圆上芯片的连接点输入电气，通过检测，测试出芯片是否合格，并对不合格的芯片进行标记，避免后期增加成本。

（10）切片

一张硅晶圆是可以制作成1000个指甲盖大小的芯片的，我们还需要对其进行切割并逐个取出

切割时，我们通常会遇到一些问题，常见的问题有：

散落

碎裂

为避免切割时造成的一些问题，我们需要在硅晶圆贴上一层蓝膜，使得芯片在切割后不易散落，同时利用机器在硅晶圆上进行研磨，让硅晶圆更薄，更便以切割。完成这些处理后就可以进行切割了

在完成切割后，利用机械吸嘴将合格的芯片逐个取出

同时需要一张引线框架给芯片套上一个焊盘

利用金属导线，将芯片上的连接点同引线框上的引脚进行连接，这样让外界的电气能够通过引脚进入芯片，让芯片实现功能，这就叫做键合

（11）压模

将装配好芯片的引线框架放置磨具中，将塑料通过加温注入磨具，形成一层塑料外壳

然后再对外壳进行清洗，电镀，印字，切割不需要的引线框形成引脚

最终芯片的制造流程就到此结束