DRAM:内存
NAND:闪存、FLash Memory
DRAM(内存)
DRAM就是我们常说的内存,是一种动态刷新的存储空间,目前主流的为DDR4。
DDR5和DDR4有什么区别
NAND(磁盘)
NAND型号:SLC 》 MLC 》 TLC
多种型号磁盘出现原因,成本和数据量的问题。按照排序单位的数据量大小的磁盘成本逐级降低。
磁盘本身是有存储单元的,每一个存储单元存放一个数据。
SLC:内部电压等级只有2个,所以能存放0、1。即只能存放1b的数据。密度为1
MLC:内部电压等级只有4个,所以能存放00、01,10,11。即能存放2b的数据。密度为2
TLC:内部电压等级只有8个,能存放3b的数据。密度为3
按照顺序看,单位存储单元存储的数据量变大,整体磁盘容量会变大,单位存储容量磁盘成本降低。但是磁盘寿命也会降低,可做的擦除次数会变少。
总结:
性能:SLC > MLC > TLC
价格:SLC > MLC > TLC
常规容量: SLC < MLC < TLC
注:主流和基本的存储介质仍然是TLC.
基于速度的考虑,固态硬盘为了更好的速度,使用了混合方案,SLC+TLC,MLC+TLC。
提升了硬盘的瞬时读写速度,规格参数会比较好看。
但是SLC通常是有限且比较少的,所以当SLC的缓存使用完之后,会直接写入TLC,这个时候就会降速