发射结外加电压大于发射结,然后发射区电子扩散,然后大部分载流子再从基区向集电区漂移,形成从c到e的电流 CMOS和三级管的区别是前者只需要压控,后者还得需要电流回路,ib增大ic也变大,但ic会饱和(放大区),在放大区时IC=βib