基于 MT28EW的FLASH控制原理

基于 MT28EW的FLASH控制原理

本设计是基于MT28EW_QLLP_01G_ABA_0SIT-1287008的控制器，主要实现对flash的读写擦除控制，模式为×16。（此文档只是做一个记录，方便以后查看，写的不会太详细，详细设计还是自行查看官网文档，不懂再私下询问。）

1.FLASH控制原理及命令

对flash的操作分为byte模式及word模式，也就是×8及×16两种模式。此文档对×16模式进行简单操作，×8模式时序与×16并无差别只是相关命令及引脚有所改变。在实际测试中，可先使用镁光公司提供的仿真模块进行测试，完成之后再上板测试，仿真模块不会用就私下问我吧。

1.1 flash擦除命令

此款flash只有块擦除（128k）及全部擦除（1G），一般也只会使用块擦除。本次测试对0x1000000处进行擦除。
擦除命令序列如下：

时序如下：

结果如下：
开始擦除

擦除完成

1.2 flash读写命令

写命令序列如下：

读命令序列如下：

发送命令序列至flash，即可对flash进行写操作，由于flash的操作实际是通过缓冲区，故数据的读写均需要
满足flash的缓冲区大小。此款芯片的flash缓冲区分别有32，64，128，256，512，几种模式，故每次操作的数据大小均需在此范围之类，可根据实际情况进行选择。

程序测试首先对0x1000000处进行写数据操作，写输入数据为0xaaaa，写完512个字节后，回读写入的数据进行校验。唯一需要注意的是命令中的3个BAd需要完全一样，在官方文档中有具体说明，如果不一样，可能仿真能成功但上板不一定能成功。（flash的硬件写原理是把’1’变成’0’，即你能写入“0000”，但绝对不能写入“ffff”，只能通过擦除命令，将flash清空，不要通过写命令进行无用操作。）

写时序如下：

写测试结果如下，可见在flash的相应位置读出的数据为写入数据。

基本常用的也就这三种命令，如果需要使用其他的命令，只需要按当前时序，更改命令即可。另外需要注意的就是官网文档给的一个时钟周期最小为60ns。