1、三极管
①交直流放大倍数
②特征频率f
由于PN结结电容的存在,晶体管的交流电流放大倍数是所加信号频率的函数。信号频率高到一定程度时,集电极电流与基极电流之比不但数值下降,且产生相移。使共射电流放大倍数的数值下降到1的信号频率称为特征频率。
③极限参数
最大集电极耗散功率
P
C
M
=
i
C
∗
u
C
E
P_{CM} = i_{C}*u_{CE}
PCM=iC∗uCE;
最大集电极电流:当
i
C
i_C
iC的数值大到一定程度时
β
\beta
β值将减小,使得
β
\beta
β明显变小的
i
C
i_C
iC即为最大集电极电流;
极间反向击穿电压;
④温度对晶体管特性及参数的影响
温度对少数载流子影响明显
2、MOS
绝缘栅型场效应管(MOS管)的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用二氧化硅绝缘层隔离。又因栅极为金属铝,故又称为MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor)。
①直流参数
开启电压、直流输入电阻 1 0 9 10^9 109~ 1 0 10 10^{10} 1010欧姆:栅源电压与栅极电流之比。
②交流参数
极间电容,场效应管的三个极之间均存在极间电容。在高频电路中,应考虑极间电容的影响。
③极限参数
最大漏极电流:管子正常工作时,漏极电流的上限值
击穿电压:管子进入恒流区之后,使
i
D
i_D
iD骤然增大的
U
D
S
U_{DS}
UDS称为漏-源击穿电压
最大耗散功率P
3、MOS与三极管的主要区别
①工作性质:三极管用电流控制,mos管属于电压控制
②成本问题:三极管便宜,MOS管贵
③功耗问题:三极管损耗大,MOS管损耗小
解释一下原因:我们都知道三极管是有两个PN结(bc和be之间),当导通的时候ce之间可等效为一个二极管,大约0.4V的压降,而DS之间可以等效为一个电阻,这个电阻大约是mΩ级别,这里假设是20mΩ。
这样的话,通过100ma的时候,三极管的功率P=UI=0.40.1=0.04W=40mW,mos管的功率P=I2R=0.10.1*0.02=0.002W=2mW,所以可以看出mos的功耗相对较小
④驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路
⑤导电极性:三极管是双极性,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与;MOS管是单极性,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子;因此三极管受温度的影响更加明显。
⑥输入阻抗:三极管输入阻抗小,场效应管输入阻抗大
⑦电极互换:部分场效应管源极和漏极可以互换,三极管集电极和发射极不可以互换(工艺不一样,集电极耐压值高)
⑧场效应管的频率特性不如三极管
⑨噪声系数:MOS噪声系数小,适用于低噪声