三极管与mos管的区别

1、三极管

①交直流放大倍数

②特征频率f

由于PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大倍数是所加信号频率的函数。信号频率高到一定程度时，集电极电流与基极电流之比不但数值下降，且产生相移。使共射电流放大倍数的数值下降到1的信号频率称为特征频率。

③极限参数

最大集电极耗散功率 $P_{CM}=i_C\ast u_{CE}$;
最大集电极电流：当$i_C$的数值大到一定程度时$\beta$值将减小，使得$\beta$明显变小的$i_C$即为最大集电极电流；
极间反向击穿电压；

④温度对晶体管特性及参数的影响

温度对少数载流子影响明显

2、MOS

绝缘栅型场效应管（MOS管）的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用二氧化硅绝缘层隔离。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor)。

①直流参数

开启电压、直流输入电阻$10^9$~$10^{10}$欧姆：栅源电压与栅极电流之比。

②交流参数

极间电容，场效应管的三个极之间均存在极间电容。在高频电路中，应考虑极间电容的影响。

③极限参数

最大漏极电流：管子正常工作时，漏极电流的上限值
击穿电压：管子进入恒流区之后，使$i_D$骤然增大的$U_{DS}$称为漏-源击穿电压
最大耗散功率P

3、MOS与三极管的主要区别

①工作性质：三极管用电流控制，mos管属于电压控制

②成本问题：三极管便宜，MOS管贵

③功耗问题：三极管损耗大，MOS管损耗小
解释一下原因：我们都知道三极管是有两个PN结（bc和be之间），当导通的时候ce之间可等效为一个二极管，大约0.4V的压降，而DS之间可以等效为一个电阻，这个电阻大约是mΩ级别，这里假设是20mΩ。
这样的话，通过100ma的时候，三极管的功率P=UI=0.40.1=0.04W=40mW，mos管的功率P=I2R=0.10.1*0.02=0.002W=2mW，所以可以看出mos的功耗相对较小

④驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路

⑤导电极性：三极管是双极性，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；MOS管是单极性，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；因此三极管受温度的影响更加明显。

⑥输入阻抗：三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大

⑦电极互换：部分场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换（工艺不一样，集电极耐压值高）

⑧场效应管的频率特性不如三极管

⑨噪声系数：MOS噪声系数小，适用于低噪声