模拟电路—MOS管工作原理
场效应管(FET-Field Effect Transistor)
1.4.1 结型场效应管
1.4.2绝缘栅型场效应管(MOSFET)
一.N沟道增强型MOS管
1.结构:g(gate,也称门级)栅极,s(source)源极,d(drain)漏极
2.原理:Uds=0,Ugs>0,加了电压之后,电子被吸上去在N极之间形成沟道,叫做N沟道
当Ugs逐渐变大的时候,所形成的N沟道会逐渐变宽,电阻会变小,从而影响阻值的大小。因此得到电压控制电阻的一个器件
令Ugs>Ugs(th)开启电压,并使其
原创
2021-10-02 11:17:13 ·
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