场效应管(FET-Field Effect Transistor)
1.4.1 结型场效应管
1.4.2绝缘栅型场效应管(MOSFET)
一.N沟道增强型MOS管
1.结构:g(gate,也称门级)栅极,s(source)源极,d(drain)漏极
2.原理:Uds=0,Ugs>0,加了电压之后,电子被吸上去在N极之间形成沟道,叫做N沟道
当Ugs逐渐变大的时候,所形成的N沟道会逐渐变宽,电阻会变小,从而影响阻值的大小。因此得到电压控制电阻的一个器件
令Ugs>Ugs(th)开启电压,并使其不变,且Uds≠0并上升
上图的右边如何判断是N沟道还是P沟道?
一般都是P指向N的PN结
二.N沟道耗尽型MOS管(增强型并不是天生有沟道,得电压大于开启电压才会出现沟道,那如何得到天生就有沟道的呢?除了结型可以在SiO2中固定正电荷,强大到产生电场,从而出现沟道)