模电
半导体器件
二极管
1.半导体的基础知识
1.在自然界中,根据物质导电能力的差别,可将它们划分为:导体、绝缘体和半导体。
(1)导体:例如金属
(2)绝缘体:例如橡胶、陶瓷、塑料、石英等
(3)半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge、砷化镓和一些硫化物、氧化物等)。
2.半导体的特殊性质:光敏性、热敏性和掺杂性。
注:当半导体受到外界光和热的激励时,或者在纯净的半导体中加入微量的杂志,其导电能力都将显著增强。
3.(1)本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
注:本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子)。因此,本征半导体的导电能力很弱,接近绝缘体。
(2)本征激发:半导体在热激发或光照情况下,产生自由电子-空穴对的现象。自由电子和空穴对同时消失—复合。当温度一定时,本征激发和复合同时进行,达到动态平衡。
注:电子-空穴对的数目对温度、光照十分敏感。温度越高,产生的电子空穴对越多,载流子的浓度越高。
(3)空穴:当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键留下的空位。
注:自由电子带负电荷;空穴视为带正电荷的粒子,其所带电量与电子相等,符号相反。
4.两种载流子:自由电子、空穴。
(1)空穴产生后,在外加电场或其他能源的作用下,邻近的价电子可以填补到这个空位上,而这个价电子原来的位置上就产生一个新空位,以后其它电子又可以填补这个新空位。
(2)在外加电场的作用下,自由电子运动—电子流;空穴运动—空穴流。外电路的总电流等于两种电流的代数和。
(3)本征半导体中存在数量相等的两种载流子:自由电子、空穴。二者浓度总是相等。
(4)本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。载流子的浓度越高,导电能力越强。
5.杂质半导体:在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体。根据掺入杂质性质的不同,杂志半导体可分为:空穴(P)型半导体和电子(N)型半导体。
(1)空穴(P)型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴、少子是电子)。三价元素:硼、镓等。
硼原子在硅晶体中能接受电子,故称为受主杂质或P型杂志。
注:A:在硅晶体中加入三价杂质产生空穴的同时,并不产生自由电子。
B:P型半导体中的载流子包括:由受主原子产生的空穴,浓度与受主原子相同;在原来的本征晶体中,由本征激发成对产生的自由电子和空穴。因为掺杂浓度远大于原来本征半导体中载流子的浓度,所以空穴浓度远大于自由电子浓度。
C:空穴(多子),主要由掺杂形成;电子(少子),主要由本征激发形成。
D:整个P型半导体仍呈电中性。
(2)电子(N)型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子、少子是空穴)。
磷:施主杂质、N型杂质。
注:A:五价杂质原子在产生自由电子的同时,并不产生空穴。
B:磷原子多余的电子易受热激发而成为自由电子,使磷原子成为不能移动的正离子。
C:整个N型半导体仍呈电中性。
6.杂质半导体的特性
(1)载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
(2)体电阻:通常把杂质半导体自身的浓度称为体电阻。
(3)转型:通过改变杂质浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.载流子的漂移与扩散
(1)热激发时,半导体内的载流子作随机的无定向运动,在任意方向的平均速度为零。
(2)加电场后,载流子将受电场力的作用作定向移动。空穴的移动方向与电场方向相同;电子则逆着电场方向移动。
(3)漂移:由于电场运动而导致载流子的运动。
(4)扩散:载流子由高浓度区域向低浓度区域扩散。
8.PN结的形成
(1)在半导体两个不同的区域,分别掺入三价、五价杂质元素,便形成P型区和N型区。
(2)在交界处,出现电子、空穴的浓度差异。
(3)扩散即:P区空穴→N区;N区电子→P区。结果:多子扩散到对方并被复合掉(耗尽区);交界处,P区留下负离子;N区留下正离子(空间电荷区)。
(4)由于正负离子的相互作用,在空间电荷区就形成一个电场,方向:N区→P区。内电场作用:促使少子漂移,阻止多子扩散。
8.PN结的单向导电性
(1)外加正向电压(正偏)—电源正极接P区,负极接N区。
PN结变窄,形成较大的正向扩散电流,呈现低电阻,PN结处于导通状态。
(2)外加反向电压(反偏)—电源正极接N区,负极接P区。
PN结变宽,形成很小的反向漂移电流,呈现高电阻(可认为它基本不导电),称PN结处于截止状态。
(3)PN结的接触电位差:硅材料为0.6-0.8V,锗材料为0.2-0.3V。
9.PN结的伏安特性
二极管处于反向偏置时,在一定的电压范围内,流过PN结的电流很小,但电压超过某一数值(反向击穿电压)时,反向电流急剧增加,这种现象就称为PN结的反向击穿。
反向击穿:电击穿(雪崩击穿-掺杂浓度低、齐纳击穿-掺杂浓度高)、热击穿。电击穿可逆,热击穿不可逆。
(4)PN结的电容效应
扩散电容
势垒电容
2.半导体二极管
1.电路符号
2.二极管的特性
(1)单向导电性:正向导通,反向截止。
(2)二极管伏安特性:同PN结。
(3)正向导通压降:硅管–0.6-0.7V;锗管–0.2-0.3V。
死区电压(门坎电压):硅管–0.5V;锗管–0.1V。
(4)二极管的伏安特性曲线对温度很敏感,温度上升,正向特性曲线左移,反向特性曲线下移。
3.二极管的主要参数
(1)最大整流电流:二极管长期运行时,允许流过的最大正向平均电流。
(2)反向击穿电压
(3)反向电流:二极管未击穿时的反向电流。反向电流越小,管子的单向导电性越好。它受温度影响,温度越高,反向电流越大。
(4)极间电容
4.二极管基本电路及其分析方法
(1)图解分析法
Q点为电路的工作点。
(2)等效电路法
A:理想模型
B:恒压降模型
C:折线模型
D:小信号模型(交流)
在交流信号的作用下,工作点沿伏安特性曲线,在静态工作点Q附近小范围内变化,此时可把二极管V-I特性曲线近似看成以Q为切点的一条直线,电压变化量与电流变化量之比近似于常数。
应用:整流电路、二极管电路的静态工作情况分析、限幅电路、开关电路。
5.齐纳二极管(稳压管)
稳压管反向击穿后,流过管子的电流在一定范围内变化时,管子两端电压变化很小。利用此特性,稳压管在电路中起稳压作用。
场效应管三极管及其放大电路
场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅依靠半导体中的多数载流子导电,又称单极性晶体管。场效应管是电压控制器件。
FET的分类
1.绝缘栅型场效应管(MOSFET)
分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。
1.结构示意图和电路符号
(1)N-EMOS
注:A:栅极与源极、漏极均无电接触,故称绝缘栅极;
B:垂直短划线代表增强型沟道;
C:箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道);
D:衬底B和源极s通常是接在一起的。
(2)N-DMOS
2.特性曲线
N-EMOS输出特性曲线
N-EMOS转移特性曲线
N-DMOS输出与转移特性曲线
2.结型场效应管(JFET)
1.结构