以EG2133+NMOS为例讲解全桥驱动电路设计的所有知识点,包括驱动电阻,加速关断,下拉电阻,自举电路自举电容的选型和设计

本文详细介绍了全桥驱动电路中MOS管的驱动原理,包括栅极电容、驱动电阻、二极管在快速通断过程中的作用,以及自举驱动电路的设计,如自举二极管的选择和计算。着重讨论了如何通过合理的电阻配置和二极管选择来改善开关速度和防止电路异常。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一、全桥驱动电路

例子:
在这里插入图片描述

1.1首先需要明确的概念

MOS管并非理想的电压控制器件
存在 C g d C_{gd} Cgd C g s C_{gs} Cgs C d s C_{ds} Cds 等结电容

或者可以定义以下的分布三个电容:

输入电容(lnput  Capacitance):Ciss=Cgd十Cgs

输出电容(Output Capacitance):Cdss=Cgd+Cds

逆导电容( Reverse Transfer  Capacitance):Crss=Cgd

如下图所示:
在这里插入图片描述

这就导致给G极加上电压时,关闭和导通不是瞬间的,也有一个给 C g s C_{gs} Cgs充放电的过程。

在快速通断过程中,电路的寄生电感,寄生电容,和 C g s C_{gs} Cgs容易形成LC震荡(振铃),使得MOS管行为异常或不完全导通,发热炸管。

1.2(栅极电阻)驱动电阻

图中栅极电阻R1、R4的作用是在驱动回路中提供足够的阻尼,来阻尼mos开通瞬间驱动电流的震荡,避免振铃。

该电阻取值再5~100欧姆之间,通常取10欧姆或22欧姆。

但是,如果只加R1、R4电阻,而不使用D1和D2,该电阻过大会影响导通和关断的速度。同时,如果阻值过大,mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。所以需要有D1和D2参与,加快关断

1.3加速关断

D1和D2二极管的作用是加速关断,并且可以防止mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。

二极管的开关时间越小越好,整流电流越大越好,压降越小越好。

一般可以使用以下型号的二极管

1N4148W 开关二极管,但是速度很快,反向恢复时间4ns,压降1V,一般对于150mA的栅极电流,可以选用
1N5819 肖特基二极管,压降600mV,反向恢复时间10ns,平均整流电流350mA
B340A   肖特基二极管,压降550mV,平均整流电流3A,一般对于350mA以上的栅极电流,可以选用。(还有B350A B360A系列)

1.4加速关断更好更快的方法(进阶使用)

阿三讲的:

https://www.bilibili.com/list/watchlater?oid=397162869&bvid=BV1oo4y1J7FC&spm_id_from=333.999.top_right_bar_window_view_later.content.click

知乎:

https://zhuanlan.zhihu.com/p/408980691

1.5下拉电阻 R1 R4

R2和R5为mos管栅源极的下拉电阻,其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路,一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大,对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响。

注意,这个电阻在驱动电路的工作状态下是不起主要作用的,而是在电路停止工作的一瞬间,由于栅极电位是无法确定的,若MOS正在处于被驱动开通的状态,则其栅极会积累一定的电荷,假设此时断电,则处于高阻态的栅源极会导致这部分电荷一直被存储,就有可能会在电路下次启动的瞬间导致MOS的误开通或者栅极的击穿,为防止此类现象产生,则加一颗电阻下拉用于泄放电荷,起到保护栅极的作用。

1.6采样电阻R3

R3为电流采样电阻。取值根据电流采样芯片和ADC的基准电压选取

二、自举驱动电路

在这里插入图片描述

2.1自举二极管

在高端器件开通时,自举二极管D1、D2、D3必须能够阻止高压,并且应是快恢复二极管,以减小从自举电容向电源Vcc 的回馈电荷。如果电容需要长期贮存电荷时,高温反向漏电流指标也很重要。

同样可以采用上面提到过的:

1N4148W 开关二极管,但是快速恢复二极管,速度很快,反向恢复时间4ns,压降1V,一般对于150mA的栅极电流,可以选用
1N5819 肖特基二极管,压降600mV,反向恢复时间10ns,平均整流电流350mA
B340A   肖特基二极管,压降550mV,恢复时间未知,平均整流电流3A,一般对于350mA以上的栅极电流,可以选用。(还有B350A B360A系列)

FR107 据说可以,但是看手册说这个反向恢复时间有点慢,500ns

2.2自举电容计算公式

C g = Q C / V G E C_g = Q_C/V_{GE} Cg=QC/VGE

V G E ≈ V D D − V D B o o T V_{GE} ≈ V_{DD}-V_{DBooT} VGEVDDVDBooT

C B o o T > = 1 0 ∗ C g C_{BooT} >= 10^* C_g CBooT>=10Cg

其中 V D B o o T V_{DBooT} VDBooT是自举二极管D1的管压降, V D D V_{DD} VDD是EG2133的电源电压(与VB1、2、3相同), C B o o T C_{BooT} CBooT是自举电容的容值。

如果 C g C_g Cg算出来是10.56nf,那么 C B o o T C_{BooT} CBooT取220nf,330nf,470nf等就可以。

对于C5,一般要求大于10倍的 C B o o T C_{BooT} CBooT。也需要再并联一个小容量的0.1uf的电容。

参考链接:

唐老师B站:

https://www.bilibili.com/list/watchlater?oid=536389605&bvid=BV1VM411o7cs&spm_id_from=333.1245.top_right_bar_window_view_later.content.click

https://www.bilibili.com/video/BV11U4y1T7Uo/?spm_id_from=333.999.0.0&vd_source=2fbf780b86fcbd7821e27fdb6cff773e

阿三讲的:

https://www.bilibili.com/list/watchlater?oid=397162869&bvid=BV1oo4y1J7FC&spm_id_from=333.999.top_right_bar_window_view_later.content.click

知乎:

https://zhuanlan.zhihu.com/p/408980691

无刷电机泵升电压自动释放电路
https://blog.csdn.net/awublack/article/details/127997758nter

本电路是一个由高功率开关MOSFET组成的H电桥,由低压逻辑信号控制,如图1所示。该电路为低电平逻辑信号和高功率电桥提供了一个方便的接口。H电桥的高端和低端均使用低成本N沟道功率MOSFET。该电路还在控制侧与电源侧之间提供隔离。本电路可以用于电机控制、带嵌入式控制接口的电源转换、照明、音频放大器和不间断电源(UPS)等应用中。 现代微处理器和微控制器一般为低功耗型,采用低电源电压工作。2.5 V CMOS逻辑输出的源电流和吸电流在μA到mA范围。为了驱动一个12 V切换、4 A峰值电流的H电桥,必须精心选择接口和电平转换器件,特别是要求低抖动时。 ADG787是一款低压CMOS器件,内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。采用5 V直流电源时,有效的高电平输入逻辑电压可以低至2 V。因此,ADG787能够提供驱动半桥驱动器ADuM7234所需的2.5 V控制信号到5 V逻辑电平的转换。 ADuM7234是一款隔离式半桥栅极驱动器,采用ADI公司iCoupler:registered:技术,提供独立且隔离的高端和低端输出,因而可以专门在H电桥中使用N沟道MOSFET。使用N沟道MOSFET有多种好处:N沟道MOSFET的导通电阻通常仅为P沟道MOSFET的1/3,最大电流更高;切换速度更快,功耗得以降低;上升时间与下降时间是对称的。 ADuM7234的4 A峰值驱动电流确保功率MOSFET可以高速接通和断开,使得H电桥级的功耗最小。本电路中,H电桥的最大驱动电流可以高达85 A,它受最大容许的MOSFET电流限制。 ADuC7061 是一款低功耗、基于ARM7的精密模拟微控制器,集成脉宽调制(PWM)控制器,其输出经过适当的电平转换和调理后,可以用来驱动H电桥。
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