以EG2133+NMOS为例讲解全桥驱动电路设计的所有知识点,包括驱动电阻,加速关断,下拉电阻,自举电路自举电容的选型和设计

本文详细介绍了全桥驱动电路中MOS管的驱动原理,包括栅极电容、驱动电阻、二极管在快速通断过程中的作用,以及自举驱动电路的设计,如自举二极管的选择和计算。着重讨论了如何通过合理的电阻配置和二极管选择来改善开关速度和防止电路异常。

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一、全桥驱动电路

例子:
在这里插入图片描述

1.1首先需要明确的概念

MOS管并非理想的电压控制器件
存在 C g d C_{gd} Cgd C g s C_{gs} Cgs C d s C_{ds} Cds 等结电容

或者可以定义以下的分布三个电容:

输入电容(lnput  Capacitance):Ciss=Cgd十Cgs

输出电容(Output Capacitance):Cdss=Cgd+Cds

逆导电容( Reverse Transfer  Capacitance):Crss=Cgd

如下图所示:
在这里插入图片描述

这就导致给G极加上电压时,关闭和导通不是瞬间的,也有一个给 C g s C_{gs} Cgs充放电的过程。

在快速通断过程中,电路的寄生电感,寄生电容,和

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