嵌入式Flash，ROM，RAM概念整理

        在嵌入式开发的过程中，芯片boot启动流程，内存映射表多个地方都会涉及到这几个概念，因此打算在一篇博客中进行汇总整理，便于之后回忆理解。本文为个人学习总结，若有错误之处欢迎在评论区中指出！

        1.存储器系统结构：

        ARM Cortex-M内存使用的是统一编址，32bit总线的地址空间是4GB (0x00000000 - 0xFFFFFFFF)。

         2.存储器分类

        按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“非易失性存储器”两类，易失和非易失是指存储器断电后，里面存储的内容是否会丢失，另一边的速度而言呢，易失性存储器的速度要快于非易失性存储器。

        2.1易失性存储器

        随机存取存储器（RAM），也叫做主存。与CPU直接交换数据的内部存储器。

        SRAM：静态随机存取存储器--只要不掉电，就能一直保持数据。（体积较大）

        DRAM：动态随机存取存储器--存在漏电的情况，所以需要保持刷新。

        2.2非易失性存储器

        只读存储器（ROM），我们正常编译生成的二进制文件，需要下载烧录到单片机中，保存在ROM中。

        EEPROM：带电可擦可编程只读存储器

        FLASH：：闪存--除了掉电不失数据之外，Flash的特点还有操作以扇区/块为单位。目前市场上比较常见的Flash技术有NOR Flash和NAND Flash。

        注：EEPROM能够单独修改某个字节，但是Flash想要修改，只能先擦除，再编程写入

        NOR Flash ROM：以字节为单位进行随机存取。这样应用程序就可以直接在NOR Flash ROM上面运行。

        NAND Flash ROM:以页（行）为单位随机存取,在容量、使用寿命和成本方面有较大优势。而且单元电路尺寸几乎只是 NOR 器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。