GaN制备Micro-led(二）——光子晶体倒装 Micro-LED 制备的关键工艺（纳米压印光刻、干法刻蚀、介质薄膜沉积、物理气相沉积）

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本文详细介绍了光子晶体倒装Micro-LED的制备工艺，包括纳米压印光刻技术、干法刻蚀技术、介质薄膜沉积技术和物理气相沉积技术。纳米压印光刻通过紫外光固化技术实现纳米级图案转移；干法刻蚀利用等离子体进行物理轰击，实现高精度的图案制备；介质薄膜沉积使用PECVD工艺形成高质量的绝缘薄膜；物理气相沉积通过电子束蒸发技术沉积金属材料，确保薄膜的均匀性和精确厚度控制。

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光子晶体倒装 Micro-LED 制备的关键工艺

纳米压印光刻技术：

纳米压印光刻技术（Nanoimprint Lithography）是一种制造纳米级图案的方法。这是一种简单的纳米光刻工艺，具有高效率、低成本、批量生产和高分辨率等优点，适合工业化大批量生产制备，深受学术界和产业界的广泛关注。纳米压印光刻技术将中国的印刷技术与当今微电子加工工艺相结合，通过压印抗蚀剂的机械变形和后续刻蚀工艺在基片上制备亚微米级别图案。压印抗蚀剂通常是在机械压印期间能够通过加热或紫外光固化的聚合物试剂，并且抗蚀剂和纳米压印模板之间的粘附力要求保持在合适范围内，能够在固化后进行无损剥离脱模。“纳米压印光刻”一词是在 1996 年的科学文献中提出的，当时美国普林斯顿大学的周郁教授和他的学生在《科学》杂志上发表了一篇报告，在《科学》杂志发表后不久，许多研究人员开发了不同的纳米压印技术制备方法。纳米压印光刻技术有很多不同的类型，但其中主要分为三类：热塑性纳米压印光刻技术、紫外曝光固化纳米压印光刻技术和无抗蚀剂的直接热塑性纳米压印光刻技术。热塑性纳米压印光刻技术是最早提出的纳米压印光刻技术，通常是将一层热塑性聚合物材料的压印抗蚀剂旋涂到样品基底上。然后，将具有预定图案的模具与样品接触，并在一定压力下将它们压在一起。当加热到能够使聚合物转变的温度以上时，将模具上的图案压入软化的聚合物膜中，实现结构图案转移。但是这种制备方案，产量低，制备周期长，并且对模板的损伤较大。紫外光固化纳米压印光刻技术最早由 Haisma 等人提出，整个制备过程能够在常温下进行，模板形变小，制备所需时