CMOS版图中，DUMMY图形用于提高可制造性，避免蚀刻问题，减少光刻影响，以及防止噪声干扰关键元器件。它们包括MOS dummy、RES dummy、CAP dummy等，通过特定布局连接VSS或VDD，以保护电路功能和尺寸精度。Nwell在保护方面应用广泛，field oxide也可能被利用于此类目的。
IC 版图除了要体现电路的逻辑或功能确保 LVS 验证正确外， 还要增加一些与 LVS（电路匹配） 无关的图形， 以减小中间过程中的偏差， 我们通常称这些图形为 dummy layer。
有些 dummy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的， 比如 metal density 不足就需要增加一些 metal dummy layer以增加 metal 密度。 另外一些则是考虑到光的反射与衍射， 关键图形四周情况大致相当， 避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。
Dummy用途：
1. 保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等；
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