GD32F4单片机 使用 FMC(闪存控制器)对片内Flash擦写读测试

最新推荐文章于 2025-04-12 11:01:12 发布
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分类专栏： MCU 文章标签： 单片机 GD32 flash
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一、GD32 片上flash 介绍

GD32F4xx系列微控制器可以提供高密度片上FLASH存储器，按以下分类进行组织：
1、高达3072KB主FLASH存储器。
2、高达30KB引导装载程序（boot loader）信息块存储器。
3、 高达512B OTP（一次性可编程）存储器。
4、器件配置的选项字节。
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二、fmc 函数 和 操作方法

  闪存控制器（FMC），提供了片上闪存需要的所有功能。MCU执行指令零等待的区域最大支持到1024K字节空间。FMC也提供了扇区擦除和整片擦除，以及32位整字或16位半字、字节编程等闪存操作。另外GD32F470xx，GD32F427xx 和 GD32F425xx系列还额外提供了页（4KB）擦除操作。

2.1 函数

gd32f4xx_fmc.h 文件中的函数声明

/* function declarations */
/* FMC main memory programming functions */
/* set the FMC wait state counter */
void fmc_wscnt_set(uint32_t wscnt);
/* unlock the main FMC operation */
void fmc_unlock(void);
/* lock the main FMC operation */
void fmc_lock(void);
/* FMC erase sector */
fmc_state_enum fmc_sector_erase(uint32_t fmc_sector);
/* FMC erase whole chip */
fmc_state_enum fmc_mass_erase(void);
/* FMC erase whole bank0 */
fmc_state_enum fmc_bank0_erase(void);
/* FMC erase whole bank1 */
fmc_state_enum fmc_bank1_erase(void);
/* FMC program a word at the corresponding address */
fmc_state_enum fmc_word_program(uint32_t address, uint32_t data);
/* FMC program a half word at the corresponding address */
fmc_state_enum fmc_halfword_program(uint32_t address, uint16_t data);
/* FMC program a byte at the corresponding address */
fmc_state_enum fmc_byte_program(uint32_t address, uint8_t data);

/* FMC option bytes programming functions */
/* unlock the option byte operation */
void ob_unlock(void);
/* lock the option byte operation */
void ob_lock(void);
/* send option byte change command */
void ob_start(void);
/* erase option byte */
void ob_erase(void);
/* enable write protect */
void ob_write_protection_enable(uint32_t ob_wp);
/* disable write protect */
void ob_write_protection_disable(uint32_t ob_wp);
/* enable erase/program protection and D-bus read protection */
void ob_drp_enable(uint32_t ob_drp);
/* disable erase/program protection and D-bus read protection */
void ob_drp_disable(uint32_t ob_drp);
/* set the option byte security protection level */
void ob_security_protection_config(uint8_t ob_spc);
/* write the FMC option byte user */
void ob_user_write(uint32_t ob_fwdgt, uint32_t ob_deepsleep, uint32_t ob_stdby);
/* option byte BOR threshold value */
void ob_user_bor_threshold(uint32_t ob_bor_th);
/* configure the boot mode */
void ob_boot_mode_config(uint32_t boot_mode);
/* get the FMC option byte user */
uint8_t ob_user_get(void);
/* get the FMC option byte write protection */
uint16_t ob_write_protection0_get(void);
/* get the FMC option byte write protection */
uint16_t ob_write_protection1_get(void);
/* get the FMC erase/program protection and D-bus read protection option bytes value */
uint16_t ob_drp0_get(void);
/* get the FMC erase/program protection and D-bus read protection option bytes value */
uint16_t ob_drp1_get(void);
/* get option byte security protection code value */
FlagStatus ob_spc_get(void);
/* get the FMC threshold value */
uint8_t ob_user_bor_threshold_get(void);

/* FMC interrupts and flags management functions */
/* enable FMC interrupt */
void fmc_interrupt_enable(uint32_t fmc_int);
/* disable FMC interrupt */
void fmc_interrupt_disable(uint32_t fmc_int);
/* get flag set or reset */
FlagStatus fmc_flag_get(uint32_t fmc_flag);
/* clear the FMC pending flag */
void fmc_flag_clear(uint32_t fmc_flag);
/* return the FMC state */
fmc_state_enum fmc_state_get(void);
/* check FMC ready or not */
fmc_state_enum fmc_ready_wait(void);

2.2 读

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2.3 擦除

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2.4 写

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三、测试代码

3.1 相关宏定义

#define ADDR_FLASH_SECTOR_0     ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1     ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2     ((uint32_t)0x08008000) /* Base @ of Sector 2, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3     ((uint32_t)0x0800C000) /* Base @ of Sector 3, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_4     ((uint32_t)0x08010000) /* Base @ of Sector 4, 64 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_5     ((uint32_t)0x08020000) /* Base @ of Sector 5, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6     ((uint32_t)0x08040000) /* Base @ of Sector 6, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7     ((uint32_t)0x08060000) /* Base @ of Sector 7, 128 Kbytes */



#define ADDR_FLASH_SECTOR_8     ((uint32_t)0x08080000) /* Base @ of Sector 8, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9     ((uint32_t)0x080A0000) /* Base @ of Sector 9, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10    ((uint32_t)0x080C0000) /* Base @ of Sector 10, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11    ((uint32_t)0x080E0000) /* Base @ of Sector 11, 128 Kbytes */

 
// @defgroup FLASH_Sectors

#define FLASH_Sector_0     ((uint16_t)0x0000) /*!< Sector Number 0   */
#define FLASH_Sector_1     ((uint16_t)0x0008) /*!< Sector Number 1   */
#define FLASH_Sector_2     ((uint16_t)0x0010) /*!< Sector Number 2   */
#define FLASH_Sector_3     ((uint16_t)0x0018) /*!< Sector Number 3   */
#define FLASH_Sector_4     ((uint16_t)0x0020) /*!< Sector Number 4   */
#define FLASH_Sector_5     ((uint16_t)0x0028) /*!< Sector Number 5   */
#define FLASH_Sector_6     ((uint16_t)0x0030) /*!< Sector Number 6   */
#define FLASH_Sector_7     ((uint16_t)0x0038) /*!< Sector Number 7   */
#define FLASH_Sector_8     ((uint16_t)0x0040) /*!< Sector Number 8   */
#define FLASH_Sector_9     ((uint16_t)0x0048) /*!< Sector Number 9   */
#define FLASH_Sector_10    ((uint16_t)0x0050) /*!< Sector Number 10  */
#define FLASH_Sector_11    ((uint16_t)0x0058) /*!< Sector Number 11  */
#define FLASH_Sector_12    ((uint16_t)0x0080) /*!< Sector Number 12  */
#define FLASH_Sector_13    ((uint16_t)0x0088) /*!< Sector Number 13  */
#define FLASH_Sector_14    ((uint16_t)0x0090) /*!< Sector Number 14  */
#define FLASH_Sector_15    ((uint16_t)0x0098) /*!< Sector Number 15  */
#define FLASH_Sector_16    ((uint16_t)0x00A0) /*!< Sector Number 16  */
#define FLASH_Sector_17    ((uint16_t)0x00A8) /*!< Sector Number 17  */
#define FLASH_Sector_18    ((uint16_t)0x00B0) /*!< Sector Number 18  */
#define FLASH_Sector_19    ((uint16_t)0x00B8) /*!< Sector Number 19  */
#define FLASH_Sector_20    ((uint16_t)0x00C0) /*!< Sector Number 20  */
#define FLASH_Sector_21    ((uint16_t)0x00C8) /*!< Sector Number 21  */
#define FLASH_Sector_22    ((uint16_t)0x00D0) /*!< Sector Number 22  */
#define FLASH_Sector_23    ((uint16_t)0x00D8) /*!< Sector Number 23  */
    



#define GD32_FLASH_START_ADRESS     ((uint32_t)0x08000000)
#define GD32_FLASH_SIZE             (1024 * 1024)  //512 code +  512 data
#define GD32_FLASH_END_ADDRESS      ((uint32_t)(GD32_FLASH_START_ADRESS + GD32_FLASH_SIZE))

3.2 获取扇区

static uint32_t GetSector(uint32_t Address)
{

    uint32_t sector = 0;

    if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
    {
        sector = 0;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
    {
        sector = 1;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
    {
        sector = 2;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
    {
        sector = 3;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
    {
        sector = 4;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
    {
        sector = 5;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
    {
        sector = 6;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
    {
        sector = 7;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))
    {
        sector = 8;
    }

    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))
    {
        sector = 9;
    }
    else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))
    {
        sector = 10;
    }
    else if((Address < GD32_FLASH_END_ADDRESS) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_11))
    {
        sector = 11;
    }
    else
    {
    }
    return sector;
}

3.3 读 测试代码

static int gd32_flash_read(uint32_t addr, uint8_t *buf, size_t size)
{
    size_t i;

    if ((addr + size) > GD32_FLASH_END_ADDRESS)
    {
        printf("read outrange flash size! addr is (0x%p)\r\n", (void*)(addr + size));
        return -1;
    }

    for (i = 0; i < size; i++, buf++, addr++)
    {
        *buf = *(uint8_t *) addr;
        printf("read  flash  addr is (0x%p) ,data is %d\r\n", (void*)(addr ),*buf);
    }

    return size;
}

3.4 擦除 测试代码

static int gd32_flash_erase(uint32_t addr, uint32_t size)
{
    int result = 0;
    uint32_t FirstSector = 0, NbOfSectors = 0;

    if ((addr + size) > GD32_FLASH_END_ADDRESS)
    {
        printf("ERROR: erase outrange flash size! addr is (0x%p)\r\n", (void*)(addr + size));
        return -1;
    }

    fmc_unlock();        //解锁flash保护

    /* Get the 1st sector to erase */
    FirstSector = GetSector(addr);
    /* Get the number of sector to erase from 1st sector*/
    NbOfSectors = GetSector(addr + size - 1) - FirstSector + 1;

    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_END);
    fmc_flag_clear( FMC_FLAG_OPERR );   
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_WPERR );   
    fmc_flag_clear( FMC_FLAG_PGMERR );   
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_PGSERR );   
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_RDDERR);       

    for(int i=0;i<NbOfSectors;i++,FirstSector++)
    { 
        if(fmc_sector_erase(CTL_SN(FirstSector))!=FMC_READY)//CTL_SN(FirstSector)
        {
            result = -1;
            goto __exit;
        }
    }    
__exit:
    
	fmc_lock();        //flash上锁
    if (result != 0)
    {
        return result;
    }

    printf("erase done: addr (0x%p), size %d\r\n", (void*)addr, size);
    return size;
}

3.5 写 测试代码

static int gd32_flash_write(uint32_t addr, const uint8_t *buf, uint32_t size)
{
    int result      = 0;
    uint32_t end_addr = addr + size;

    if ((end_addr) > GD32_FLASH_END_ADDRESS)
    {
        printf("write outrange flash size! addr is (0x%p)\r\n", (void*)(addr + size));
        return -1;
    }

    if (size < 1)
    {
        return -1;
    }

    fmc_unlock();        //解锁flash保护
    

    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_END);
    fmc_flag_clear( FMC_FLAG_OPERR );   
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_WPERR );   
    fmc_flag_clear( FMC_FLAG_PGMERR );   
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_PGSERR );   
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_RDDERR);  
    
    
    
    for (uint32_t i = 0; i < size; i++, addr++, buf++)
    {

        /* write data to flash */
        if( fmc_byte_program(addr, (uint8_t)(*buf)) == FMC_READY )
        {
            if (*(uint8_t *)addr != *buf)
            {
                result = -1;
                break;
            }
        }
        else
        {
            result = -1;
            break;
        }
    }

    fmc_lock();        //flash上锁

    if (result != 0)
    {
        return result;
    }

    return size;
}

测试结果：
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参考：
GD32F450ZGT6 手册

GD32片内flash读写数据
09-28 651
GD32片内Flash的读写数据是微控制器编程中的常见任务，主要用于存储程序代码、配置参数或用户数据等。以下将详细介绍GD32片内Flash的读写数据方法和程序。
GD32F4xx 片上Flash的使用方法
madao1234的博客
04-01 3206
1、FMC(闪存控制器) GD32F4xx MCU的片上闪存控制通过FMC实现的。 主要特性: 高达3072KB字节的片上闪存，使用了2片闪存：前1024KB 在第0片闪存中(bank 0)，后续容量（2048KB）在第1片闪存中（bank1）中。 支持32位整字、16位半字、字节编程，支持扇区擦除和整片擦除操作 闪存结构： 整个闪存空间被分为 8个16KB扇区、2个64KB扇区、14个128KB扇区、4个256KB扇区。 GD32F4xx 仅支持扇区和整片擦除，闪存空间中没有分页，不支持页擦除操作。设
GD32F303----内部Flash读写
最新发布
weixin_48206394的博客
04-12 899
页和扇区是存储介质（如 Flash、硬盘）中管理和操作数据的基本单位，但它们的定义和应用场景有所不同。0x0801 0000页；那么他擦的就是0x0801 0000 - 0x0801 07FF；对齐数据允许CPU通过单次内存操作完成读写，而非对齐数据可能需要多次访问并拼接，显著降低效率。是0x0801 0000 - 0x0801 07FF；”意味着该数据的起始内存地址必须是4的倍数（在STM32中，访问未对齐的32位数据可能导致异常。能看到 页Page的大小为2KB (0x800)
零基础STM32单片机编程入门(二十四) 内部FLASH详解及读写实战含源码
光子物联
07-30 2025
本文介绍了STM32F103C8T6的FLASH存储空间，FLASH数据的读写，以及读写保护等，提供STM32F103C8T6的内部FLASH空间进行数据读写操作例程
单片机的FMC外设【超级详细的使用方法1】
17208955的博客
07-15 3464
FMC是存储器控制器，它能自动产生控制存储器的逻辑时序，有了它就不用自己去写复杂的控制时序。FSMC和FMC的区别是什么？FSMC的功能比FMC少了一个功能，就是FSMC只支持静态，不支持动态。FMC是一个片上外设，类似I2C，SPI之类的外设，所以要用它就要知道它的引脚分布，哪些引脚有FMC功能。下面以都STM32F407为例如下所示的FSMC的地址线，数据线，控制线。
GD32读写FlashGDw25Q64
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前言 用单片机做开发时，为了实现产品的某些功能，我们通常都需要记录一些数据并放在单片机掉电不丢失的区域中。在现在的主流8位机中，一般为EEPROM和FLASH存储区。这些存储区一般与我们的代码存储区是分开来的且一般不大(多数在1KB以内)。EEPROM是可以按字节读、写的，而FLASH则是以块为单位擦除、写入的。而在32位单片机中，一般不会为单独的数据存储再开辟一个区域，即存代码的和存这些数据的是同一个区域。所以，如果你看过其他有关32位机内部FLASH读写操作的，它们基本都是从FLASH最后一个或几个区块
基于STM32F103实现对Flash擦除次数的优化，增加Flash的使用寿命
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在嵌入式系统开发中，微控制器（MCU）如STM32F103的闪存（Flash）是存储程序代码和数据的关键组件。由于Flash具有有限的擦写次数，过度擦除会降低其寿命。因此，针对STM32F103的Flash进行优化以减少擦除次数，对于...
GD32F4系列用户手册
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GD32F4系列用户手册是一份详细的技术文件，其内容主要针对GigaDevice半导体公司推出的GD32F4xx系列ARM Cortex-M4 32位微控制器（MCU）。该系列微控制器被广泛应用于嵌入式系统开发，拥有高性能的特点，能够支持最高...
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GD32 flash读保护开启及现象分析
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GD32F303固件库开发（17）----内部Flash读写
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综上所述，GD32片内Flash的读写数据操作涉及解锁Flash、擦除页、写入数据和锁定Flash等步骤。在实际应用中，应根据具体需求和Flash特性合理设计读写流程。GD32片内Flash的读写数据操作是微控制器编程中常见的任务，主要用于存储程序代码、配置参数或用户数据等。Flash的写入操作需要先进行擦除，因为Flash是按页（或扇区）进行管理的，写入前必须确保目标页（或扇区）已被擦除。Flash的读取操作相对简单，因为Flash可以像普通存储空间一样直接寻址访问。如有技术问题及项目需求请加作者微信！
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撞上电子
01-30 1845
一，GD32的flash特征1、在flash的前256K字节空间内，CPU执行指令零等待；在此范围外，CPU读取指令存在较长延时；2、对于flash大于512KB（不包括等于512KB）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了两片闪存；前512KB容量在第一片闪存（bank0）中，后续的容量在第二片闪存（bank1）中；3、对于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_C...
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STM32CUBEMX开发GD32F303（17）----内部Flash读写
xh1479的博客
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本章STM32CUBEMX配置STM32F103，并且在GD32F303中进行开发，同时通过开发板内进行验证。 本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F103ZET6进行移植，512K大小的Flash。
GD32的flash读保护和写保护
qlexcel的专栏
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介绍   在实际发布的产品中，在GD32芯片的内部FLASH存储了控制程序，如果不作任何保护措施的话，可以使用下载器直接把内部FLASH的内容读取回来，得到bin或hex文件格式的代码拷贝，别有用心的厂商会利用该方法山寨产品。为此，GD32芯片提供了多种方式保护内部FLASH的程序不被非法读取，但在默认情况”下该保护功能是不开启的，若要开启该功能，需要改写内部FLASH选项字节(Option Bytes)中的配置。   GD32的选项字节地址和功能都跟STM32一样：   其中前面带“n”的是不带“n”的
【7】GD32H7xx FMC片内Flash
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GD32H7xx系列MCU FMC读写片内Flash调试记录
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