电磁场与仿真软件(6)

这篇会开始介绍电磁波入射各种物质边界,首先最重要的就是4组边界条件入下

n·(D1-D2)=ρs; (1)

n×(E1-E2)=0; (2)

n·(B1-B2)=0; (3)

n×(H1-H2)=J)s。 (4)

这4个边界条件的推导在一般书上都很容易找到,记住结论就行.E在切向,B在法线方向是连续的

还有一个常用的边界条件,E在导体切向上的分量是0.这个很好理解:导体中存在着自由电子,如果切向上有E的话,自由电子就会移动,就不会稳定了. 所以在切向上的电场必然是0,但在法向上,有边界束缚着电子,所以可以存在法向的E. 曾经有个疑问,如果电磁波的变化速度太快,自由电子移动速度会不会跟不上E的变化速度. 后来发现,在正常情况下,是不可能出现这个情况的,这也是为什么金属罩子能屏蔽手机信号原因.

首先会介绍电磁波垂直入射理想导体边界:假设有一列TEM波(TEM,TM,TE波会在下一篇介绍)垂直入射到理想导体表面,并且入射波\vec{E}i已知如下图. 

 接下来就是怎么用数学物理知识分析这件事

1.  写下场方程式(.先忽略时间项,用phasor求解)

 已知\tilde{E}i(z)=\vec{a}_{x}E_{i0}e^{-ikz}  则\tilde{H}i(z)=\vec{a}_{y}(E_{i0}/\eta) e^{-ikz}   

 \eta是材料1的波阻抗 满足这个关系式: \tilde{H}=\tilde{a}_{n}\times \tilde{E}/\eta (由麦克斯韦方程导出,下一篇会介绍)

因为材料2是理想导体,按照我们之前讲的, 理想导体内部是没有电磁波存在的,所以不存在入射项,所有电磁波都被反射了. 我们也可以写出反射波形:

\tilde{E}r(z)=\vec{a}_{x}E_{r0}e^{ikz}    \tilde{H}i(z)=-\vec{a}_{y}(E_{r0}/\eta) e^{ikz}  

e^{ikz}表达的是反射波的方向是和入射波的方向是相反的;

\tilde{H}i(z)多了一个负号是因为\tilde{a}_{nr}的方向和\tilde{a}_{n}相反的;

2. 匹配边界条件:

在理想导体表面,E在切向=0, -->也就是在z=0的点, E=0,由此我们得到:

E_{i0}=E_{r0}   在z<0的区域: \tilde{E}_{total}(z)=(e^{-ikz}-e^{ikz})\tilde{a}_{x}=-2iE_{i0}sin(kz)\tilde{a}_{x}  -欧拉公式

\tilde{H}_{total}(z)=E_{i0}/\eta (e^{-ikz}+e^{ikz})\tilde{a}_{x}=2(E_{i0}/\eta) cos(kz)\tilde{a}_{x}

我们把时间变量加进去Re(..*e^{iwt})  得到实际波形(下面是j就是i, 我习惯虚数写成i 有些教材喜欢写j)

从上图可以看出在导体表面E切向=0

 

从上图可以看出上图在导体表变会形成感应电流J;

然后我们再看下能量,按照上一篇所写的, 

平均能量P_{av}=Re(\tilde{E}\times \tilde{H}^{\ast})=0 因为E是虚数, H是实数, 虚数和实数相乘还是虚数, 没有实部.

这也好理解,电磁波在理想导体表面形成了全反射,造成了100%的驻波,所以不会有能量的传播. 

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