硬件基础：2.电容

1.定义

电容是表现电容器容纳电荷本领的物理量；

2.本质

电容的本质是存储电荷与释放电荷；

3.电容的等效模型

                                    |---------Rp--------|

--------L--------Rs--------|                          |

                                   |-----------C---------|

Rp ：漏电阻；

4.封装

长和宽基本与电阻一致，但电容会高一点，封装越大，容值越大，受温度影响较大；

5.耐压

5 = 6.3V;

6 = 10V；

7 = 16V；

8 = 25V；

9 = 50V；

一般打五折处理，极限打八折，降额设计；

6.串并联

R串 = R1 + R2；

C并 = C1 + C2；

7.绝缘电阻

G欧以上；

8.ESR

谐振点之前呈容性，谐振点之后呈感性（ESL分量主导）；

9.钽电容

用金属坦经过阳极氧化的氧化物作为介质的一种电解电容；

分类：液钽电容和固钽电容；直插式钽电容和贴片钽电容；

特点：

温度性能好；ESL小，几乎为0；体积小；

ESR比同额定电压的铝电解电容小；

价格高；

不能用在交流电源上，有极性，用在交流电上就会反向击穿或爆炸；

聚合物钽电容，耐压能力以及反向耐压能力强；

热插拔的接口上不适合放钽电容；

10.电容器件的分类

C =  * ；

通常用的电容：陶瓷电容，钽电容，铝电解电容；

11.陶瓷电容

陶瓷电容是以陶瓷为介质的电容器的统称，又称为瓷介电容；

按材料介质主要分为I类陶瓷电容和II类陶瓷电容；

优点：耐高压、绝缘性好、性能稳定；

缺点：容量小，X7R、6.3V、1210 ：最大约47uF，X5R、6.3V、1210：最大约220uF；

容值与封装有关；

12.I类陶瓷电容和II类陶瓷电容

一类为温度补偿性NPO介质；

二类介电常数X7R介质；

二类为半导体型X5R介质；

稳定性从上往下逐次降低，随温度变化温度范围越来越大；

13.X7R、X5R

X：-55度；

7:+125度；

R：表示随温度变化的容差为+-15%；

 5：+85度；

14.铝电解电容

电解电容是一种金属通过阳极氧化形成良好绝缘的致密氧化膜作为介质的电容；

特点：

容量大、体积大；

频率特性差，在高频率下等效容量很小；

漏电流比较大；

ESL大、ESR大；

在极高温和极低温下，性能极不稳定；

应用于电源滤波、低频旁路和信号耦合；

15.电容的选型及应用

（1）容量和误差；

（2）额定工作电压；

（3）绝缘电阻：越大越好，漏电越小；

（4）正切角损耗；

（5）温度系数；

（6）频率特性；

（7）等效串联电阻（ESR）

铝电解电容：低温不稳定：ESR变大，高温不稳定：寿命减少；接口、电源、入口处用；

16.谐振点频率

 ；谐振点阻抗最低，电容滤波原理：提供低阻抗的泄放通路；

电容越大，滤波滤低频，电容越小，滤波滤高频；

展频：通过不同容值，不同封装的电容并联；

电容有退耦半径；