sentaurus学习 GaN Hemt 仿真案例
由于影响本征器件工作特性的主要外部因素之一是源、漏极串联电阻𝑅𝑠和𝑅𝑑,在此核心模型验证中通过缩短𝐿sg和𝐿gd的长度,使得串联电阻的影响可忽略。同时用于 TCAD 仿真的器件沟道长度应尽可能的大,这样沟道长度调制效应对漏极电流的影响将可忽略。为便于仿真在器件底部成核层采用二氧化硅材料代替 AlN材料。缓冲层上面生成一层较薄的沟道层,通常采用不掺杂沟道层以便进一步提升二维电子气的迁移率,在核心模型的仿真验证工作中,将采用与缓冲层一样的低掺杂浓度。
原创
2023-08-17 11:04:00 ·
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