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模拟电子技术
文章平均质量分 91
来世不留倾城雪
What i cannot create,i do not understand.
Know how to solve every problem that has been solved.
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晶体管频率特性——高频等效模型、频率特性、π模型的单向化
晶体管高频等效模型通过之前的定性分析得出在高频情况下晶体管结电容将对信号传输带来较大影响。之前的 h 参数等效模型没有考虑结电容的影响,因此不再适用,此时要用新的模型来反映晶体管的结电容,这就是高频等效模型。此时从晶体管的实际物理结构出发来建立它的模型b’是假想的基区内的一个点rbb’ 是假想的基区内的一个点rb’e 发射结电阻rb’c 集电结电阻rce 输出电阻Cb’c 集电结电容Cb’e 发射结电容输出回路仍然用一个受控电流源来体现电流控制特性,但此处用一个电压控制的受控电流源 gm原创 2021-07-04 22:55:02 · 8551 阅读 · 3 评论 -
频率响应——频率响应基本概念;单时间常数RC电路频率响应
实际应用中,电子电路所处理的信号几乎都不是简单的单一频率信号,它们的幅度及相位通常都由固定比例关系的多频率分量组合而成,且具有一定的频谱。放大电路对不同频率信号的幅值放大不同。这样的失真称其为幅度失真。放大电路对不同频率信号产生的相移不同,表现为时间延时不同。这样的失真称其为相位失真。★ 非线性失真:信号进入器件的非线性区域,会产生新的频率分量。★ 频率失真:对不同频率的信号响应不同而造成的失真,不产生新的频率分量。由于放大电路中存在电抗元件(如管子的极间电容,电路的负载电容、分布电容、耦合电容原创 2021-01-12 21:21:24 · 12859 阅读 · 3 评论 -
其他组态放大电路——共集、共基放大电路;三种组态对比;复合管放大电路
共集放大电路共集放大电路对于交流信号而言,他的收入是从基极输入而负载则是从发射极取输出信号。而这里采用的是射极偏置图左。当然也可以利用分压偏置来构成这样的电路,就得到了分压偏置共集放大电路图右。由于共基放大电路是从发射极输出,因此还有一个更加常用的名字叫做射极输出器。这个两个电路的性能是基本相似的。首先对其进行静态分析将电容设为开路,就可以得到他的直流通路。基于对RB、RE支路的电压方程的讨论就可以得到 IB 的表达式,进而通过输出回路来求解得到UCEQ完成静态分析。由于这个电路采用的是射极偏置。因此原创 2021-01-06 22:28:41 · 11343 阅读 · 3 评论 -
静态工作点稳定方法——原理;分压偏置共射放大电路静态分析、动态分析
在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下,将引起静态工作点的变动,严重时将使放大电路不能正常工作,其中影响最大的是温度的变化。这样一个共射放大电路,从晶体管内部电流的分配关系上,知道上式。基于他的直流通路,我们知道 IB 等于UCC减去UBE 比上RB。在这个式子里,电源电压UCC和电阻RB 都是性能比较稳定的器件,可以认为在温度变化的时候,两个参数不会出现变化。而其他另外三个参数,β、UBE和 ICBO 都是对温度敏感的参数,★ 温度对UBE、β 和 ICBO 的影响的影响温度的升高原创 2021-01-05 20:03:39 · 47698 阅读 · 9 评论 -
放大电路微变等效法——交流分析思路;混合参数模型的建立、简化、参数确定;微变等效电路法
基本放大电路交流分析思路观察晶体管的特性曲线的时候,发现在晶体管特性曲线的局部范围,特性曲线具有线性化的特性。也就是在这些区域,可以用直线来替代特性曲线。当晶体管工作于这样一些线性区域的时候。可以通过晶体管的线性化将其等效为一个线性元件。进而就可以把晶体管所构成的放大电路等效为一个线性电路,这样就可以用熟悉的线性电路分析方法来对它进行分析了,这就是之前二极管电路分析中已经使用过的建模的一种思路和方法。在这样一个建模的思路下,建立经济管的等效模型显然是关键了。[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议原创 2021-01-03 19:36:01 · 4657 阅读 · 0 评论 -
放大电路静态分析——直流通路和交流通路;静态分析估算法、图解法
直流通路和交流通路在放大过程中交流和直流共存的状态,明确直流是基础,而交流则是驮载在直流之上被放大的信号。就像水上的小船一样,交流驮载在直流之上。同时,在电路结构中也有这样的一类原件,他们对直流分量和交流分量呈现的阻抗是不同的。电容:隔直通交,对中低频小信号来讲,直流信号的阻抗是无穷大,视为断路;对交流信号在电容上的压降可以忽略,可视为短路。电感:隔交通直,对中低频小信号来讲,直流信号而言阻抗很小,视为短路;对交流呈现感抗ωL,理想下视为断路。理想直流电压源:由于其电压恒定不变,即电压变化量等于零,原创 2021-01-01 20:17:25 · 39978 阅读 · 13 评论 -
晶体管放大电路基础——共射放大电路分析
放大的概念与放大电路的性能指标放大的本质:能量的控制与转换放大的基本要求:不失真——放大的前提静态: 放大电路没有输入信号时,电路中各点的电流和电压是直流信号,称为直流工作状态或静止工作状态,简称静态。动态:放大电路有输入信号时,电路中的电压和电流随交流信号而变化,称为动态。静态参数:静态工作点:输入电压ui为零时,晶体管各极的电流和管压降称为静态工作点Q,记作IBQ、ICQ(IEQ)、UBEQ、UCEQ。放大电路建立正确的静态工作点,是为了使三极管工作在线性区,以保证信号不失真。动态参数:原创 2021-01-01 17:15:58 · 6338 阅读 · 1 评论 -
晶体管——结构、工作原理、放大原理、伏安特性、主要参数
晶体管(transistor),是一种把输入电流进行放大的半导体元器件。晶体管的结构由三极、三区、两个结组成晶体管的放大原理晶体管能实现放大,必须从内部结构和外部偏置条件来保证。晶体管放大的内部条件集电区:面积最大;收集载流子基区:最薄,掺杂浓度最低;传送和控制载流子发射区:掺杂浓度最高;发射载流子晶体管放大的外部条件发射结正偏,集电结反偏晶体管内部载流子的运动规律参数定义结论外部条件:发射结正偏、集电结反偏电流分配关系把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特原创 2020-11-22 15:57:21 · 28810 阅读 · 5 评论 -
二极管基础及等效电路分析
二极管的组成点接触:结面积小,结允许电流小,结电容小,最高工作频率高面接触性:结面积大,结允许电流大,结电容大,最高工作频率低平面型:结面积可小、可大,小的工作频率高,大的结允许的电流大二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系 i=f (u)称为伏安特性。是一种非线性关系。工作区域划分当外加正向电压很低时,由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力,故正向电流很小几乎为零。这一区域称之为死区。外加正向电压超过死区电压时,内电场大大削弱,正向电流迅速增长,二极管进入正向原创 2020-10-30 14:35:36 · 22557 阅读 · 0 评论 -
半导体——本征半导体、杂质半导体、PN结
本征半导体有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)和一些硫化物、氧化物等 。半导体的导电特性热敏性:环境温度升高时,到点能力显著增强(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)光敏性:受到光照是,导电能力明显变化(可做成各种光敏元件)掺杂性:在纯净的半导体中,掺入适量的杂质,会使半导体的导电能力有成百万倍的增长,使半导体获得了强大的生命力。人们正是通过掺入某些特定的杂质元素,人为地、精确地控制半导体的导电能力,将其制造成各种性质、用途的半导体器件(原创 2020-10-29 16:51:49 · 16380 阅读 · 0 评论