51c嵌入式~电路~合集25

我自己的原文哦~    https://blog.51cto.com/whaosoft/13241709

一、“开关电源”和“普通电源”的区别

什么叫开关电源

    随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。

    开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。

    开关电源是相对线性电源说的，其输入端直接将交流电整流变成直流电，再在高频震荡电路的作用下，用开关管控制电流的通断，形成高频脉冲电流。在电感(高频变压器)的帮助下，输出稳定的低压直流电。

    由于变压器的磁芯大小与开关电源工作频率的平方成反比，频率越高铁心越小。这样就可以大大减小变压器，使电源减轻重量和体积。而且由于它直接控制直流，使这种电源的效率比线性电源高很多。这样就节省了能源，因此它受到人们的青睐。但它也有缺点，就是电路复杂、维修困难、对电路的污染严重；电源噪声大，不适合用于某些低噪声电路。

开关电源的特点

    开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。随着随着电力电子技术的发展和创新，目前开关电源主要以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用到几乎所有的电子设备，其重要性可见一斑。

开关电源的分类

    根据开关器件在电路中连接的方式，开关电源总的来说可分为串联式开关电源、并联式开关电源、变压器式开关电源等三大类。

    其中，变压器式开关电源还可以进一步分成：推挽式、半桥式、全桥式等多种。根据变压器的激励和输出电压的相位，又可以分成：正激式、反激式、单激式和双激式等多种。

开关电源和普通电源的区别

    普通的电源一般是线性电源，线性电源，是指调整管工作在线性状态下的电源。而在开关电源中则不一样，开关管(在开关电源中，我们一般把调整管叫做开关管)是工作在开、关两种状态下的：开 —— 电阻很小，关 —— 电阻很大。

    开关电源是一种比较新型的电源。它具有效率高，重量轻，可升、降压、输出功率大等优点。但是由于电路工作在开关状态，所以噪声比较大。

■ 举例说明：降压型开关电源

    我们来简单的说说降压型开关电源的工作原理：电路由开关（实际电路中为三极管或者场效应管），续流二极管、储能电感、滤波电容等构成。

    当开关闭合时，电源通过开关、电感给负载供电，并将部分电能储存在电感以及电容中。由于电感的自感，在开关接通后，电流增大得比较缓慢，即输出不能立刻达到电源电压值。

    一定时间后，开关断开，由于电感的自感作用（可以比较形象地认为电感中的电流有惯性作用），将保持电路中的电流不变，即从左往右继续流。这电流流过负载，从地线返回，流到续流二极管的正极，经过二极管，返回电感的左端，从而形成了一个回路。

    通过控制开关闭合跟断开的时间（即PWM——脉冲宽度调制），就可以控制输出电压。如果通过检测输出电压来控制开、关的时间，以保持输出电压不变，这就实现了稳压的目的。

    普通电源和开关电源相同的是都有电压调整管，利用反馈原理来进行稳压的，不同的是开关电源利用开关管进行调整，普通电源一般利用三极管的线性放大区进行调整。比较而言，开关电源的能耗低，对交流电压适用范围要宽，输出直流的波纹系数要好，缺点是开关脉冲干扰。

    普通半桥开关电源的主要工作原理就是上桥和下桥的开关管(频率高时开关管为VMOS)轮流导通，首先电流通过上桥开关管流入，利用电感线圈的存储功能，将电能集聚在线圈中，最后关闭上桥开关管，打开下桥的开关管，电感线圈和电容持续给外部供电。然后又关闭下桥开关管，再打开上桥让电流进入，就这样重复进行，因为要轮流开关两开关管，所以称为开关电源。

    而线性电源就不一样了，由于没有开关介入，使得上水管一直在放水，如果有多的，就会漏出来，这就是我们经常看到的某些线性电源的调整管发热量很大，用不完的电能，全部转换成了热能。从这个角度来看，线性电源的转换效率就非常低了，而且热量高的时候，元件的寿命势必要下降，影响最终的使用效果。

■ 主要区别：工作方式

    线性电源的功率调整管总是工作在放大区，流过的电流是连续的。由于调整管上损耗较大的功率，所以需要较大功率调整管并装有体积很大的散热器，发热严重，效率很低，一般在40%~60%（还得说是很好的线性电源）。

    线性电源的工作方式，使从高压变低压必须有降压装置，一般的都是变压器，也有别的像KX电源，再经过整流输出直流电压。这样一来体积也就很大，比较笨重，效率低、发热量也大；但也有优点：纹波小、调整率好、对外干扰小、适合用于模拟电路/各类放大器等。

    开关电源它的功率器件工作在开关状态，在电压调整时能量是通过电感线圈来临时贮存，这样他的损耗就小，效率也就高，对散热的要求低，但它对变压器和贮能电感也有了更高的要求，要用低损耗高磁导率的材料来做。它的变压器就是一个字小。总效率在80%～98%，开关电源的效率高但体积小，但是和线性电源比它的纹波，电压电流调整率就有一定的折扣了。

二、获取STM32代码运行时间

测试代码的运行时间的两种方法：

• 使用单片机内部定时器，在待测程序段的开始启动定时器，在待测程序段的结尾关闭定时器。为了测量的准确性，要进行多次测量，并进行平均取值。
• 借助示波器的方法是：在待测程序段的开始阶段使单片机的一个GPIO输出高电平，在待测程序段的结尾阶段再令这个GPIO输出低电平。用示波器通过检查高电平的时间长度，就知道了这段代码的运行时间。显然，借助于示波器的方法更为简便。

借助示波器方法的实例

    Delay_us函数使用STM32系统滴答定时器实现：

#include "systick.h"


/* SystemFrequency / 1000    1ms中断一次
 * SystemFrequency / 100000     10us中断一次
 * SystemFrequency / 1000000 1us中断一次
 */


#define SYSTICKPERIOD                    0.000001
#define SYSTICKFREQUENCY            (1/SYSTICKPERIOD)


/**
  * @brief  读取SysTick的状态位COUNTFLAG
  * @param  无
  * @retval The new state of USART_FLAG (SET or RESET).
  */
static FlagStatus SysTick_GetFlagStatus(void) 
{
if(SysTick->CTRL&SysTick_CTRL_COUNTFLAG_Msk) 
    {
return SET;
    }
else
    {
return RESET;
    }
}


/**
  * @brief  配置系统滴答定时器 SysTick
  * @param  无
  * @retval 1 = failed, 0 = successful
  */
uint32_t SysTick_Init(void)
{
/* 设置定时周期为1us  */
if (SysTick_Config(SystemCoreClock / SYSTICKFREQUENCY)) 
    { 
/* Capture error */
return (1);
    }


/* 关闭滴答定时器且禁止中断  */
    SysTick->CTRL &= ~ (SysTick_CTRL_ENABLE_Msk | SysTick_CTRL_TICKINT_Msk);                                                  
return (0);
}


/**
  * @brief   us延时程序,10us为一个单位
  * @param
  *        @arg nTime: Delay_us( 10 ) 则实现的延时为 10 * 1us = 10us
  * @retval  无
  */
void Delay_us(__IO uint32_t nTime)
{     
/* 清零计数器并使能滴答定时器 */
    SysTick->VAL   = 0;  
    SysTick->CTRL |=  SysTick_CTRL_ENABLE_Msk;     


for( ; nTime > 0 ; nTime--)
    {
/* 等待一个延时单位的结束 */
while(SysTick_GetFlagStatus() != SET);
    }


/* 关闭滴答定时器 */
    SysTick->CTRL &= ~ SysTick_CTRL_ENABLE_Msk;
}

    检验Delay_us执行时间中用到的GPIO(gpio.h、gpio.c)的配置：

#ifndef __GPIO_H
#define    __GPIO_H


#include "stm32f10x.h"


#define     LOW          0
#define     HIGH         1


/* 带参宏，可以像内联函数一样使用 */
#define TX(a)                if (a)    \
                                            GPIO_SetBits(GPIOB,GPIO_Pin_0);\
else        \
                                            GPIO_ResetBits(GPIOB,GPIO_Pin_0)
void GPIO_Config(void);


#endif


#include "gpio.h"


/**
  * @brief  初始化GPIO
  * @param  无
  * @retval 无
  */
void GPIO_Config(void)
{        
/*定义一个GPIO_InitTypeDef类型的结构体*/
        GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;


/*开启LED的外设时钟*/
        RCC_APB2PeriphClockCmd( RCC_APB2Periph_GPIOB, ENABLE); 


        GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0;    
        GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP;     
        GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; 
        GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStructure);    
}

    在main函数中检验Delay_us的执行时间：

    示波器的观察结果：

    可见Delay_us(100)，执行了大概102us，而Delay_us(1)执行了2.2us。

    更改一下main函数的延时参数：

    示波器的观察结果：

    可见Delay_us(100)，执行了大概101us，而Delay_us(10)执行了11.4us。

    结论：此延时函数基本上还是可靠的。​

使用定时器方法的实例

    Delay_us函数使用STM32定时器2实现：

#include "timer.h"


/* SystemFrequency / 1000            1ms中断一次
 * SystemFrequency / 100000     10us中断一次
 * SystemFrequency / 1000000         1us中断一次
 */


#define SYSTICKPERIOD                    0.000001
#define SYSTICKFREQUENCY            (1/SYSTICKPERIOD)


/**
  * @brief  定时器2的初始化,，定时周期1uS
  * @param  无
  * @retval 无
  */
void TIM2_Init(void)
{
    TIM_TimeBaseInitTypeDef  TIM_TimeBaseStructure;


/*AHB = 72MHz,RCC_CFGR的PPRE1 = 2，所以APB1 = 36MHz,TIM2CLK = APB1*2 = 72MHz */
    RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_TIM2, ENABLE);


/* Time base configuration */
    TIM_TimeBaseStructure.TIM_Period = SystemCoreClock/SYSTICKFREQUENCY -1;
    TIM_TimeBaseStructure.TIM_Prescaler = 0;
    TIM_TimeBaseStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_Up;
    TIM_TimeBaseInit(TIM2, &TIM_TimeBaseStructure);


    TIM_ARRPreloadConfig(TIM2, ENABLE);


/* 设置更新请求源只在计数器上溢或下溢时产生中断 */
    TIM_UpdateRequestConfig(TIM2,TIM_UpdateSource_Global); 
    TIM_ClearFlag(TIM2, TIM_FLAG_Update);
}


/**
  * @brief   us延时程序,10us为一个单位
  * @param  
  *        @arg nTime: Delay_us( 10 ) 则实现的延时为 10 * 1us = 10us
  * @retval  无
  */
void Delay_us(__IO uint32_t nTime)
{     
/* 清零计数器并使能滴答定时器 */
    TIM2->CNT   = 0;  
    TIM_Cmd(TIM2, ENABLE);     


for( ; nTime > 0 ; nTime--)
    {
/* 等待一个延时单位的结束 */
while(TIM_GetFlagStatus(TIM2, TIM_FLAG_Update) != SET);
     TIM_ClearFlag(TIM2, TIM_FLAG_Update);
    }


    TIM_Cmd(TIM2, DISABLE);
}

    在main函数中检验Delay_us的执行时间：

#include "stm32f10x.h"
#include "Timer_Drive.h"
#include "gpio.h"
#include "systick.h"


TimingVarTypeDef Time;


int main(void)
{    
    TIM2_Init();    
    SysTick_Init();
    SysTick_Time_Init(&Time);


for(;;)
    {
        SysTick_Time_Start(); 
        Delay_us(1000);
        SysTick_Time_Stop();
    }     
}

    怎么去看检测结果呢？用调试的办法，打开调试界面后，将Time变量添加到Watch一栏中。然后全速运行程序，既可以看到Time中保存变量的变化情况，其中TimeWidthAvrage就是最终的结果。

    可以看到TimeWidthAvrage的值等于0x119B8,十进制数对应72120，滴答定时器的一个滴答为1/72M（s），所以Delay_us(1000)的执行时间就是72120*1/72M (s) = 0.001001s，也就是1ms。验证成功。

    备注：定时器方法输出检测结果有待改善，你可以把得到的TimeWidthAvrage转换成时间（以us、ms、s）为单位，然后通过串口打印出来，不过这部分工作对于经常使用调试的人员来说也可有可无。相关推荐:学习STM32单片机，绕不开的串口。​

两种方法对比

软件测试方法

    操作起来复杂，由于在原代码基础上增加了测试代码，可能会影响到原代码的工作，测试可靠性相对较低。由于使用32位的变量保存systick的计数次数，计时的最大长度可以达到2^32/72M = 59.65 s。

示波器方法

    操作简单，在原代码基础上几乎没有增加代码，测试可靠性很高。由于示波器的显示能力有限，超过1s以上的程序段，计时效果不是很理想。但是，通常的单片机程序实时性要求很高，一般不会出现程序段时间超过秒级的情况。

三、盘点重要的电路保护元件

  电子电路很容易在过压、过流、浪涌等情况发生的时候损坏，随着技术的发展，电子电路的产品日益多样化和复杂化，而电路保护则变得尤为重要。电路保护元件也从简单的玻璃管保险丝，变得种类更多，防护性能更优越。

    在各类电子产品中，设置过压保护和过流保护变得越来越重要，那么电路保护的意义到底是什么，本文就来跟大家聊一聊：

• 由于如今电路板的集成度越来越高，板子的价格也跟着水涨船高，因此我们要加强保护。
• 半导体器件，IC的工作电压有越来越低的趋势，而电路保护的目的则是降低能耗损失，减少发热现象，延长使用寿命。
• 车载设备，由于使用环境的条件比一般电子产品更加恶劣，汽车行驶状况万变，汽车启动时产生很大的瞬间峰值电压等。因此，在为这些电子设备配套产品的电源适配器中，一般要使用过压保护元件。
• 通信设备，通信场所对防雷浪涌有一定的要求，在这些设备中使用过压保护、过流保护元件就变得重要起来，它们是保证用户人身安全和通信正常的关键。
• 大部分电子产品出现的故障，都是电子设备电路中出现的过压或者电路现象造成的，随着我们对电子设备质量的要求越来越高，电子电路保护也变得更加不容忽视。

    那么电路保护如此重要，常用的电路保护元件有哪些？今天就给大家介绍几种。

一、防雷器件

1、陶瓷气体放电管：

    防雷器件中应用最广泛的是陶瓷气体放电管，之所以说陶瓷气体放电管是应用最广泛的防雷器件，是因为无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷，陶瓷气体放电管都能起到很好的防护作用。

    其最大的特点是通流量大，级间电容小，绝缘电阻高，击穿电压可选范围大。

2、半导体放电管：

    半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。

    固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。

3、玻璃放电管：

    玻璃放电管（强效放电管、防雷管）是20世纪末新推出的防雷器件，它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点：绝缘电阻高（≥10^8Ω）、极间电容小（≤0.8pF）、放电电流较大（最大达3 kA）、双向对称性、反应速度快（不存在冲击击穿的滞后现象）、性能稳定可靠、导通后电压较低，

    此外还有直流击穿电压高（最高达5000V）、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大（±20%）。

二、过压器件

1、压敏电阻：

    压敏电阻也是一种用得最多的限压器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。

    压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千pF的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。

2、贴片压敏电阻的作用：

    贴片压敏电阻主要用于保护元件和电路，防止在电源供应、控制和信号线产生的ESD。

3、瞬态抑制二极管：

    瞬态抑制器TVS二极管广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级保护。基本都会是用于在陶瓷气体放电管之后的二级保护，也有用户直接将其用于产品的一级保护。

    其特点为反应速度快(为 ps 级) ，体积小 ，脉冲功率较大 ，箝位电压低等。其 10/1000μs波脉冲功率从400W ～30KW，脉冲峰值电流从 0.52A～544A ；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。 

三、过流器件

1、自恢复保险丝：

    自恢复保险丝PPTC就是一种过流电子保护元件，采用高分子有机聚合物在高压、高温，硫化反应的条件下，搀加导电粒子材料后，经过特殊的工艺加工而成。自恢复保险丝（PPTC：高分子自恢复保险丝）是一种正温度系数聚合物热敏电阻，作过流保护用，可代替电流保险丝。

    电路正常工作时它的阻值很小（压降很小），当电路出现过流使它温 度升高时，阻值急剧增大几个数量级，使电路中的电流减小到安全值以下，从而使后面的电路得到保护，过流消失后自动恢复为低阻值。

四、静电元件

1、ESD静电放电二极管：

    ESD静电放电二极管是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD静电二极管是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。

    可提供非常低的电容，具有优异的传输线脉冲（TLP）测试，以及IEC6100-4-2测试能力，尤其是在多采样数高达1000之后，进而改善对敏感电子元件的保护。

2、电感的作用：

    电磁的关系相信大家都清楚，电感的作用就是在电路刚开始的时候，一切还不稳定的时候，如果电感中有电流通过，就一定会产生一个与电流方向相反的感应电流(法拉第电磁感应定律)，等到电路运行了一段时间后，一切都稳定了，电流没有什么变化了，电磁感应也就不会产生电流，这时候就稳定了，不会出现突发性的变故，从而保证了电路的安全，就像水车，一开始由于阻力转动的比较慢，后来慢慢趋于平和。

3、磁珠的作用：

    磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果，在以太网芯片上用到过。

四、7种倾斜传感器的设计选择

本文介绍了倾斜传感器的种类与选择技巧，介绍了它们的工作原理、特点、优势和应用领域。此外，文章还讨论了倾斜传感器在应用时可能面临的问题，并提供了相应的解决方案。最后，文章总结了各种倾斜传感器的应用特性，强调了在选择倾斜传感器时需要综合考虑各种因素，以确保系统的性能和可靠性。

倾斜传感器，又称倾角传感器或倾斜计，是一种测量物体相对于重力场的倾斜角度的设备。这些传感器在各种应用中都有广泛的使用，包括工业自动化、航空航天、楼宇、汽车和消费类电子产品等领域。

倾斜传感器的类型繁多且特性不同

倾斜传感器所采用的原理相当多样，包括使用加速度计原理的倾斜传感器，利用物体受到重力时的加速度来计算倾斜角度；另一种常见的倾斜传感器则使用陀螺仪技术，测量物体的旋转速度；有些倾斜传感器使用振动传感技术，通过测量物体的振动来计算其倾斜角度。

此外，还有光学式的激光倾斜传感器，使用内建的激光发射器和光学器件，通过测量光束的角度来确定物体的倾斜；以及使用电容传感器测量电容变化，根据物体的倾斜来计算角度的电容式倾斜传感器；另外还有利用内建的磁场传感器，测量地球磁场的变化，从而推断倾斜角度的磁性倾斜传感器；还有利用摆动原理来测量倾斜角度的摆式倾斜传感器。这些倾斜传感器利用的原理各异，也具有不同的特性与应用领域。

1.加速度计倾斜传感器​

加速度计倾斜传感器是一种使用加速度计技术测量倾斜角度的器件，其通常使用微机电系统（MEMS）技术实现，其中微小的弹簧或质量悬浮在芯片上，受到加速度时会产生微小的位移，再通过检测这种位移的变化来测量加速度。得到加速度后，进行积分计算以获得速度，再进一步进行积分计算得到位移，这样就可以跟踪物体的运动情况，包括倾斜角度。

加速度计倾斜传感器的设计通常相对简单，且制造成本相对较低，其通常使用微机电系统（MEMS）技术，因此可以实现小尺寸和轻量化，适用于空间受限或需要轻量化的应用。与某些其他倾斜传感技术相比，加速度计倾斜传感器通常具有较低的功耗，这在电池供电或需要长时间运行的应用中很有利。加速度计倾斜传感器在一些静态应用中表现良好，例如楼宇倾斜监测、平台水平度监测等。

不过，由于加速度计倾斜传感器使用积分计算得到倾斜角度，因此容易受到积分漂移的影响，随着时间的推移可能累积误差。对于高动态应用，例如振动或高加速度环境下，加速度计倾斜传感器的性能可能受到限制，因为加速度计主要设计用来测量加速度而非快速的动态变化，因此其灵敏度到限制，高灵敏度的需求可能难以实现，特别是对于小角度变化的高精确度要求。

2.陀螺仪倾斜传感器​

陀螺仪倾斜传感器是一种使用陀螺仪技术测量倾斜角度的器件。其基本原理是利用陀螺仪测量物体绕着其轴线的旋转速度，即角速度，得到角速度后，可以对其进行积分计算，以获得物体相对于初始位置的倾斜角度，这种方法可以跟踪物体的倾斜状态。

陀螺仪倾斜传感器通常能够提供较高的精确度，尤其在跟踪快速变化或小角度变化时表现较好。陀螺仪主要用于测量角速度，因此在动态应用中的性能较优，对快速动态变化有较高的灵敏度。

相对于加速度计倾斜传感器，陀螺仪倾斜传感器较少受到积分漂移的影响，可以较长时间保持准确度。陀螺仪不容易受到振动的影响，因此在振动环境中的性能相对稳定。

不过，陀螺仪倾斜传感器的制造成本相对较高，因此在某些应用中可能不够经济实惠。陀螺仪技术相对复杂，设备中可能需要更多的电子器件和复杂的算法来处理数据。

陀螺仪倾斜传感器通常需要较大的电力供应，这可能在电池供电或需要长时间运行的应用中造成问题，且温度变化也许会对陀螺仪的性能产生影响，可能需要额外的补偿措施。

3.振动式倾斜传感器​

振动式倾斜传感器是一种利用振动原理测量倾斜角度的器件，其通常包含一个或多个振动器件，如摆动的弹簧或悬吊的质量。这些器件在倾斜时会受到地球引力的影响而发生振动。

振动式倾斜传感器通常会使用陀螺仪或加速度计等传感器件来检测振动的特性，包括频率、振幅等。当倾斜角度改变时，振动特性也会相应变化。传感器的设计中可能包括信号处理单元，用来解析振动的变化，并转换为倾斜角度的数据。

振动式倾斜传感器通常具有较低的功耗，这使它们在需要长时间运行且电力供应有限的应用中具有优势。由于基于振动原理，这类传感器对于动态环境的适应性较好，能够应对振动或加速度变化。其多采用微机电系统（MEMS）技术，使得振动式倾斜传感器可以实现小尺寸和轻量化，适用于空间受限或需要轻量化的应用。

这类传感器通常具有良好的环境耐受特性，例如防水、防尘、抗振等，使其适用于各种环境。相对于一些高精确度的倾斜传感器，振动式倾斜传感器通常具有较经济的价格。不过，振动式倾斜传感器的精确度通常较低，不适用于高精确度的应用，且外部振动可能对传感器的测量结果产生干扰，需要额外的滤波或校准措施。

4.激光倾斜传感器​

激光倾斜传感器是一种使用激光技术测量倾斜角度的器件，通常基于光学干涉原理，其中一束激光被分为两条光线，分别经过不同的光程，这两条光线在传感器的检测区域交叉，形成干涉条纹。

当传感器发生倾斜时，至少一条光线的光程会变化，导致干涉条纹的移动。通过检测这种干涉条纹的变化，可以计算出倾斜角度。系统中包括一些光学器件，如分光镜或反射镜，用来引导激光束，以及检测干涉条纹的变化。

激光倾斜传感器通常具有较高的精确度，尤其在需要测量微小角度变化的应用中表现优越。由于使用激光干涉原理，这种传感器对倾斜角度的变化非常灵敏，能够应对小角度变化。

相较于某些振动传感器，激光倾斜传感器不容易受到外部振动的影响，因为干涉条纹的变化主要受到倾斜导致的光程变化的影响。光学系统通常可以被设计成对不同环境条件（如温度、压力等）具有较好的适应性。激光倾斜传感器的测量过程是无接触的，适用于一些需要避免机械接触的应用，并减少了磨损和损耗。

由于高精确度和复杂的光学系统，激光倾斜传感器通常较昂贵，且对环境较为敏感，某些环境变化，如温度的变化，可能会影响传感器的性能，需要进行额外的校准和补偿。

5.电容式倾斜传感器​

电容式倾斜传感器是一种使用电容原理来测量倾斜角度的器件。电容器是两个导体之间的电荷存储器，其大小与两导体之间的距离和面积有关。当传感器发生倾斜时，内部的传感器件的相对位置会改变，从而影响电容的变化。

电容式倾斜传感器通常包含两个电容传感器件，这些器件的相对位置会根据设备的倾斜角度而改变。电容式倾斜传感器使用读取电路来检测两电容之间的变化，这种变化可以被转换成倾斜角度的数据。

电容式倾斜传感器通常能够提供较高的精确度，特别是对于小角度的变化。这种传感器通常能够应对广泛的倾斜角度范围，从微小的角度到大范围的倾斜。由于电容式倾斜传感器不需要机械部分，其响应速度相对较快，可以实时反应倾斜状态的变化。

电容式倾斜传感器使用微机电系统（MEMS）技术，可以实现小尺寸和轻量化，适用于空间受限或需要轻量化的应用。相较于某些其他倾斜传感技术，电容式倾斜传感器通常具有较低的功耗，这在电池供电或需要长时间运行的应用中很有利。

电容式倾斜传感器通常能够适应不同的环境条件，并具有良好的环境耐受特性。相较于一些高精确度的倾斜传感器，电容式倾斜传感器的制造成本通常相对较低。不过，温度的变化可能会影响电容式倾斜传感器的性能，需要额外的校准和补偿。另外，电容式传感器可能受到外部电场的干扰，这需要特殊的设计或屏蔽来减小影响。

6.磁性倾斜传感器​

磁性倾斜传感器是一种使用磁感应原理测量倾斜角度的器件，其基于磁感应原理，其中包含一个或多个磁性传感器件，通常是磁场传感器（例如霍尔效应传感器）。

磁性倾斜传感器是以地球的磁场作为参考，当倾斜传感器发生倾斜时，传感器件的相对位置相对于地磁场会发生变化。当传感器倾斜时，磁场传感器件测量到的地磁场的投影会发生变化，这种变化可以被转换成倾斜角度的数据。

磁性倾斜传感器通常适应广泛的倾斜角度范围，从微小的角度到相对大范围的倾斜。与光学传感器不同，磁性倾斜传感器不受外部光线的影响，因此在光线环境变化较大的应用中更稳定。磁性倾斜传感器通常也不容易受到振动的影响，这使其在振动环境中表现较为稳定。

由于不需要机械移动部分，磁性倾斜传感器的响应速度相对较快，能够实时反应倾斜状态的变化。相对于某些高精确度的倾斜传感技术，磁性倾斜传感器的制造和操作相对简单，成本较低。

7. 摆式倾斜传感器​

摆式倾斜传感器是一种常见的倾斜传感器，也被称为倾角摆，其原理基于物理学中的摆动原理，摆式倾斜传感器又可分成固体式、液体式与气体式。

固体摆式倾斜角传感器的原理基于摆动的物理原理，根据重力和摆动的作用，当摆臂受到倾斜时，摆杆上的质量就会发生摆动。这个摆动的角度与倾斜角度有关，因此可以通过测量摆杆的摆动来推断倾斜角度。固体摆式倾斜传感器在一些应用中具有良好的精确度和灵敏度，但在选择时需要考虑其尺寸、成本和特定应用的需求。

液体摆式倾斜传感器基于液体在容器内的摆动原理，当容器倾斜时，液体内的表面将跟随容器倾斜，形成一个斜坡。传感器通常设计成具有一个或多个摆动轴，使得摆动能够反映倾斜的方向和角度。液体摆式倾斜传感器具有一些优势，如简单的机械结构和相对低的成本。然而，在选择时仍需根据特定应用需求仔细评估其性能。

气体摆式倾斜传感器原理是使用气体压力传感技术，这种传感器可能包含一个气体室，当倾斜时，气体在室内移动，改变气体室内的压力。传感器件可以感知这种压力变化，并转换为相应的电信号。具体的气体摆式倾斜传感器的原理和特性可能因制造商和应用而异。在选择传感器时，建议查阅相关的技术规格表和文件以获得更详细的信息。​

选择倾斜传感器的注意事项

选择倾斜传感器时，需要考虑多个因素，以确保适应特定应用需求。首先应确定传感器是否用于静态或动态环境。某些传感器可能更适用于稳定的环境，而另一些可能适用于动态或振动环境。

由于倾斜传感器的技术相当多样，因此应了解不同传感器技术的特点，并确保传感器的精确度和分辨率符合应用的要求，某些应用可能需要高精确度和细小的分辨率，并考虑传感器的灵敏度，以确保它能够满足应用中可能出现的倾斜角度范围。

对于动态应用，应了解传感器的动态特性，确保它能够稳定地工作，并不受外部振动和加速度的影响。此外，应考虑倾斜传感器应用的环境条件，考虑传感器在不同温度和湿度条件下的性能，以及是否需要防护功能，如防水、防尘等。对于有空间限制的应用，选择体积小、重量轻的传感器可能更为合适。

此外，还需考虑传感器的预期使用寿命，以及其在长期使用中的稳定性和可靠性，并确定传感器的成本是否符合预算，同时不要牺牲过多性能。此外也需确保传感器的输出接口符合系统或应用的需求，例如数字或模拟输出。最后，应选择信誉良好的制造商，并检查相关产品的评价和应用实例。

总体来说，选择倾斜传感器需要全面考虑特定应用的需求，通常需要权衡不同特性之间的优先次序。在进行选择前，进行充分的研究、测试和评估，以确保所选择的传感器符合预期的性能和可靠性。​

倾斜传感器的设计注意事项与解决方案

倾斜传感器在应用时可能面临一些常见的问题，这些问题可能来自环境、设备或传感器本身的因素。首先要面对的是校准问题，倾斜传感器的校准可能受到外部环境或设备条件的影响，导致测量不准确。因此应定期进行校准，使用精确的校准工具，并在实际应用场景中考虑设备的固定和安装。

温度变化也可能影响传感器的性能，导致漂移或不准确的测量，解决方案是选择具有较好温度稳定性的传感器，或者使用温度补偿技术，例如在传感器附近安装温度传感器以进行校正。

另一方面，振动可能导致传感器的误差，特别是在动态应用中。此时应使用具抗振设计的传感器，或者在固定传感器时考虑使用阻尼材料，以减缓振动的影响。

应用环境周围的电磁干扰也可能导致传感器的电子器件故障或测量不准确。应使用防EMI（电磁干扰）的传感器，或在传感器周围使用屏蔽材料，以减少外部电磁场对传感器的影响。

在恶劣环境下，如高温、高湿或具腐蚀性的环境中，传感器的耐久性可能受到威胁。应选择具有防水、防尘、防腐蚀特性的传感器，并确保传感器符合应用场景的要求。

此外，不正确的安装和固定可能导致传感器的不稳定性和测量错误。应按照制造商的建议进行正确的安装和固定，使用适当的固定工具，确保传感器处于稳定的位置。另一方面，电源问题或连接问题可能导致传感器无法正常工作。此时应确保传感器的电源稳定，检查连接线是否完好，并进行必要的电气检查。

最终，成本仍是重要的考虑因素，必须在有限预算下，平衡传感器的性能和成本。应仔细评估应用的需求，选择符合性能要求的传感器，同时考虑预算因素。

在遇到问题时，及时与传感器制造商或供应商联系，并根据其建议进行解决方案的调整和实施。定期的保养和监测也是确保倾斜传感器长期稳定运行的关键。

类型	应用特性​
加速度计倾斜传感器	加速度计倾斜传感器适用于一些对成本和尺寸较为敏感的应用，但在某些动态性能较高、精确度要求较高的应用中，可能需要考虑其他更复杂的倾斜传感技术。
陀螺仪倾斜传感器	陀螺仪倾斜传感器在高精确度和动态性能上表现优越，特别适合需要快速而精确测量倾斜的应用，但仍需考虑到设备的成本、能耗以及复杂度。
振动式倾斜传感器	振动式倾斜传感器在某些应用中是一种经济实惠且适用的解决方案，特别是在需要低功耗、动态性能良好、且价格较低的场景，但仍需根据需求来评估其精确度和性能是否足够。
激光倾斜传感器	激光倾斜传感器是一种高精确度、灵敏度较高且无接触测量的技术，适用于对测量精度要求较高的应用，但在选择时需考虑成本和应用需求，其受限于视线可见性和光学影响。
电容式倾斜传感器	电容式倾斜传感器是一种广泛应用且性能稳定的技术，特别适合工业自动化、楼宇工程、车辆倾斜监测、消费类电子等对倾斜角度测量要求较高，且成本较为敏感的应用。
磁性倾斜传感器	磁性倾斜传感器是一种成本较低、应用范围广泛的倾斜传感技术。选择时需考虑应用环境和需求，以确保传感器能够达到所需的精确度和稳定性。
摆式倾斜传感器	摆式倾斜传感器又可分成固体式、液体式与气体式。摆式倾斜传感器在一些应用中具有良好的精确度和灵敏度，但在选择时需要考虑其尺寸、成本和特定应用的需求。

结语​

在选择倾斜传感器时，应考虑多个因素，以确保其在特定应用中能够提供准确且可靠的倾斜测量，像是精确度需求、倾斜范围、动态性能、环境条件、耐外部干扰、电源要求、成本、尺寸和重量、校准和维护、通信接口等需求，综合考虑这些因素，可以更好地选择适合特定应用需求的倾斜传感器，确保系统的性能和可靠性。

五、MCU都有哪些高级用法

都说MCU本身不算什么高级东西，在MCU开发过程中，需要按照一定的标准化来执行，比如对变量，函数的定义，要确定他的生命周期，调用范围，访问条件等；常用的通信协议读写的协议往往应该抽象化，规定固定的输入输出，方便产品移植。

但实际上，很多时候，针对同一个需求其实有多种实现方案，但总有一个最优解。所以在这个过程中，总会有一些“脑洞大开”的操作，为人提供很多思路，今天就举几个例子给大家作为参考。

那些很惊艳的用法

当需要通过串口接收一串不定长数据时，可以使用串口空闲中断；这样就可以避免每接收到一个字符就需要进入中断进行处理，可以减少程序进入中断次数从而提高效率。

当需要测量一个波形的频率时，很多人会选择外部中断，其实通过定时器的外部时钟输入计数波形边沿，然后定时读取计数值计算频率的方式可以大大减少中断触发频率，提高程序执行效率。

在处理复杂的多任务场景时，可以利用实时操作系统（RTOS）来管理任务调度，提高系统的响应性和资源利用率。

对于需要低功耗运行的场景，可以采用动态电压频率调整（DVFS）技术，根据系统负载实时调整 MCU 的工作电压和频率，以降低功耗。

在进行数据存储时，采用闪存的磨损均衡算法，延长闪存的使用寿命。

利用硬件加密模块（如 AES 加密引擎）来保障数据的安全性和保密性，而不是通过软件实现加密，提高加密效率和安全性。

对于传感器数据的处理，采用数字滤波算法（如卡尔曼滤波），提高数据的准确性和稳定性。

当需要与多个设备进行通信时，采用总线仲裁机制和优先级设置，确保通信的高效和稳定。

在进行电源管理时，通过监测电源电压和电流，实现智能的电源管理策略，例如在低电量时进入低功耗模式。

对于实时性要求极高的控制任务，采用硬件直接触发中断，而不是通过软件轮询，减少响应延迟。

在单片机上跑的任何非线性系统的动态控制，都是高级用法。

用单片机去实现某种特殊的运动控制，赚很多钱，就是高级用法。

GPIO模拟一切

名为ShiinaKaze的网友，就非常“勇”，做了一个很折磨的事。

他用STM32F1利用GPIO模拟摄像头接口驱动OV2640摄像头模块。他表示，这是一个很折磨人的过程，我最多优化到了 1.5 FPSQ，所以选型一定要选好，不要折磨自己。设备采用STM32F103C8T6，OV2640，实现效果如下：

OV2640实际时序图：

这个项目难点在于：

1.SCCB 模拟:SCCB 是12C-bus 的改版，主要是 OV2640 模块没有上拉电阻，无法进行通信，花了好长时间才发现这个问题；

2.并行接口的模拟:如果使用 IO 模拟的话，只能达到1FPS，但是使用了 Timer 和 DMA，就可以达到 1.5～2 FPS。

关于 image sensor 的数据接收和处理的问题背景：现有 ov2640 image sensor，接口为 DCMI（并行接口）问题：现有 STM32H7 想获取 OV2640 的 mjpeg 流数据，并通过传输数据到 PC 软件。

1.采用 USART 还是 USB？

2.接收数据选择哪种中断，Line interrupt 还是 Frame interrupt ？

3.DCMI 通过 DMA 将数据转到 RAM 中的 Buffer，那么 Buffer 该如何设计，是设置一块大的连续 buffer？还是需要做一个 ring buffer，避免数据覆盖和数据顺乱？

4.触发中断后，是否关闭 DCMI 和 DMA ？

嵌入式软件架构挺重要的，特别是大型项目。这是 STM32 的软件架构，不知道各位还有没有其他架构。

有网友吐槽，你要是在学校，我敬你是条汉子，你要是在工作岗位上干这事，那你们的架构也太坏了。而他也表示——“我错了，再也不模拟了。”

关于MCU不一样的观点

虽然如此，很多人还是认为，MCU不高级，使用单片机也不高级。高级的内容都是可以发论文的，使用单片机发不了论文。但使用单片机解决指定的任务，这很高级。

尤其是上面所说的一些例子，确实是MCU外设的一些高端玩法。只不过，这些机制可能只是一种标准用法。名为lion187的网友就表示，毕竟许多硬件机制有实际需求后才添加进来的，比如接收不定长数据，最初没有超时中断的情况下只能软件实现，极大的浪费了CPU的效率，所以才设计了超时中断来减少软件工作量，进而形成了一种标准使用方法。

当然，这也是芯片设计和制造工艺的提升带来的红利，早期芯片设计和工艺无法满足复杂外设电路时，谁也不敢会去想用硬件来实现这么复杂的功能，任何产品的开发，都离不开具体业务需求，MCU也不例外。

对产品来说，MCU外设的驱动只是完成开发的基本要素，更多的工作是围绕着业务逻辑展开的应用程序的开发。这时候数据结构与算法，各种控制算法和数值计算方法，设计模式，软件工程和设计理念成了高级的东西。

比如说，Linux 内核中的各驱动子系统的设计，设备对象和驱动对象这些沿用了 C++ 面向对象编程的思路，其实也可以沿用到 MCU的开发中，将设备与驱动分离，就可以使用同一套驱动算法来实现同类设备的不同驱动方法。比如:同一个 UART 驱动可以根据配置的不同来驱动 UARTO，也可以驱动 UART1，而且波特率也可以不同(只要为 UART 类创建不同的实例对象就可以了，用 C 语言就行)，这就是 C++ 中方法与属性分离带来的好处。

同样在业务应用部分，单件模式、工厂模式等设计模式，状态机模型的使用也会给开发带来很多便利，使系统结构清晰，有效减少Bug数量，且易于维护和扩展。

当然，也有人认为，论高级还得是FPGA。就比如AMD（赛灵思）的ZYNQ，当你需要通过串口接收一串不定长数据时，可以直接用Programmable Logic部分写一个专用的，最终结果放到DRAM里，发个信号通知ARM处理器来读就好了；当你需要测量一个波形的频率时，可以直接用Programmable Logic部分写一个专用的，实时不间断测量。这就很高级。

所以，对此你有什么看法，你有什么很“高级”的用法想要分享？

参考文献

​​https://www.zhihu.com/question/623077193​​​

六、EMC防护中的滤波电容

  为什么总是在电路里摆两个0.1uF和0.01uF的电容？

旁路和去耦

    旁路电容（Bypass Capacitor）和去耦电容（Decoupling Capacitor）这两个概念在电路中是常见的，但是真正理解起来并不容易。

    要理解这两个词汇，还得回到英文语境中去。

    Bypass在英语中有抄小路的意思，在电路中也是这个意思，如下图所示。

    couple在英语中是一对的意思，引申为配对、耦合的意思。如果系统A中的信号引起了系统B中的信号，那么就说A与B系统出现了耦合现象（Coupling），如下图所示。而Decoupling就是减弱这种耦合的意思。

电路中的旁路和去耦

    如下图中，直流电源Power给芯片IC供电，在电路中并入了两个电容。相关推荐:常见滤波电路分析技巧。

旁路

    如果Power受到了干扰，一般是频率比较高的干扰信号，可能使IC不能正常工作。在靠近Power处并联一个电容C1，因为电容对直流开路，对交流呈低阻态。频率较高的干扰信号通过C1回流到地，本来会经过IC的干扰信号通过电容抄近路流到了GND。这里的C1就是旁路电容的作用。

去耦

    由于集成电路的工作频率一般比较高，IC启动瞬间或者切换工作频率时，会在供电导线上产生较大的电流波动，这种干扰信号直接反馈到Power会使其产生波动。在靠近IC的VCC供电端口并联一个电容C2，因为电容有储能作用，可以给IC提供瞬时电流，减弱IC电流波动干扰对Power的影响。这里的C2起到了去耦电容的作用。

为什么要用两个电容

    回到本文最开始提到的问题，为什么要用0.1uF和0.01uF的两个电容？

    电容阻抗和容抗计算公式分别如下：

    容抗与频率和电容值成反比，电容越大、频率越高则容抗越小。可以简单理解为电容越大，滤波效果越好。那么有了0.1uF的电容旁路，再加一个0.01uF的电容不是浪费吗？

    实际上，对一个特定电容，当信号频率低于其自谐振频率时呈容性，当信号频率高于其自谐振频率时呈感性。当用0.1uF和0.01uF的两个电容并联时，相当于拓宽了滤波频率范围。

七、常见滤波电路分析技巧

在整流电路输出的电压是单向脉动性电压，不能直接给电子电路使用。所以要对输出的电压进行滤波， 消除电压中的交流成分，成为直流电后给电子电路使用。在滤波电路中，主要使用对交流电有特殊阻抗特性的器件，如：电容器、电感器。本文对其各种形式的滤波电路进行分析。

滤波电路种类

    滤波电路主要有下列几种：

• 电容滤波电路，这是最基本的滤波电路；
• π 型 RC 滤波电路；
• π 型 LC 滤波电路；
• 电子滤波器电路。

滤波原理

单向脉动性直流电压的特点

    如下图所示。是单向脉动性直流电压波形，从图中可以看出，电压的方向性无论在何时都是一致的， 但在电压幅度上是波动的，就是在时间轴上，电压呈现出周期性的变化，所以是脉动性的。

    但根据波形分解原理可知，这一电压可以分解一个直流电压和一组频率不同的交流电压，如下图所示。在图中，虚线部分是单向脉动性直流电压 U。中的直流成分，实线部分是 UO 中的交流成分。

电容滤波原理

    根据以上的分析，由于单向脉动性直流电压可分解成交流和直流两部分。在电源电路的滤波电路中，利用电容器的“隔直通交”的特性和储能特性，或者利用电感“隔交通直”的特性可以滤除电压中的交流成分。讲解电容的视频：​​看老外怎么讲解电容工作原理​​。下图所示是电容滤波原理图。相关推荐：看老外怎么讲解电容工作原理。

    下图 (a)为整流电路的输出电路。交流电压经整流电路之后输出的是单向脉动性直流电，即电路中的 UO。

    下图 (b)为电容滤波电路。由于电容 C1 对直流电相当于开路，这样整流电路输出的直流电压不能通过C1 到地，只有加到负载 RL 图为 RL 上。对于整流电路输出的交流成分， 因 C1 容量较大， 容抗较小，交流成分通过 C1 流到地端，而不能加到负载 RL。这样，通过电容 C1 的滤波， 从单向脉动性直流电中取出了所需要的直流电压 +U。

    滤波电容 C1 的容量越大，对交流成分的容抗越小，使残留在负载 RL 上的交流成分越小，滤波效果就越好。

电感滤波原理

    下图所示是电感滤波原理图。由于电感 L1 对直流电相当于通路，这样整流电路输出的直流电压直接加到负载 RL 上。

    对于整流电路输出的交流成分，因 L1 电感量较大，感抗较大，对交流成分产生很大的阻碍作用，阻止了交流电通过 C1 流到加到负载 RL。这样，通过电感 L1 的滤波，从单向脉动性直流电中取出了所需要的直流电压 +U。

    滤波电感 L1 的电感量越大，对交流成分的感抗越大，使残留在负载 RL 上的交流成分越小，滤波效果就越好，但直流电阻也会增大。

π 型 RC滤波电路识图方法

    下图所示是 π 型 RC 滤波电路。电路中的 C1、C2 和 C3 是 3 只滤波电容，R1 和 R2 是滤波电阻，C1、R1 和C2 构成第一节 π 型的 RC 滤波电路， C2、R2 和 C3 构成 第二节 π 型 RC 滤波电路。由于这种滤波电路的形式如同希腊字母 π 和采用了电阻器、电容器，所以称为 π 型 RC 滤波电路。

    π 型 RC 滤波电路原理如下：

    （1）这一电路的滤波原理是：从整流电路输出的电压首先经过 C1 的滤波，将大部分的交流成分滤除，然后再加到由 R1 和 C2 构成的滤波电路中。C2 的容抗与 R1 构成一个分压电路，因 C2 的容抗很小，所以对交流成分的分压衰减量很大，达到滤波目的。对于直流电而言，由于 C2 具有隔直作用，所以 R1 和 C2 分压电路对直流不存在分压衰减的作用，这样直流电压通过 R1 输出。

    （2）在 R1 大小不变时，加大 C2 的容量可以提高滤波效果，在 C2 容量大小不变时，加大 R1 的阻值可以提高滤波效果。但是，滤波电阻 R1 的阻值不能太大，因为流过负载的直流电流要流过 R1，在 R1 上会产生直流压降，使直流输出电压 Uo2 减小。R1 的阻值越大，或流过负载的电流越大时，在 R1 上的压降越大，使直流输出电压越低。

    （3）C1 是第一节滤波电容，加大容量可以提高滤波效果。但是 C1 太大后，在开机时对 C1 的充电时间很长，这一充电电流是流过整流二极管的，当充电电流太大、时间太长时，会损坏整流二极管。所以采用这种 π 型 RC 滤波电路可以使 C1 容量较小，通过合理设计 R1 和 C2 的值来进一步提高滤波效果。

    （4）这一滤波电路中共有 3 个直流电压输出端，分别输出 Uo1、 Uo2 和 Uo3 三组直流电压。其中， Uo1 只经过电容 C1 滤波；Uo2 则经过了 C1、 R1 和 C2 电路的滤波，所以滤波效果更好， Uo2 中的交流成分更小；Uo3 则经过了 2 节滤波电路的滤波，滤波效果最好，所以 Uo3 中的交流成分最少。

     （5）3 个直流输出电压的大小是不同的。Uo1 电压最高，一般这一电压直接加到功率放大器电路，或加到需要直流工作电压最高、工作电流最大的电路中；Uo2 电压稍低，这是因为电阻 R1 对直流电压存在电压降；Uo3 电压最低，这一电压一般供给前级电路作为直流工作电压，因为前级电路的直流工作电压比较低，且要求直流工作电压中的交流成分少。

π型 LC滤波电路识图方法

    下图所示是 π 型 LC 滤波电路。π 型 LC 滤波电路与 π 型 RC 滤波电路基本相同。这一电路只是将滤波电阻换成滤波电感，因为滤波电阻对直流电和交流电存在相同的电阻，而滤波电感对交流电感抗大，对直流电的电阻小，这样既能提高滤波效果，又不会降低直流输出电压。

    在下图的电路中，整流电路输出的单向脉动性直流电压先经电容 C1 滤波，去掉大部分交流成分，然后再加到 L1 和 C2 滤波电路中。 

    对于交流成分而言， L1 对它的感抗很大，这样在 L1 上的交流电压降大，加到负载上的交流成分小。

    对直流电而言， 由于 L1 不呈现感抗， 相当于通路，同时滤波电感采用的线径较粗，直流电阻很小，这样对直流电压基本上没有电压降，所以直流输出电压比较高，这是采用电感滤波器的主要优点。

电子滤波器识图方法

电子滤波器

    下图所示是电子滤波器。电路中的 VT1 是三极管，起到滤波管作用， C1 是 VT1 的基极滤波电容，R1 是 VT1 的基极偏置电阻，RL 是这一滤波电路的负载，C2 是输出电压的滤波电容。

    电子滤波电路工作原理如下：

    ① 电路中的 VT1、 R1、 C1 组成电子滤波器电路，这一电路相当于一 只容量为 C1×β1 大小电容器，β1 为 VT1 的电流放大倍数，而晶体管的电流放大倍数比较大，所以等效电容量很大，可见电子滤波器的滤波性能是很好的。等效电路如上图（b）所示。图中 C 为等效电容。

     ② 电路中的 R1 和 C1 构成一节 RC 滤波电路， R1 一方面为 VT1 提供基极偏置电流，同时也是滤波电阻。由于流过 R1 的电流是 VT1 的基极偏置电流，这一电流很小， R1 的阻值可以取得比较大，这样 R1 和 C1 的滤 波效果就很好，使 VT1 基极上直流电压中的交流成分很少。由于发射极电压具有跟随基极电压的特性，这样 VT1 发射极输出电压中交流成分也很少，达到滤波的目的。

    ③ 在电子滤波器中，滤波主要是靠 R1 和 C1 实现的，这也是 RC 滤波电路，但与前面介绍的 RC 滤波电路是不同的。在这一电路中流过负载的直流电流是 VT1 的发射极电流，流过滤波电阻 R1 的电流是 VT1 基极电流，基极电流很小，所以可以使滤波电阻 R1 的阻值设得很大（滤波效果好），但不会使直流输出电压下降很多。

    ④ 电路中的 R1 的阻值大小决定了 VT1 的基极电流大小，从而决定了 VT1 集电极与发射极之间的管压降，也就决定了 VT1 发射极输出直流电压大小，所以改变 R1 的大小，可以调整直流输出电压 +V 的大小。

电子稳压滤波器

    上图所示是另一种电子稳压滤波器，与前一种电路相比，在 VT1 基极与地端之间接入了稳压二极管 VD1。电子稳压原理如下：

    在 VT1 基极与地端之间接入了稳压二极管 VD1 后，输入电压经 R1 使稳压二极管 VD1 处于反向偏置状态，此时 VD1 的稳压特性使 VT1 管的基极电压稳定，这样 VT1 发射极输出的直流电压也比较稳定。注意：这一电压的稳定特性是由于 VD1 的稳压特性决定的，与电子滤波器电路本身没有关系。

    R1 同时还是 VD1 的限流保护电阻。在加入稳压二极管 VD1 后，改变 R1 的大小不能改变 VT1 发射极输出电压大小，由于 VT1 的发射结存在 PN 结电压降，所以发射极输出电压比 VD1 的稳压值略小。

    C1、 R1 与 VT1 同样组成电子滤波器电路，起到滤波作用。

    在有些场合下，为了进一步提高滤波效果，可采用双管电子滤波器电路，2 只电子滤波管构成了复合管电路。这样总的电流放大倍数为各管电流放大倍数之积，显然可以提高滤波效果。

电源滤波电路识图小结

    关于电源滤波电路分析主要注意以下几点：

    （1）分析滤波电容工作原理时，主要利用电容器的“隔直通交”特性，或是充电与放电特性，即整流电路输出单向脉动性直流电压时对滤波电容充电，当没有单向脉动性直流电压输出时，滤波电容对负载放电。

    （2）分析滤波电感工作原理时，主要是认识电感器对直流电的电阻很小、无感抗作用，而对交流电存在感抗。

    （3）进行电子滤波器电路分析时，要知道电子滤波管基极上的电容是滤波的关键元件。另外，要进行直流电路的分析，电子滤波管有基极电流和集电极、发射极电流，流过负载的电流是电子滤波管的发射极电流，改变基极电流大小可以调节电子滤波管集电极与发射极之间的管压降，从而改变电子滤波器输出的直流电压大小。

    （4）电子滤波器本身没有稳压功能，但加入稳压二极管之后可以使输出的直流电压比较稳定。

八、二极管在电路设计中的应用

二极管是非常常用的基础元器件，本文主要聊一聊其在电路设计中的应用，大概总结了二极管的如下作用防反、整流、稳压、续流、检波、倍压、钳位、包络线检测。

1、防反作用

    在主回路中，串联一个二极管，是利用二极管的单向导电的特性，实现了最简单可靠的低成本防反接功能电路。这种低成本方案一般在小电流的场合，类似小玩具等。因为二极管导通会有一个0.7V（硅管）的导通压降，如果实际电流很大的话，那么就会产生一个热损耗，会导致发热。而且如果反接的电压很大的话，超过反向截止电压，也会击穿二极管本身，导致二极管失效，起不到防反接的功能，从而不能起到保护后级电路的作用了。

2、整流作用

    整流电路的作用是将交流降压电路输出的电压较低的交流电转换成单向脉动性直流电，这就是交流电的整流过程，整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压，习惯上称单向脉动性直流电压。

3、稳压作用

    具备稳压作用的二极管叫做稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变，其基本电路结构如下图所示。

4、续流作用

    续流二极管都是并联在线圈（感性元器件）的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线 两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。丛而保护了电路中的其它原件的安全。常见的电路结构如下。

    又或者BUCK芯片电路中的续流二极管，如下：

5、检波作用

    峰值检波电路是对输入信号幅值的最大值进行检测，其工作原理是：当输入电压幅度大于二极管正向电压时，二极管导通，输出电压加在电容C1上，电容两端充电完毕，当输入电压幅值低于先前输入电压幅值时，二极管处于反偏截止状态，此时，电容两端的电压基本保持不变；若再输入信号，输入电压幅度必须高于此时电容两端的电压（即加在二极管的正向电压），二极管才能导通。

6、倍压作用

    下图是一个2倍压电路原理图，其工作过程大概分析如下：

    电源负半周时，二极管D1导通，D2截止，电流从电源下端流出经过D1, C1回到电源，因此电容C1右正左负，如下图中红色箭头。电源正半周时，电容C1上的电压叠加电源电压，使二极管D2导通，二极管D1截止，电容C2上正下负，峰值电压可达2倍电源的峰值电压，即实现二倍压，该半周期时电流走向如下图中桔色箭头所示。

 7、ADC检测口电压钳位作用

    在一些ADC检测电路中会用两个二极管进行钳位保护，原理很简单，0.7V为D1和D2的导通压降，Vin进来的电压大于等于3.3V+0.7V时，D35导通，Vout会被钳位在4V；Vin小于等于-0.7V时，Vout被钳位在-0.7V左右。

 8、包络线检测作用

    电路结构如下所示，设计要点是RC的时间常数需远大于载频的周期，又要远小于调制信号的周期。设计细节请参考二极管检波电路设计与分析实例

九、电容选型及公式大全

1、电容的作用

作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用，下面分类详述之。

1）旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。

为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2）去藕

去藕，又称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。

如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。

旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。

高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取 0.1?F、0.01?F 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是 10?F 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

3）滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过 1?F 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频 率高后反而阻抗会增大。

有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中，大电容（1000?F）滤低频，小电容（20pF）滤高频。

曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。

它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

4）储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为 40～450VDC、电容值在 220～150 000?F 之间的铝电解电容器是较为常用的。

根不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过 10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用：

1）耦合

举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号 产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件。

如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。

2）振荡/同步

包括 RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。

3）时间常数

这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。

而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：

i = (V / R)e- (t / CR)

2、电容的选择

通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？应基于以下几点考虑：

1）静电容量

2）额定耐压

3）容值误差

4）直流偏压下的电容变化量

5）噪声等级

6）电容的类型

7）电容的规格

那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，几乎每个器件的 Datasheet 或者 Solutions，都比较明确地指明了外围元件的选择参数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。

其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装，具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容。

下面是 chip capacitor 根据电介质的介电常数分类，介电常数直接影响电路的稳定性。

NP0 or CH （K < 150）：

电气性能最稳定，基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。鉴于 K 值较小，所以在 0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容。

如 0603 一般最大的 10nF 以下。

X7R or YB （2000 < K < 4000）：

电气性能较稳定，在温度、电压与时间改变时性能的变化并不显著（?C < ±10%）。

适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。

Y5V or YF（K > 15000）：

容量稳定性较 X7R 差（?C < +20% ～ -8 0%），容量损耗对温度、电压等测试条件较敏感，但由于其 K 值较大，所以适用于一些容值要求较高的场合。

3、电容的分类

电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性，其可分为以下几大类：

1）铝电解电容

电容容量范围为 0.1?F ～ 22000?F，高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选，广泛应用于电源滤波、解藕等场合。

2）薄膜电容

电容容量范围为 0.1pF ～ 10?F，具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是 X、Y 安全电容、EMI/EMC 的首选。

3）钽电容

电容容量范围为 2.2?F ～ 560?F，低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择。

4）陶瓷电容

电容容量范围为 0.5pF ～ 100?F，独特的材料和薄膜技术的结晶，迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。

5）超级电容

电容容量范围为 0.022F ～ 70F，极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。

主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。

4、多层陶瓷电容

对于电容而言，小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中，要数多层陶瓷电容（MLCC）的发展最快。

多层陶瓷电容在便携产品中广泛应用极为广泛，但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。

例如，手机要求更高的传输速率和更高的性能；基带处理 器要求高速度、低电压；LCD 模块要求低厚度（0.5mm）、大容量电容。

而汽车环境的苛刻性对多层陶瓷电容更有特殊的要求：首先是耐高温，放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足 150℃ 的工作温度；其次是在电池电路上需要短路失 效保护设计。

也就是说，小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性。

陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数，因此需要从材料方面，降低介电常数对电压的依赖，优化直流偏置电压特性。

应用中较为常见的是 X7R（X5R）类多层陶瓷电容， 它的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器主要性能指标是等效串联电阻（ESR），在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出。

另一类多层陶瓷电容是C0G类，它的容量多在 1000pF 以下，该类电容器主要性能指标是损耗角正切值 tgδ(DF)。

传统的贵金属电极（NME）的 C0G 产品 DF 值范围是（2.0 ～ 8.0）× 10-4，而技术创新型贱金属电极（BME）的C0G产品DF值范围为 (1.0 ～ 2.5)×10-4，约是前者的31 ～ 50%。

该类产品在载有T/R模块电路的GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。较多用于各种高频电路，如振荡/同步器、定时器电路等。

5、钽电容替代电解电容的误区

通常的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介电能力（通常用 ε 表示）比铝电容的三氧化二铝介质要高。

因此在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积，在容量一定的情况下，介电能力越高，体积就可以做得越小，反之，体积就需要做得越大）再加上钽的性质比较稳定，所以通常认为钽电容性能比铝电容好。

但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了，目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极，而在于电解质，也就是阴极。

因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容，其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同，性能可以差距很大，总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。

还有一种看法是认为钽电容比铝电容性能好，主要是由于钽加上二氧化锰阴极助威后才有明显好于铝电解液电容的表现。如果把铝电解液电容的阴极更换为二氧化锰， 那么它的性能其实也能提升不少。

可以肯定，ESR 是衡量一个电容特性的主要参数之一。但是，选择电容，应避免 ESR 越低越好，品质越高越好等误区。衡量一个产品，一定要全方位、多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大。

普通电解电容的结构是阳极和阴极和电解质，阳极是钝化铝，阴极是纯铝，所以关键是在阳极和电解质。阳极的好坏关系着耐压电介系数等问题。

一般来说，钽电解电容的 ESR 要比同等容量同等耐压的铝电解电容小很多，高频性能更好。如果那个电容是用在滤波器电路（比如中心为 50Hz 的带通滤波器）的话，要注意容量变化后对滤波器性能的影响。

6、旁路电容的应用问题

嵌入式设计中，要求 MCU 从耗电量很大的处理密集型工作模式进入耗电量很少的空闲/休眠模式。这些转换很容易引起线路损耗的急剧增加，增加的速率很高，达到 20A/ms 甚至更快。

通常采用旁路电容来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化，以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。

为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

应该明白，大容量和小容量的旁路电容都可能是必需的，有的甚至是多个陶瓷电容和钽电容。这样的组合能够解决上述负载电流或许为阶梯变化所带来的问题，而且还能提供足够的去耦以抑制电压和电流毛刺。

在负载变化非常剧烈的情况下，则需要三个或更多不同容量的电容，以保证在稳压器稳压前提供足够的电流。快速的瞬态过程由高频小容量电容来抑制，中速的瞬态过程由低频大容量来抑制，剩下则交给稳压器完成了。

还应记住一点，稳压器也要求电容尽量靠近电压输出端。

7、电容的等效串联电阻 ESR

普遍的观点是：一个等效串联电阻（ESR）很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。

但是，有时这样的选择容易引起稳压器（特别是线性稳压器 LDO）的不稳定，所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。永远记住，稳压器就是一个放大器，放大器可能出现的各种情况 它都会出现。

由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢，输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用，因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换，同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。

通常，大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值，以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的 Dasheet 规定之内。

高频转换中，小容量电容在 0.01?F 到 0.1?F 量级就能很好满足要求。表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容（MLCC）具有更小的 ESR。

另外，在这些容值下，它们的体积和 BOM 成本都比较合理。如果局部低频去耦不充分，则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。电压下降过程可能持续数毫秒，时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的时间。

用 ESR 大的电容并联比用 ESR 恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。然而，这需要你在 PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷。

8、电解电容的电参数

这里的电解电容器主要指铝电解电容器，其基本的电参数包括下列五点：

1）电容值

电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。

在标准 JISC 5102 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz，最大交流电压为 0.5Vrms，DC bias 电压为 1.5 ～ 2.0V 的条件下进行。可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。

2）损耗角正切值 Tan δ

在电容器的等效电路中，串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ， 这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。

显然，Tan δ 随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。

3）阻抗 Z

在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与 ESR 也有关系。

Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ]

式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC

XL = ωL = 2πfL

电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗（XL）降至 ESR 的值。

当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。

4）漏电流

电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。

5）纹波电流和纹波电压

在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，其实就是 ripple current，ripple voltage。含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。它们和 ESR 之间的关系密切，可以用下面的式子表示：

Urms = Irms × R

式中，Vrms 表示纹波电压

Irms 表示纹波电流

R 表示电容的 ESR

由上可见，当纹波电流增大的时候，即使在 ESR 保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。

叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。

9、电容器参数的基本公式

1）容量（法拉）

英制：C = ( 0.224 × K · A) / TD

公制：C = ( 0.0884 × K · A) / TD

2）电容器中存储的能量

       1/2CV2

3）电容器的线性充电量

　　I = C (dV/dt)
　　Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]
　　XC= 1/(2πfC)
　　D.F. = tan δ （损耗角）
　　= ESR / XC
　　= (2πfC)(ESR)
　　Q = cotan δ = 1/ DF
　　ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC
　　Power Loss = (2πfCV2 ) (DF)
　　PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)
　　rms = 0.707 × Vp
　　KVA = 2πfCV2 × 10-3
　　T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106
　　CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100
　　L0 / Lt = (Vt / V0)X (Tt / T0)Y
　　n 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + …. + 1/Cn
　　两个电容串联：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)
　　CT = C1 + C2 + …. + Cn
　　A.R. = % ?C / decade of time
　　K = 介电常数；
　　A = 面积；
　　TD = 绝缘层厚度；
　　V = 电压；
　　RS = 串联电阻；
　　f = 频率；
　　L = 电感感性系数；
　　δ = 损耗角；
　　Ф = 相位角；
　　L0 = 使用寿命；
　　Lt = 试验寿命；
　　Vt = 测试电压；
　　V0 = 工作电压；
　　Tt = 测试温度；
　　T0 = 工作温度；
　　X , Y = 电压与温度的效应指数。

4）电容的总阻抗（欧姆）

　Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]

5）容性电抗（欧姆）

　XC= 1/(2πfC)

6）相位角 Ф

理想电容器：超前当前电压 90?

理想电感器：滞后当前电压 90?

理想电阻器：与当前电压的相位相同

7）耗散系数 (%)　　D.F. = tan δ （损耗角）
　　= ESR / XC
　　= (2πfC)(ESR)

8）品质因素　　Q = cotan δ = 1/ DF

9）等效串联电阻 ESR（欧姆）　　ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC

10）功率消耗　　Power Loss = (2πfCV2 ) (DF)

11）功率因数　　PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)

12）均方根　　rms = 0.707 × Vp

13）千伏安 KVA （千瓦）　　KVA = 2πfCV2 × 10-3

14）电容器的温度系数　　T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106

15）容量损耗(%)　　CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100

16）陶瓷电容的可靠性　　L0 / Lt = (Vt / V0)X (Tt / T0)Y

17）串联时的容值　　n 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + …. + 1/Cn
　　两个电容串联：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)

18）并联时的容值　　CT = C1 + C2 + …. + Cn

19）重复次数（Againg Rate）　　A.R. = % ?C / decade of time

上述公式中的符号说明如下：

　　K = 介电常数；

　　A = 面积；
　　TD = 绝缘层厚度；
　　V = 电压；
　　RS = 串联电阻；
　　f = 频率；
　　L = 电感感性系数；
　　δ = 损耗角；
　　Ф = 相位角；
　　L0 = 使用寿命；
　　Lt = 试验寿命；
　　Vt = 测试电压；
　　V0 = 工作电压；
　　Tt = 测试温度；
　　T0 = 工作温度；
　　X , Y = 电压与温度的效应指数。

10、电源输入端的 X,Y 安全电容

在交流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制 EMI 传导干扰。

交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容，一般称之为 Y 电容。

这两个 Y 电容连接的位置比较关键，必须需要符合相关安全标准，以防引起电子设备漏电或机壳带电，容易危及人身安全及生命，所以它们都属于安全电容，要求电容值不能偏大，而耐压必须较高。

一般地，工作在亚热带的机器，要求对地漏电电流不能超过 0.7mA；工作在温带机器，要求对地漏电电流不能超过 0.35mA。因此， Y 电容的总容量一般都不能超过 4700pF。

特别提示：Y 电容为安全电容，必须取得安全检测机构的认证。Y 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 5000V 以上。因此，Y 电容不能随意使用标称耐压 AC250V，或 DC400V 之类的普通电容来代用。

在火线和零线抑制之间并联的电容，一般称之为 X 电容。由于这个电容连接的位置也比较关键，同样需要符合安全标准。

因此，X 电容同样也属于安全电容之一。X 电容的容值允许比 Y 电容大，但必须在 X 电容的两端并联一个安全电阻，用于防止电源线拔插时，由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。

安全标准规定，当正在工作之中的机器电源线被拔掉时，在两秒钟内，电源线插头两端带电的电压(或对地电位)必须小于原来额定工作电压的 30%。

同理，X 电容也是安全电容，必须取得安全检测机构的认证。X 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 2000V 以上，使用的时候不要随意使用标称耐压 AC250V，或 DC400V 之类的普通电容来代用。

X 电容一般都选用纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容，这种电容体积一般都很大，但其允许瞬间充放电的电流也很大，而其内阻相应较小。

普通电容纹波电流的指标都很低，动态内阻较高。用普通电容代替 X 电容，除了耐压条件不能 满足以外，一般纹波电流指标也是难以满足要求的。

实际上，仅仅依赖于 Y 电容和 X 电容来完全滤除掉传导干扰信号是不太可能的。因为干扰信号的频谱非常宽，基本覆盖了几十 KHz 到几百 MHz，甚至上千 MHz 的频率范围。

通常，对低端干扰信号的滤除需要很大容量的滤波电容，但受到安全条件的限制，Y 电容和 X 电容的容量都不能用大；对高端干扰信号的滤除，大容量电容的滤波性能又极差，特别是聚脂薄膜电容的高频性能一般都比较差。

因为它是用卷绕工艺生产的，并且聚脂薄膜介质高频响应特性与陶瓷或云母相比相差很远，一般聚脂薄膜介质都具有吸附效应，它会降低电容器的工作频率，聚脂薄膜电容工作频率范围大约都在 1MHz 左右，超过 1MHz 其阻抗将显著增加。

因此，为抑制电子设备产生的传导干扰，除了选用 Y 电容和 X 电容之外，还要同时选用多个类型的电感滤波器，组合起来一起滤除干扰。

电感滤波器多属于低通滤波器，但电感滤波器也有很多规格类型，例如有：差模、共模，以及高频、低频等。每种电感主要都是针对某一小段频率的干扰信号滤除而起作用，对其它频率的干扰信号的滤除效果不大。

通常，电感量很大的电感，其线圈匝数较多，那么电感的分布电容也很大。高频干扰信号将通过分布电容旁路掉。而且，导磁率很高的磁芯，其工作频率则较低。

目前，大量使用的电感滤波器磁芯的工作频率大多数都在 75MHz 以下。对于工作频率要求比较高的场合，必须选用高频环形磁芯，高频环形磁芯导磁率一般都不高，但漏感特别小，比如，非晶合金磁芯，坡莫合金等。

十、PCB走线与过孔的电流承载能力

简介

    使用FR4敷铜板PCBA上各个器件之间的电气连接是通过其各层敷着的铜箔走线和过孔来实现的。

    由于不同产品、不同模块电流大小不同，为实现各个功能，设计人员需要知道所设计的走线和过孔能否承载相应的电流，以实现产品的功能，防止过流时产品烧毁。

    文中介绍设计和测试FR4敷铜板上走线和过孔的电流承载能力的方案和测试结果，其测试结果可以为设计人员在今后的设计中提供一定的借鉴，使PCB设计更合理、更符合电流要求。

引言

    现阶段印制电路板（PCB）的主要材料是FR4的敷铜板，铜纯度不低99.8%的铜箔实现着各个元器件之间平面上的电气连接，镀通孔（即VIA）实现着相同信号铜箔之间空间上的电气连接。

    但是对于如何来设计铜箔的宽度，如何来定义VIA的孔径，我们一直凭经验来设计。

    为了使layout设计更合理和满足需求，对不同线径的铜箔进行了电流承载能力的测试，用测试结果作为设计的参考。

影响电流承载能力因素分析

    产品PCBA不同的模块功能，其电流大小也不同，那么我们需要考虑起到桥梁作用的走线能否承载通过的电流。决定电流承载能力的因素主要有：

    铜箔厚度、走线宽度、温升、镀通孔孔径。在实际设计中，还需要考虑产品使用环境、PCB制造工艺、板材质量等。

1 铜箔厚度

    在产品开发初期，根据产品成本以及在该产品上的电流状态，定义PCB的铜箔厚度。

    一般对于没有大电流的产品，可以选择表（内）层约17.5μm厚度的铜箔：

• 如果产品有部分大电流，板大小足够，可以选择表（内）层约35μm厚度的铜箔；
• 如果产品大部分信号都为大电流，那么必须选（内）层约70μm厚度的铜箔。

    对于两层以上的PCB，如果表层和内层铜箔使用相同厚度，相同线径走线的承载电流能力，表层大于内层。

    以PCB内外层均使用35μm铜箔为例：内层线路蚀刻完毕后便进行层压，所以内层铜箔厚度是35μm。

    外层线路蚀刻完毕后需要进行钻孔，由于钻孔后孔不具有电气连接性能，需要进行化学镀铜，此过程是全板镀铜，所以表层铜箔会镀上一定厚度的铜，一般约25μm~35μm之间，因此外层实际铜箔厚度约为52.5μm~70μm。

    敷铜板供应商的能力不同，铜箔均匀度会有不同，但差异不大，所以对载流的影响可以忽略。

2 走线宽度

    产品在铜箔厚度选定后，走线宽度便成为载流能力的决定性因素。走线宽度的设计值和蚀刻后的实际值有一定的偏差，一般允许偏差为+10μm/-60μm。由于走线是蚀刻成型，在走线转角处会有药水残留，所以走线转角处一般会成为最薄弱的地方。

    这样，在计算有转角走线的载流值时，应将在直线走线上测得的载流值基础上，乘以（W-0.06）/W（W为走线线宽，单位为mm）。

3 温升

    PCB的走线上通过持续电流后会使该走线发热，从而引起持续温升，当温度升高到基材TG温度或高于TG温度，那么可能引起基材起翘、鼓泡等变形，从而影响走线铜箔与基材的结合力，走线翘曲形变导致断裂。

    PCB的走线上通过瞬态大电流后，会使铜箔走线最薄弱的地方短时间来不及向环境传热，近似绝热系统，温度急剧升高，达到铜的熔点温度，将铜线烧毁。

4 镀通孔孔径

    镀通孔通过电镀在过孔孔壁上的铜来实现不同层之间的电气连接，由于为整板镀铜，所以对于各个孔径的镀通孔，孔壁铜厚均相同。不同孔径镀通孔的载流能力取决于铜壁周长。

测试PCB设计

    现阶段使用TG温度分别是>135℃和>150℃的基材，由于考虑到ROHS对无铅的要求，PCB将逐步切换为无铅，那么必须选择TG温度>150℃的基材。所以此次测试板基材选择Shengyi S1000。

    测试板PCB大小采用宽164mm、长273.3mm。PCB由深圳牧泰莱技术有限公司制作。测试板PCB分三组。

1 第一组：

    外层铜箔17.5μm，内层铜箔35μm第一组测试板PCB使用外层17.5μm基铜，内层35μm基铜。

    外层线径分别是：

0.125mm0.16mm，0.2mm，0.25mm，0.3mm，0.4mm，0.5mm，0.6mm，0.7mm，0.8 mm，0.9mm，1.0mm，1.2mm，1.5mm，2.0mm，2.4mm，2.8mm，3.0mm，3.5mm，4.0mm，4.5mm，5.0mm，5.5mm，6.0mm，6.5mm，7.0mm，7.5mm，8.0mm。

    每种线径两个样品。

    内层线径分别是：

0.125mm，0.16mm，0.2mm，0.25mm，0.3mm，0.4mm，0.5mm，0.6mm，0.7mm，0.8 mm，0.9mm，1.0mm，1.2mm，1.5mm，2.0mm，2.4mm，2.8mm，3.0mm，3.5mm，4.0mm，4.5mm，5.0mm，5.5mm，6.0mm，6.5mm，7.0mm，7.5mm，8.0mm。

    每种线径两个样品。

    镀通孔孔径分别是：

0.15mm，0.25mm，0.3mm，0.5mm，0.7mm。

    每种孔径两个样品。

2 第二组：

    外层铜箔35μm，内层铜箔70μm第二组测试板PCB使用外层35μm基铜，内层70μm基铜。

    外层线径分别是：

0.125mm，0.16mm，0.2mm，0.25mm，0.3mm，0.4mm，0.5mm，0.6mm，0.7mm，0.8 mm，0.9mm，1.0mm，1.2mm，1.5mm，2.0mm，2.4mm，2.8mm，3.0mm，3.5mm，4.0mm，4.5mm，5.0mm，5.5mm，6.0mm，6.5mm，7.0mm，7.5mm，8.0mm。

    每种线径两个样品。

    由于对于70μm的铜箔厚度，现有供应商的能力为内层最小线径0.2mm，所以内层线径分别是：

0.2mm，0.25mm，0.3mm，0.4mm，0.5mm，0.6mm，0.7mm，0.8 mm，0.9mm，1.0mm，1.2mm，1.5mm，2.0mm，2.4mm，2.8mm，3.0mm，3.5mm，4.0mm，4.5mm，5.0mm，5.5mm，6.0mm，6.5mm，7.0mm，7.5mm，8.0mm。

    每种线径两个样品。

    镀通孔孔径分别是：

0.15mm，0.25mm，0.3mm，0.5mm，0.7mm。

    每种孔径两个样品。

3 第三组：

    外层铜箔70μm，内层铜箔105μm第三组测试板PCB使用外层70μm基铜，内层105μm基铜。

    由于对于70μm的铜箔厚度，现有供应商的能力为外层最小线径0.3mm，所以外层线径分别是：

0.3mm，0.4mm，0.5mm，0.6mm，0.7mm，0.8 mm，0.9mm，1.0mm，1.2mm，1.5mm，2.0mm，2.4mm，2.8mm，3.0mm，3.5mm，4.0mm，4.5mm，5.0mm，5.5mm，6.0mm，6.5mm，7.0mm，7.5mm，8.0mm。

    每种线径两个样品。

    由于对于105μm的铜箔厚度，现有供应商的能力为内层最小线经0.3mm，所以内层线径分别是：

0.3mm，0.4mm，0.5mm，0.6mm，0.7mm，0.8 mm，0.9mm，1.0mm，1.2mm，1.5mm，2.0mm，2.4mm，2.8mm，3.0mm，3.5mm，4.0mm，4.5mm，5.0mm，5.5mm，6.0mm，6.5mm，7.0mm，7.5mm，8.0mm。 

    每种线径两个样品。

    镀通孔孔径分别是：

0.15mm，0.25mm，0.3mm，0.5mm，0.7mm。

    每种孔径两个样品。

测试方案

    根据IPC-TM-650 TEST METHODS MANUAL的2.5.4多层线路板耐电流部分，设计测试方案如下。

    室温下，对于内外层走线的测试：将温度传感器贴在待测铜箔走线中间位置，在待测铜箔走线两端施加电流，待温升ΔT稳定后，保持3min，记下ΔT。逐步增加电流，直至铜箔走线毁坏。

    室温下，对于镀通孔的测试：将温度传感器贴在VIA上，在待测VIA引出走线两端施加电流，待温升ΔT稳定后，保持3min，记下ΔT。逐步增加电流，直至VIA毁坏。

    电流值范围为0~100A。

    采样值：

0.1A，0.2A，0.3A，0.4A，0.5A，0.6A，0.7A，0.8A，0.9A，1A，1.2A，1.5A，1.8A，2A，2.3A，2.5A，2.7A，3A，4A，5A，6A，7A，8A，9A，10A，15A，20A，25A，30A，35A，40A，45A，50A，55A，60A，65A，70A，75A，80A，85A，90A，95A，100A。

测试结果分析 

    在此，只对第一组测试数据结果进行分析。

1 线径的测试结果分析

    以2.8mm线径的外层铜箔为例，其测量数据如表1。

    根据表1测量数据可以做出一个趋势图，如图1所示：

图1 2.8mm外层铜箔线径的温升与电流的趋势图

    我们根据实测值取平均值后，可以得到2.8mm，外层铜箔走线在温升为ΔT=20℃时可以承载约8A电流；在温升为ΔT=40℃时可以承载约10.8A电流；在温升为ΔT=60℃时可以承载约13A电流；在温升为ΔT=100℃时可以承载约16A电流；极限耐持续电流约为20A。

    根据以上的方法，我们可以得到17.5μm外层铜箔不同线径的载流能力，35μm内层铜箔不同线径的载流能力。

2 镀通孔的测试结果分析

    由于镀通孔的温度测量无法在孔壁的铜层上实现，我们实测的是镀通孔焊盘面的温度，所以以下测试数据仅作为参考。

图2 0.15mm孔径的VIA温升与电流的趋势图0.15mm孔径的镀通孔测量值

    0.25mm、0.3mm、0.5mm、0.7mm孔径的镀通孔测量值的图形在此就省略了，汇总后，可以得到表2。

表2 17.5μm外层/35μm内层铜箔的PCB上不同孔径载流能力数据表

总结

    通过本次实验和对实验数据的分析，对敷铜PCB上走线和过空的电流承载能力有了一个较为感性的认识。

    但是一方面由于测试板不是批产供应商制作的，制作工艺的不同影响到走线宽度的不同和镀通孔孔臂厚度和周长的不同；另一方面实验过程中每个样品的散热状态有一定的差异。

    此外测试板的设计和实验方案的设计为理想状态，而实际产品的安装位置不同，产品上的元器件分布的不同，布线的密集度以及使用基材的不同，都是测试板无法模拟的，所以分析数据不能直接指导设计。

    但是在以后的开发和设计中，我们可以借鉴本次实验的数据。同时也可以在今后产品中设计情况和实践验证来修正实验数据，以便于更准确地指导设计。

十一、晶振的工作原理

晶振在单片机中是必不可少的元器件，只要用到CPU的地方就必定有晶振的存在，那么晶振是如何工作的呢？

什么是晶振

    晶振一般指晶体振荡器，晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下的薄片，简称为晶片。

    石英晶体谐振器，简称为石英晶振（Crystal oscillator），如下图椭圆物体。

    而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

晶振工作原理

    石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

    若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。

    如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。

    在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。相关推荐：在MCU晶体两边各接一对地电容的原因。

    当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个皮法到几十皮法。当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。

    一般L的值为几十豪亨到几百豪亨。晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为100欧。

    由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因数Q很大，可达1000～10000。加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度。

    计算机都有个计时电路，尽管一般使用“时钟”这个词来表示这些设备，但它们实际上并不是通常意义的时钟，把它们称为计时器可能更恰当一点。

    计算机的计时器通常是一个精密加工过的石英晶体，石英晶体在其张力限度内以一定的频率振荡，这种频率取决于晶体本身如何切割及其受到张力的大小。有两个寄存器与每个石英晶体相关联，一个计数器和一个保持寄存器。

    石英晶体的每次振荡使计数器减1。当计数器减为0时，产生一个中断，计数器从保持寄存器中重新装入初始值。这种方法使得对一个计时器进行编程，令其每秒产生60次中断（或者以任何其它希望的频率产生中断）成为可能。每次中断称为一个时钟嘀嗒。

晶振在电气上可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振，较高的频率为并联谐振。

    由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。

    这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。

    晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。

    一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。

    一般的晶振的负载电容为15皮或12.5皮，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22皮的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。