KF32 存储（FLASH，EEPROM）

一、RAM

RAM随机存取存储器 ：类似手机中一般把其叫做（运行）内存。与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。

RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

二、ROM

ROM只读存储器：类似手机的内部存储空间。

ROM又可以分为EEPROM，Flash：

1.EEPROM

可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次，擦除时以字节为单位，可靠性高，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

2.Flash

擦除时以块为单位，电路相对简单，能存储的数据更多，成本低，单位为M的rom一般都是flash。

flash又可以分为nor flash和nand flash；

a. nor flash：数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，

读取：按字节；

擦除：按块擦除。

b. nand flash：数据线与地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取速度慢，擦除与写入的速度快，内部电路简单，存储的数据更多，体积小，容量大，可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。

读取：按页；

擦除：按块擦除。

总结：嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。

参考EEPROM和flash的区别_yuanlulu的博客-CSDN博客

三、Autosar NVM

Autosar NVM位于基础软件的服务层，为所有NV data的（初始化、读、写、控制）维护以及管理作提供了各种同步/异步服务。EEPROM和Flash，都在这层被抽象为同一类型，直到MemIf层才会做出区分。

Autosar 中对nv数据的存储主要包括片内存储和外部存储两种方式，片内存储是用芯片内部的DFLASH进行数据存储，外部存储是通过外部EEPROM进行存储，一般通过IIC,SPI,等通讯方式外挂EEPROM。

在Autosar中规定了四种 NVRAM Block，分别为 NV Block、RAM Block、ROM Block、Administrative Block。

NV Block

NV block是存储NV变量的基本结构，其中Header以及CRC校验非必须项。

RAM Block

由于NV变量的写入与读取都是一件相对较慢的操作，而应用层逻辑操作周期速度又太快。直接操作NV block显然不合适，所以在进行读写之前，会建议一个同样大小的Ram空间来操作、使用、存放这些还没有被写入或者读取的NV值。

在NVM中规定了permanent，temporary 两种类型。其中永久型在项目配置时就必须输入指定的RAM地址；而临时型不需要在项目配置期间就设定。

ROM block

用于存储默认值，以便当NV block数据出现损坏时予以替换。

Administrative block

Administrative block是专门用于对NVRAM Block 与 RAM blcok 的数据安全性进行管理而设计的，它对应用层并不可见。