第四章——寄存器

4.1概述

4.11 存储器分类

按存储介质分类
　　存储介质主要有半导体器件、磁性材料、光盘。

半导体存储器
　　　　存储元件由半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。

现代半导体存储器都用超大规模集成电路工艺制成芯片。

优点：体积小、功耗低、存取时间短。
缺点：是一种易失性存储器，断电时存储的信息容易丢失。近年来已研制出用非挥发性材料制成的半导体存储器，克服了信息易失的弊病。
　　　　半导体存储器按其所使用材料的不同，又可分为：

双极半导体存储器：高速。
MOS半导体存储器：高集成度，制造简单、成本低、功耗小，故被广泛使用。
　　磁性存储器
　　　　磁表面存储器
　　　　　　磁表面存储器是在金属或塑料基体的表面涂一层磁性材料作为记录介质，工作时，磁层随载磁体高速运转，用磁头在磁层上进行读/写操作。故称为磁表面存储器。

按载磁体形状的不同可分为：

磁盘(将圆形的磁性盘片装在一个密封盒子里，就是硬盘了)。

磁带(录音机磁带)

磁鼓(已淘汰)。

特点：非易失。

磁芯存储器
　　　　　　磁芯是由硬磁材料做成的环状元件，在磁芯中穿有驱动线和度读出现。功耗太大，已被半导体存储器取代。

光盘存储器
　　　　光盘存储器是应用激光在记录介质(磁光材料)上进行读写的存储器。

纪录密度高、耐用性好、可靠性高，所以应用越来越广泛。

按存取方式分类
　　随机存储器(RAM,Random Access Memory)
特征：
　　　　可读可写，任何一个存储单元的内容都可以随机存取，存储时间、顺序与存储单元的物理地址无关。

计算机的内存(主存)一般都采用RAM。

根据存储信息的原理不同，又可将其分为静态RAM和动态RAM。

静态RAM(SRAM)：以触发器原理寄存信息。

动态RAN(DRAM)：以电容充放电原理寄存信息。

只读存储器(ROM,Read Only Memory)
特征
　　　　能读出其存储的信息，不能对其重新写入。

这种存储器一旦写入了原始信息之后，在程序执行过程中，只能将内部信息读出，而不能随意重新写入新的信息去改变原始信息。

ROM派生出的新类型
PROM，Programable Read Only Memory，可编程只读存储器。
EPROM，Erasable Programable Read Only Memory，可擦除可编程只读存储器。
　　串行访问存储器
特征
　　　　在对存储单元进行读/写操作时，需按其物理位置的先后顺序寻找地址。

例如：磁带。不论信息处在哪个位置，读写时必须从其介质的起始位置开始查找。故这类串行访问的存储器又称为顺序存取存储器。

按在计算机中的作用分类

4.1.2 寄存器的层次结构

缓存——主存层次结构：解决CPU和主存速度不匹配的问题。
主存和缓存之间的数据调动是由硬件自动完成的，对程序员是透明的。

主存——辅存层次主要解决存储系统的容量问题。
主存和辅存之间的数据调动是由硬件和操作系统共同完成的

4.2 主存储器

4.2.1概述

1.主存的基本组成

2.主存和CPU的联系

3.主存中存储单元地址的分配

首先我们要了解在系统总线中，按照传输信息的不同分为地址（总）线、数据（总）线和控制（总）线三类
　
　举个简单的例子：cpu在内存或硬盘里面寻找一个数据时，先通过地址线找到地址，然后再通过数据线将数据取出来。 如果有32根.就可以访问2的32次方的空间,也就是4GB
　
数据总线用来传输各功能部件之间的数据信息，是双向传输总线。
数据线的位数和机器字长、存储字长有关

例如：数据总线的宽度（数据总线的位数）为8位，指令字长为16位，那么，CPU在取指阶段必须访问两次主存。

地址总线地址线是用来指出数据总线上的源数据或目的数据在主存单元的地址或I/O设备的地址。
地址线的位数与存储单元的个数有关

例如：地址线为20根，则对应的存储单元的个数=2^20.

1Byte = 8bit

假如机器字长为32位
12345678H是8位十六进制(也就是8个16进制数),左边大端方式12所在的位置是低地址,1个十六进制数转化为二进制占4位,因为一个字节是8位二进制,因此一个格子里放2个十六进制数.
列 字地址 0 4 8 ,实际是因为1个字=4个字节, 也就是0123(0)4567(4)891011(8)
对16个格子进行编号,第一行第一个是0, 就像二维数组那样. 0就是最低位。

字地址=存储字地址=存储单元地址
1字节=8位二进制
字(word)是一次存取、加工、传送的数据长度,字长是每个字所包含的位数，32位字长=4个字节 32(字长)/8(bit)=4(字节)
因此1个字=4个字节

大端和小端是指数据在内存中的存储模式，它由 CPU 决定：

1. 大端模式：是指将数据的低位（比如 1234 中的 34 就是低位）放在内存的高地址上，而数据的高位（比如 1234 中的 12 就是高位）放在内存的低地址上。
2. 小端模式：是指将数据的低位放在内存的低地址上，而数据的高位放在内存的高地址上。和我们的思维习惯一致。

例题：
1.设地址线为24根，按字节寻址的范围是多少？
2.如果存储容量不变，若字长为16位，按字寻址的范围是多少？
3.如果存储容量还不变，若字长为32，按字寻址的范围是多少？

寻址范围=存储器的存储单元数量 / 每一个寻址单元所含存储单元的数量
寻址范围，又叫寻址空间，一般指的是CPU对于内存寻址的能力。

按字节寻址
存储器的存储单元数量 = 224个，且每个存储单元保存1B的数据，
故每一个寻址单元所含存储单元的数量 = 1B / 1B = 1
寻址范围 = 224 / 1 = 224 = 16M

若字长为 16 位 按字寻址16位
寻址范围就是224 / 2 = 8M

若字长为 32 位 按字寻址32位
寻址范围就是224 / 4 = 4M

主存储器的MAR和MDR各自的作用是什么？

MAR用来存放当前CPU访问的内存单元地址，或存放CPU写入内存的内存单元地址。
MDR存放内存读出的信息或写入内存的信息。

例题：若内存容量为4GB，字长为32位，则（ ）
1）按字节编址：
一个存储单元占一个字节。用字节来计量存储容量4GB=4 * (2^10) * (2^10) * (2^10) = 2^32B（字节）
即4GB=4 * 2^30 * 8 = 4* 2^32 * 8b(位) = 2^32 * 8 位
因为一个存储单元占用一个字节，所以存储单元个数为2^32，所以地址线条数是32，数据线条数是8
MAR为20位，MDR为8位
编址范围
（32根地址线：0000|0000|0000|0000|0000|0000|0000|0000B = 00000000H）
全0——全1，用十六进制表示为：00000000H——FFFFFFFFH
2) 按字编址：
字长为32位，即4个字节
一个存储单元占一个字节。用字节来计量存储容量4GB=2 ^ 32B（字节 ）= 2 ^ 32 * 8 b(位) = 2 ^30 * 32 b (位)
所以地址线条数为30，数据线条数是32
MAR为30位，MDR为32位
编址范围
（30根地址线：_ _00|0000|0000|0000|0000|0000|0000|0000B = 00000000H）
_0 _0 11|1111|1111|1111|1111|1111|1111|1111B = 3FFFFFFFH
全0——全1，用十六进制表示为：00000000H——3FFFFFFFH

4.主存的技术指标
（1）存储容量：指存储器可容纳的二进制信息量，描述存储容量的单位是字节或位。

量化单位：1K＝2 ^10 1M＝ 2 ^20 1G＝2 ^30 1T＝2 ^40
存储器芯片的存储容量＝2M×N＝存储单元数×存储单元的位数
M：芯片的地址线根数
N：芯片的数据线根数

例：SRAM存储器6264芯片的地址线数目为13根，数据线数目为8根，因此该芯片容量为2^13×8位=8K×8位=8KB，即有8K个单元，每个单元单元可以存储8位二进制信息。

说说下面存储器的地址线和数据线分别为多少条？
2K×16 ——地址线10,数据线16
64k×8 ——地址线16，数据线8
16M×32 ——地址线24,数据线32
4G×4 ——地址线32，数据线4
16K×8位 ——地址线14，数据线8

（2）存储速度：由存储时间和存储周期2个方面来表示。
存取时间（Memory Access Time）：指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间。存取时间愈短，其性能愈好。单位是纳秒（ns＝10－9s）
存取周期（Memory Cycle Time）：指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间。
通常存取周期TC大于存取时间tA ，即TC≥tA。

（3）存储器带宽：
单位时间里存储器所能存取的最大信息量，计量单位通常是位/秒（bps）或字节/秒，它是衡量数据传输速率的重要技术指标。

提高存储器带宽措施：

• 缩短存储周期；
• 增加存储字长；
• 增加存储体。