采用CSMC0.18um工艺。VCC=5V,VIN=VIP=2.5V。
电路图为:
偏置电路参考复旦两级运放设计,但这种结构在流片后可能不能达到最完美的结果。R=10K。
DC仿真各个管子都在饱和区。
接下来进行AC仿真查看增益、带宽和相位裕度。增益是101dB 带宽是9M 相位裕度94°。
接下来进行噪声仿真。在1KHz时,噪声为1.48uV/sqrt(Hz)。对1K-2K区间做积分,等效输入噪声为38uVrms。
在相位裕度和噪声方面还要继续改进。
采用CSMC0.18um工艺。VCC=5V,VIN=VIP=2.5V。
电路图为:
偏置电路参考复旦两级运放设计,但这种结构在流片后可能不能达到最完美的结果。R=10K。
DC仿真各个管子都在饱和区。
接下来进行AC仿真查看增益、带宽和相位裕度。增益是101dB 带宽是9M 相位裕度94°。
接下来进行噪声仿真。在1KHz时,噪声为1.48uV/sqrt(Hz)。对1K-2K区间做积分,等效输入噪声为38uVrms。
在相位裕度和噪声方面还要继续改进。