RTD 电阻温度特性建模

RTD 电阻温度特性建模

为了获得线性响应，我们期望灵敏度曲线在感兴趣的温度范围内变化。RTD 和热电偶都不是完美的线性；然而，RTD 往往提供更线性的响应。在上面的示例中，RTD 的灵敏度从 0 °C 到 800 °C 变化约 25%，而热电偶的塞贝克系数变化约 83%。

图 1 中的蓝色曲线显示了根据 DIN/ IEC 60751标准构建的 100 Ω 铂 RTD 的电阻-温度特性。该标准要求传感器在 0 °C 和 100 °C 时分别表现出 100 Ω 和 138.5 Ω。

RTD 电阻-温度特性图。

图 1. RTD 电阻-温度特性图。

另一方面，图 1 中的绿色曲线显示了 S 型热电偶的输出电压。目视检查表明 RTD比热电偶更具线性（您可以更轻松地识别 S 型热电偶在 100 °C 至 300 °C 温度范围内与直线的偏差）。通过绘制上述曲线的斜率可以地显示这两种传感器类型的非线性行为。图 2 中绘制的斜率曲线显示了这些传感器的灵敏度如何随温度变化。

显示传感器随温度变化的斜率曲线。

图 2. 显示传感器随温度变化的斜率曲线。图片由Analog Devices提供

为了获得线性响应，我们期望灵敏度曲线在感兴趣的温度范围内变化。RTD 和热电偶都不是完美的线性；然而，RTD 往往提供更线性的响应。在上面的示例中，RTD 的灵敏度从 0 °C 到 800 °C 变化约 25%，而热电偶的塞贝克系数变化约 83%。

RTD 温度系数或“Alpha 参数”

由于 RTD 是一种相当线性的设备，因此可以使用称为“alpha”参数或 RTD 温度系数的单个值来指定其电阻温度特性。阿尔法参数 (α) 定义为 0 ℃至 100 ℃温度范围内每单位温度电阻的平均变化除以 0 ℃时的标称电阻值。从数学上来说，可以通过应用以下等式找到该参数：

[a=frac{R_{100}-R_{0}}{100TImes R_{0}}]

其中 R 100和 R 0分别表示 100 ℃和 0 ℃时的传感器电阻。α的单位是Ω/Ω/°C，而纯金属的温度系数在0.003至0.007 Ω/Ω/°C范围内。请记住，少量杂质可以显着改变金属的温度系数。

通过温度系数表征 RTD

不同的组织采用不同的温度系数作为标准，以采用一致的方式来表征 RTD。1983 年，IEC（国际电工委员会）采用了 DIN（德国规范研究所）100 Ω 铂 RTD 标准。该标准称为 DIN/IEC 60751，或简称为 IEC-751，定义了 100 Ω、0.00385 Ω/Ω/°C 铂 RTD 的温度与电阻。根据 IEC-751 构建的 100 Ω 铂 RTD 在 0 °C 时的电阻必须为 100.00 Ω，在 0 到 100 °C 之间的平均电阻温度系数 (TCR) 为 0.003850 Ω/Ω/°C。

铂 RTD 的另一个常见温度系数值为 0.003923 Ω/Ω/°C，符合 SAMA（科学仪器制造商协会）标准。下面的表 1 列出了一些其他 RTD 标准的参数。我们将很快讨论该表中的 A、B 和 C 值的含义。

表 1. RTD 温度系数标准的三个示例。使用的数据由TI提供

标准温度系数(a)A乙C*

DIN 437600.003850Ω/Ω/°C3.908×10 -3-5.8019×10 -7-4.2735×10 -12
0.003911Ω/Ω/°C3.9692×10 -3-5.8495×10 -7-4.2325×10 -12
ITS-900.003926 Ω/Ω/℃3.9848×10 -3-5.870×10 -7-4.000×10 -12

目前，DIN/IEC-751 是大多数国家公认的行业标准；但是，您仍然需要查阅 RTD 数据表，以确保设备是按照哪种标准构建的。如果您使用的 RTD 与您的测量系统不一致，则测量结果可能会出现重大误差。 买电子元器件现货上唯样商城

钽电容使用中的压降问题

在此我们以AVX 贴片钽电容的TAJ 系列为例，来说明钽电容使用中的压降问题。

　　在此我们以AVX 贴片钽电容的TAJ 系列为例，进行说明如下：

　　1. 钽电容的浪涌电压

　　钽电容的浪涌电压是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33Ohms（CECC 国家1KΩ）能承受的最高电压。浪涌电压，常温下一个小时时间内可达到高达10 倍额度电压并高达30 秒的时间。浪涌电压只作为参考参数，不能用作电路设计的依据，在正常运行过程中，电容应定期充电和放电。

　　不同温度下浪涌电压的值是不一样的，在85 度及以下温度时，分类电压VC 等于额定电压VR，浪涌电压VS 等于额度电压VR 的1.3 倍；在85 到125 度时，分类电压VC 等于额定电压VR 的0.66 倍，浪涌电压VS 等于分类电压VC 的1.3 倍。

　　AVX 钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于所有电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。例如一个6 伏的钽电容在额定电压运行时，有一个167 千伏/毫米电压的电场。因此一定要确保整个电容器终端的电压的决不会超过规定的浪涌电压评级。作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。然而，这种低阻是有限的。在低阻抗电路的情况下，电容器可能被浪涌电流击穿。降压的电容，增加了元件的可靠性。AVX 公司推荐降级表总结额定电压使用上常见的电压轨迹，低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻建议为1Ω/ V.如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数高达70%.在这种情况下，可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。 A 系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器：例如，两个22μF25V 系列部分相当于一个11μF50V 的一部分。

　　2. 钽电容的反向电压

　　AVX 钽电容的反向电压是有严格的限制的，具体如下：

　　在1.0V 25° C 条件下最大为10%的额定直流工作电压在0.5V 85° C 条件下最大为3%的额定直流工作电压在0.1V 125℃条件下最大为1%的额定直流工作电压反向电压值均以钽电容在任何时间上的最高电压值为准。这些限制是假设钽电容器偏振光在其大多数的正确方向工作寿命。他们的目的是涵盖短期逆转如发生在开关瞬态极性期间的一个印象深刻的波形的一小部分。连续施加反向电压会导致两极分化，将导致漏电流增大。

　　在在何种情况下连续反向应用电压可能会出现两个类似的电容应采用与负端接背回配置连接在一起。在大多数情况下这种组合将有一个标称电容的电容的一半无论是电容。在孤立的脉冲条件或在最初几个周期内，电容可能的方法完整的标称值。反向电压等级的设计盖小级别游览得天独厚的条件弄错极性。引用的值是不打算覆盖连续的反向操作。

　　3. 钽电容的叠加交流电压（Vr.m.s.）------又称纹波电压

　　这是最大的r.m.s.交流电压；叠加一个特区电压，可应用到一个电容。在华盛顿的总和电压和峰值叠加A.C.电压不得超过该类别电压。

　　4. 钽电容的成型电压

　　这是在阳极氧化形成的电压。 “这个氧化层的厚度是形成电压成正比一个电容器，并在设置额定电压的一个因素。