手机快充的技术原理

首先,我们得先了解一下啊什么是手机快充。我们都知道P=UI,即充电功率=电压×电流

      

                                                 手机充电器电路原理图

由此,要想提高充电功率,要么提高电压,要么就加大电压,要么就两者同时加大

这就引申出目前市场上主流的三种快充方案。

1.高电压低电流充电

2.高电流低电压充电

3.高电压高电流充电

一、高电压低电流充电

在这种充电模式下,手机的充电器会先将220V的市电降压至5V低压,5V的电压来到充电器后由电源管理芯片降到4.2-4.35V这么一个稳定电压区间,这样一个流程下来,手机的锂电池才能顶得住。

不过,在降压过程过,电压的转化效率并不是100%的,手机在充电时发热也会产生损耗。而且手机和充电器都会发热

  • 高电流低电压充电

增加电流,在充电器电路和电池电路中都引入MCU单片微型计算机来代替降压电 路。在低电压高电流的前提下,通过开电压环实现分段横流的电流的输出。

高电流低电压就是将电直接充个电池,而不经过降压IC,只在充电器中降一次压,电流较大所以它的充电时间相对会较短。它的电压会稳定在3-4.2v之间,电流在2-4A之间,而且还比较稳定不易发热,功率上也得到了提升。

三.高电压高电流充电

同时增大电压和电流确实是提高功率的最好办法,手机的充电效率确实是最快的,但它的弊端就在增大电压时手机充电会发热。

需要注意的是,电压和电流并不是可以无节制低提高的,电流过大是会让手机产生发热,影响电池的使用,温度过高甚至会爆炸

用往水槽注水这个例子,就很形象易懂地说明白这个原理

把图1的A中的水当成220V的市电,把B这个水池当成手机电池,

现在问“如何能最快速度地把A中的水注入到B的水池当中”

方法一:加大水流(也就是把电流调到最大值)

我们在常把电流比喻成水流,要想更快注水,就把水的流速调到最大值,就好比在日常生活中,我们洗手时把水龙头拧到最大,这样水流很快就把接水的池子装满。这种方法的弊端就是会使手机受到的热量会急剧增大,有一定的安全隐患。

方法二:增大传输面积(即增大电压)

试想一下,你在家装接水用时是用普通的4分尺寸水管,然后换成了工业级别的大水管,用它来装水是不是会更快一些,而它的缺点也很明显,你一打开水闸开关,你会承受不住这股水压的冲击力,换成手机充电也一样的原理。

目前市场上常见的快充技术有哪些?

  • 高通Quick Charge(QC)

高通的Quick Charge技术通过提高电源适配器到手机的电压以此来实现快速充电。

从QC1.0的5V/2A到QC5.0的100W,通过技术不断的迭代升级,来实现客户各式各样的充电需求。

高通推出的Quick Charge技术就是一种典型的快充技术。它通过提升电压

(如9V、12V甚至更高)来增加功率,快速为手机充电。

新一代QuickCharge2.0技术的充电功率增加至36W,并支援5V、9V和12V三种电压及最大3A的电流,不仅提高75%的充电速度,也代表它可以适用于多种装置;但要让快速充电发挥作用,不仅装置必须支援QuickCharge2.0技术,还得搭配特殊的高电压充电器(9V、12V),否则充电效果将和一般充电没什么差别。

   为了充分发挥Quick Charge 2.0的性能,需要使用输出功率更高的充电器。按照理论而言,Quick Charge 2.0支持所有输出电流达到3A并且输出电压达到5V的充电器。然而,如果使用这样的高功率充电器为Quick Charge 1.0设备充电,设备会自动将电流限制为2A。

OPPO的VOOC Flash Charge

OPPO的VOOC Flash Charge技术采用低电压高电流的充电方式,有效规避了高电压低电流方案中充电头发热严重的问题。该技术需要使用定制的适配器和充电线,与其他手机的充电设备无法兼容混用。

OC 闪充技术的实现原理与其它基于 Micro-USB 接口的快充技术不同。

VOOC 闪充在 Micro-USB 接口上就藏有玄机,与普通 5 针 Micro-USB 线不同,OPPO 还为 VOOC 的充电线上加装了 2 针使其达到了 7 针线

比起普通 Micro-USB,VOOC 闪充多了两针以识别所充电的手机是否支持 VOOC 闪充,扩大了电流传输同时降低了单通道电流过大的过载危险

三.华为的SuperCharge

华为多协议 Super Charge(超级快充)是华为自主研发的快充技术,采用华为自有的 SCP(Smart Charge Protocol,智能充电协议)协议,是一种将高压快充、低压大电流直充、USB PD 融合在一起的技术,可以解决不同快充协议之间的兼容性

华为的SuperCharge技术早期采用高压低电流方案,后来推出SCP协议(Super Charge Protocol),采用类似OPPO的低压大电流方案,好处是在增大功率的同时,减少发热

华为自主研发的100W快充其采用了新一代单电芯三极耳+内部多极耳的技术解决方案,独创了串并联五电荷泵技术、5C大功率单电芯,通过保护板和电芯的分流技术,有效降低电池等效阻抗,提升了充电效率,损耗也更小,兼容 SCP、FCP 及 QC2.0 充电协议

vivo的FlashCharge

vivo的FlashCharge技术目前主要应用于IQOO手机和vivo手机中,采用大功率快充技术,通过更高的充电功率实现较短的充电时间。

四倍压Super Flash Charge快充技术(标称电压为20V)

      四倍压Super Flash Charge快充技术的标称电压为20V,功率分别为66W、80W、100W、120W以及200W。四倍压快充技术为双电芯方案。双电芯手机可以简单的理解为就是两块电池串联在一起组成手机电池,双电芯版本两块电池的能量和等于手机电池的总能量。有些人会认为双电芯的损耗快,但其实上并不是这样,双电芯和单电芯损耗的区别由多种因素决定,如电芯质量等,我们不必过分的担心它的损耗问题。

如有说得不对的地方,请批评指正,谢谢

氮化镓(GaN)是一种高电子迁移率晶体管(HEMT),意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压,GaN的尺寸更小。GaN还具有极的开关速度和优异的反向恢复性能。 一、氮化镓(GaN)器件介绍:GaN器件分为两种类型: 耗尽型:耗尽型GaN晶体管常态下是导通的,为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。 增强型:增强型GaN晶体管常态下是截止的,为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。 GaN VS MOSFET: 他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低,这使得静态功耗显著降低,提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低,提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率,并可以使用更少的电磁学和被动元件。 二、手机介绍:能在极短的时间内(0.5-1Hr)使手机电池达到或接近完全电状态的一种电方法。 实现手机电方法: 1.电压不变,提高电流; 2.电流不变,提升电压; 3.电压、电流均提高。 手机电技术目前分为“高压小电流”和“低压大电流”两种方案。VOOC闪和Dash闪属于后者“低压大电流电”。电对手机电池的寿命没有影响,现在的电池都可以承受大电流。 三、氮化镓(GaN):氮化镓(GaN)在已有的技术上通过改用氮化镓(GaN)核心器件,将手机电器做到功率更大、体积更小、电速度更。 氮化镓(GaN)方案包含两个部分,电器部分和电源管理部分 电器部分:电管理芯片根据锂电池电过程的各个阶段的电器特性,向电器发出指令,通知电器改变电电压和电流,而电器接收到来自电管理系统的需求,实时调整电器的输出参数,配合电管理系统实现电。 电源管理部分:相应的芯片置于移动智能终端内,有独立的电源管理芯片,也有的直接集成在手机套片中,电源管理芯片对锂电池的整个电过程实施管理和监控,包含了复杂的处理算法,锂电池电包括几个阶段:预阶段、恒流电阶段,恒压电阶段、涓流电阶段。 转载自唯样电子资讯。
<think>嗯,用户想要了解手机120W电器的工作原理和电路设计。这个问题涉及电力电子技术,需要从基础拓扑讲到具体实现。 用户可能是电子工程师或硬件爱好者,想设计类似产品。从要求原理图来看,ta需要实用信息而非泛泛而谈。不过手机涉及商业机密,公开资料有限,我得聚焦通用原理。 先拆解核心模块:输入端EMI滤波很重要,否则开关噪声会污染电网。接着是PFC升压,现在国内要求75W以上必须配PFC电路。然后是关键的LLC谐振变换,这是高效秘诀——利用LC谐振实现软开关,MOS管在零电压时导通,损耗比硬开关低得多。 同步整流部分要重点讲,120W输出电流超5A(按20V算),传统二极管整流损耗太大。现在都用MOS管替代二极管,控制芯片要精准检测电流过零点。 协议握手是灵魂。当手机连接时,电器会输出5V试探电压,通过D+/D-或CC线通信,确认支持PD3.1或QC5协议后,才逐步升压到20V。这个时序控制很关键,否则可能烧设备。 安全防护方面,120W功率下任何故障都危险。必须包含OVP过压保护、UVP欠压保护、OCP过流保护、OTP过热保护四重机制,有些还会在VBUS加电压比较器做二次保护。 电路设计难点在于EMI处理,开关频率达数百kHz,寄生参数会导致谐波超标。常见对策是加共模电感、X电容和Y电容,但Y电容漏电流要控制在0.75mA以内。 最后提醒用户:参考设计可用NXP的TEA2016方案,它把PFC和LLC控制器集成在单芯片里。不过实际开发中散热才是大挑战,氮化镓(GaN)器件能比硅MOS减少30%开关损耗。</think>手机120W的核心在于**高功率密度设计**和**多级高效电能转换**,其工作原理与电路设计如下: --- ### **一、核心工作原理** 1. **功率拓扑结构** - **PFC升压级**:将交流输入(90-264V)整流为高压直流(约380V),采用主动功率因数校正(PFC)降低谐波失真,效率>95%[^1]。 - **LLC谐振级**:通过半桥/全桥LLC谐振变换器,将高压直流转换为低压脉冲。利用$f_{sw} > f_{res}$(开关频率>谐振频率)实现**零电压开关(ZVS)**,损耗降低40%[^2]。 - **同步整流级**:用MOSFET替代二极管整流,导通损耗降至$I^2 \times R_{DS(on)}$(如5mΩ级),效率提升8-10%[^3]。 2. **协议握手机制** - **USB PD 3.1/QC5协议**:电器通过CC线发送电压电流配置包(如20V/6A),手机确认后触发升压。 - **动态调压**:根据电池状态(如SOC>80%时)切换恒压/涓流模式,避免过。 3. **氮化镓(GaN)技术** - 使用GaN MOSFET替代硅MOS,开关频率提升至500kHz-1MHz(硅器件上限150kHz),体积缩小50%[^4]。 - 关键优势:反向恢复电荷$Q_{rr} \approx 0$,显著降低开关损耗。 --- ### **二、典型电路模块** ```mermaid graph LR A[AC输入] --> B[EMI滤波] B --> C[整流桥] C --> D[PFC升压] D --> E[LLC谐振变换] E --> F[同步整流] F --> G[协议芯片控制] G --> H[USB-C输出] ``` 1. **关键电路设计** - **PFC级**:采用临界导通模式(CrM)Boost电路,控制芯片如TI UCC28064,电感选用铁硅铝磁环。 - **LLC级**:谐振电容$C_r$与变压器漏感$L_r$构成谐振腔,$f_{res} = 1/(2π\sqrt{L_r C_r})$,典型值100-300kHz。 - **同步整流**:内置电流检测的MOSFET(如Infineon BSC014N04LS),由专用芯片(如MP6924A)驱动。 2. **散热设计** - 三维散热模型:$\frac{\partial T}{\partial t} = α \nabla^2 T + \frac{Q}{ρc_p}$ - 采用陶瓷基板+导热凝胶,热阻降至0.5℃/W以下。 --- ### **三、安全保护机制** | 保护类型 | 实现方式 | 触发阈值(示例) | |--------------|-----------------------------------|--------------------| | OVP(过压) | 比较器监控FB引脚电压 | 输出>23V时关断 | | OCP(过流) | 检流电阻+差分放大 | 持续>6.5A触发 | | OTP(过温) | NTC热敏电阻贴近变压器 | 外壳>85℃关断 | | SCP(短路) | 输出电压骤降检测 | <2V持续10μs | --- ### **四、技术挑战与解决方案** 1. **EMI问题** - 挑战:GaN高频开关导致30-100MHz噪声 - 方案:π型滤波(共模电感+2×X电容)+ Y电容屏蔽 2. **效率瓶颈** - 满载效率公式:$η = \frac{P_{out}}{P_{in}} = 1 - \frac{P_{sw} + P_{cond} + P_{core}}{P_{in}}$ - 实测数据:230V输入时94.5%,110V输入时92%[^5] ---
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