计算机组成原理-ch04存储器

第四章 存储器

3.1-3.2、主存简单模型和寻址概念

本章总览

主存储器的简单模型

寻址

本节回顾

3.3.1、半导体随机存储器RAM

随机存储器的两种类型及其特点

DRAM的刷新

对于三种刷新方式的理解补充：

思考起因：为什么分散刷新没有死区？明明每两次存取操作中间都有刷新操作，而在刷新的时候是不允许存储的。

解惑：这个疑惑的根源在于忽略了分散刷新的系统存取周期与其他两种刷新方式不同（分散刷新是1us，集中、异步刷新都是0.5us），也就是说系统规定每两次读写操作之间必须间隔1us，将系统读写的频率降低，刚好跳过刷新的时间，自然不会产生冲突（死时间）。

三种刷新方式的刷新周期：

集中刷新、异步刷新：最大刷新间隔（一般为2ms）

分散刷新：行地址数 x 2*原存取周期

分散刷新的存取周期是原存取周期的2倍

SRAM的读写周期

本节回顾

3.3.2、半导体随机存储器ROM

杠CS：读出时低电平，编程写入时高电平

杠PD/prog1：读出时低电平，编程写入时高电平

3.3.3、储存器基本概念

存储器的分类

存储器的性能指标

存储器的层次化结构

本节回顾

3.4.1、主存与CPU的连接

主存容量扩展-位扩展

主存容量扩展-字扩展

线选法

片选法

译码器介绍

字位同时扩展

本节回顾

3.4.2、主存与CPU的连接-例题

题目1

某一存储器系统的部分接线如下图所示。其中RAM的容量为[填空1]KB ，ROM的容量为[填空2]KB。RAM的地址分配范围是[填空3]H到[填空4]H。（填写4位二进制数)ROM的地址分配范围是[填空5]H到[填空6]H。（填写4位二进制数)

答案：1;2;4000;43FF;7000;77FF

RAM：010000 0000000000 ~ 010000 1111111111 A15-A10是固定的，A9-A0是可变的

ROM：01110 00000000000 ~ 01110 11111111111 A15-A11是固定的，A10-A0是可变的

题目2

本节回顾

3.5、双口RAM和多模块存储器

存取周期

双端口RAM（了解）

多体并行存储器（重点）

低位交叉编址提高访存速度的原因：增加存储器带宽（低位交叉编址本质上是降低了访问存储体的时间）

高位交叉编制提高访存速度的原因：多体并行

本节回顾

3.6.1、 局部性原理及性能分析

局部性原理

性能分析

例题（蓝色字体为答案）

3.6.2、Cache 地址映射

Cache的工作原理

地址映射——全相连映射

地址映射——直接映射

地址映射——组相连映射

3.6.3、cache替换算法及写策略

替换算法

LRU侧重于近期表现，LFU侧重于全局表现

例题

命中时的写策略

1. 写回法

2. 全写法

未命中时的写策略

1. 写分配法

2. 非写分配法

3.7、 虚拟存储器

概念

页式虚拟存储器

段式虚拟存储器

段页式虚拟存储器

快表

补充-门电路符号

参考博客：

(27条消息) 门电路符号_letusiji的博客-CSDN博客_门电路符号

(27条消息) 电路逻辑门图形符号汇总_rwrsgg的博客-CSDN博客_逻辑门符号